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《微機接口第四章》ppt課件-預覽頁

2026-01-28 10:32 上一頁面

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【正文】兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間 TC ，一般TC≥tA 。圖六管靜態 RAM基本存儲電路 Y地址譯碼 Vcc V7 I / O V8 I / O V3 V4 V5 V2 V6 A V1 B Di Di X地址譯碼圖中 V1V2是工作管， V3V4是負載管， V5V6是控制管，V7V8也是控制管，它們為同一列線上的存儲單元共用。典型的靜態 RAM芯片如Intel 6116 （ 2K 8 位）， 6264 （ 8K 8 位）， 62128（ 16K 8位）和 62256（ 32K 8位）等。二、動態隨機存儲器 DRAM 刷新放大器數據 I/O線 T1 CS 行選擇信號圖單管 DRAM基本存儲元電路 T2 列選擇信號圖 RAM的基本存儲電路，由 MOS晶體管和一個電容 CS組成。 2164是 64K 1位的DRAM芯片，片內含有 64K個存儲單元，所以，需要 16位地址線尋址。 2164芯片的引腳和內部結構示意如圖。字譯碼結構圖 4 4位的存儲矩陣，地址譯碼采用單譯碼方式，它通過對所選定的某字線置成低電平來選擇讀取的字。 10條地址信號線分成兩組，分別經過 X和 Y譯碼，各產生 32條選擇線。 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 圖一種雙極型 ROM的結構圖存儲單元的工作原理仍為當某一行被選中時，連到存儲管子的基極信號為“ 1”，各列若有管子與此選擇線相連，則管子導通，輸出為“ 0”，在輸出電路中經過反相，實際輸出為“ 1”；若沒有管子與此選擇線相連，則存儲矩陣輸出為“ 1”，經過輸出電路反相，輸出為“ 0”。二、可編程 ROM (PROM) 可編程 ROM（ PROM）是一種允許用戶編程一次的 ROM，其存儲單元通常用二極管或三極管實現。圖熔絲式 PROM的基本存儲結構特點： (1) 可以多次修改擦除。 EPROM是一種可以多次進行擦除和重寫的 ROM。 2764結構框圖 VCC PGE NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 封裝及引腳 2764封裝圖 ? A0～ A12 地址輸入， 213=8192=8K ? D0～ D7 雙向數據線 ? VPP 編程電壓輸入端 ? OE 輸出允許信號 ? CE 片選信號 ? PGE 編程脈沖輸入端，讀 PGE=1 操作方式讀輸出禁止備用 (功率下降 ) 編程禁止編程 Intel 編程校驗 Intel 標識符 CE OE PGM A9 Vpp Vcc 輸出 L L H H L L L L L H X X H H L L H H X X L L H H X X X X X X X H Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vpp Vpp Vpp Vpp Vcc DOUT 高阻高阻高阻 DIN DIN DOUT 編碼 2764操作方式 2764中第 26腳為 NC，若改為 A13，則為27128芯片封裝圖， 27128是一塊 16K 8bit的 EPROM芯片，其操作與 2764相同。 ※ 閃速存儲器可實現大規模電擦除。 (2) 經濟的高密度 Intel的 1M位閃速存儲器的成本按每位計要比靜態 RAM低一半以上。便攜式計算機不再需要消耗電池以維持磁盤驅動器運行，或由于磁盤組件而額外增加體積和重量。所以 a. 小系統中， CPU與存儲器可直連， b. 大系統常加驅動器 , 在 8086系統中 ,常用 822 8227總線收發器實現驅動。 (1) 確定整機存儲容量。 4. 控制信號的連接一般指存儲器的 WE、 OE、 CS等與 CPU的 RD、 WR等相連，不同的存儲器和 CPU其控制信號也不完全相同。對于多片存儲器芯片構成的存儲器其地址編碼的原則是：一般情況下， CPU能提供的地址線根數大于存儲器芯片地址線根數，對于多片 6264與 8086相連的存儲器， A0～ A12作為片內選址， A13～ A19作為選擇不同的 6264。可能的選擇只有 10（選中芯片甲）和 01（選中芯片乙）。 b. 每組的地址區間是確定的、唯一的。究竟輸出 (Y0~Y7)中是哪個有效，則由選擇輸入 CBA決定。 b. 每組的地址區間不唯一，有地址重疊。譯碼時，未使用高位地址線 A1 A18和 A15。 (4) A0和 BHE(高 8位數據總線允許 )信號用來選擇存儲體。 RAM芯片， 8K字用 2片 6264芯片組成，片內用 13根地址線 A1~A13尋址。存儲器的地址范圍為 : 04000H~07FFFH 全 0 ~ 全 1 1 0 0 3組 02022H~03FFFH 全 0 ~ 全 1 1 0 0 0 2組 00000H~01FFFH 全 0 ~ 全 1 0 0 0 0 1組地址范圍 A12…… A1A0 A13 A14 A15 A16 A17 A18 A19 芯片注：高位地址線 A1 A1 A17未使用表示取 0、 1均可，此處用 0代替，所以每塊芯片將同時有 23=8個重疊區。 amp。 A B C G2A G2B 74LS138 G1 Y0 Y1

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