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數(shù)字電路與邏輯設(shè)計(jì)第3章(存儲版)

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【正文】兩種情況 : （ a）所有輸入端均接高 T1倒置放大， IIH= ? i ? IB1 其中 ? i 為倒置放大倍數(shù)，很小，約，所以 IIH很小。 NOH稱為輸出高電平時(shí)的扇出系數(shù) 。 ② A=1時(shí)， T T3導(dǎo)通， T4截止， L=0。 YAB A + B≥ 1 1或門 AB ≥ 1 YY=A+B=A+B 異或門 ABamp。邏輯關(guān)系為 : OC門主要有以下幾方面的應(yīng)用：（ 2）實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。這時(shí)從輸出端 L看進(jìn)去，呈現(xiàn)高阻，稱為高阻態(tài) ，或禁止態(tài) 。BAENamp。（ 2）將 R3用 “ 有源泄放電路 R3 T R6代替 ” 。 74S系列的幾點(diǎn)改進(jìn)：（ 1）采用了抗飽和三極管 ceb 123bec1235． 74LS系列 ——為低功耗肖特基系列。（ b）組成雙向總線，實(shí)現(xiàn)信號的分時(shí)雙向傳送。當(dāng) EN=0時(shí) ， G輸出為 1， D1截止，相當(dāng)于一個(gè)正常的二輸入端與非門，稱為正常工作狀態(tài) 。 ② A、 B全為 1時(shí)， uB1=， T T3飽和導(dǎo)通， L=0。 DCBAL ???? 1 4 1 3 1 2 1 1 1 0 9 8 7 4 L S 5 1 1 2 3 4 5 6 7 VC C 2 B 2 C 2 D 2 E 2 F 2 Y 2 A 1 A 1 B 1 C 1 D 1 Y G N D 與門 AB ABamp。引腳排列圖如圖所示。由此可得出 : NOL稱為輸出低電平時(shí)的扇出系數(shù) 。amp。 V+V13123123D1231K21TBRCe2To3TAiV4T4k Ωc4RRCCb1 k ΩR130 Ωc2 值得注意的是，在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換的瞬間，由于所有管子都處于導(dǎo)通狀態(tài)，瞬間總電流很大，約 32mA。通常為了保證 UO≤，應(yīng)使 IO≤25mA 。要注意 RI的取值，只有 RI在小于某一阻值時(shí)，才能保證輸入低電平小于 Voff。GoVVO L （m a x ）O FF0. 8V輸入“0”O(jiān)NO H （m i n ）2V0V 0V輸出“1”V輸出“0”V輸入“1”VoV2. 4Vi3. 6V0. 4V同樣，它的輸入高低電平也有一個(gè)范圍，即它的輸入信號允許一定的容差，稱為噪聲容限。產(chǎn)品規(guī)定 VIH（ min）=2V。 VOL的理論值為，產(chǎn)品規(guī)定輸出低電壓的最大值 VOL（ max） =。截止延遲時(shí)間 tPLH——從輸入波形下降沿的中點(diǎn)到輸出波形上升沿的中點(diǎn)所經(jīng)歷的時(shí)間。 T T3都截止。解決辦法：將二極管與門（或門）電路和三極管非門電路組合起來。輸出電壓： uo＝ UCES＝三極管瞬態(tài)開關(guān)特性延遲時(shí)間上升時(shí)間存儲時(shí)間下降時(shí)間對上升沿：三極管從截止到導(dǎo)通，稱為開通時(shí)間 TON 它包括： TON = Td + Tr 延遲時(shí)間 TD，主要對應(yīng)位壘電容的充電過程。 ui＝ 5V時(shí) ，二極管導(dǎo)通，如同， uo＝。濃度大的稱為多數(shù)載流子，濃度小的稱為少數(shù)載流子。 iD= Is ( e q v / k T 1 ) 二極管的瞬態(tài)開關(guān)特性反向恢復(fù)時(shí)間是影響二極管開關(guān)特性的主要因素三極管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 N +NPbcebce集電極發(fā) 射極基極集電區(qū)集電結(jié)發(fā) 射區(qū)發(fā) 射結(jié)基區(qū)（ a ）結(jié) 構(gòu) 示意圖（ b ）符號三極管的符號及結(jié)構(gòu)圖如圖所示：三個(gè)極 —— 基極（ b）、發(fā)射極（ e）、集電極（ c）。下降時(shí)間 Tf，主要對應(yīng)位壘電容的放電過程。所以該電路滿足與非邏輯關(guān)系，即： +VLABC123DD DDD4（ + 5V ）PR31 52CC3k ΩR ΩR1k ΩTc1 TTL集成邏輯門電路一、 TTL與非門的基本結(jié)構(gòu)及工作原理 1． TTL與非門的基本結(jié)構(gòu) +VLABC123DD DDD4（ + 5V ）PR31 52CC3k ΩR ΩR1k ΩTc1C+VBA（ + 5V ）NNNNPPP PCCRb1+V13b1（ + 5V ）T 1CRBACCTTL與非門的基本結(jié)構(gòu) +VV12312312313DTRC輸入級輸出級中間級T4Tc22R3b1BRc4Aoe211k Ω ΩVc2TCCVR（ + 5V ）e24k Ω130 Ω一． TTL與非門的工作原理（ 1）輸入全為高電平。忽略流過 RC2的電流， VB4≈ VCC=5V 。 cd段：轉(zhuǎn)折區(qū) VI， T4開始導(dǎo)通， V0加速下降。在產(chǎn)品手冊中常稱為輸入低電平電壓，用 VIL（ max）表示。 Vth又常被形象化地稱為門檻電壓。與非門的 IIS 是前級的負(fù)載灌電流，約 AB段： T4截止， T1飽和， T2先截止后導(dǎo)通， I i 較大，略有減小。多余輸入端的接法：為避免串入干擾，不用的輸入不應(yīng)懸空。因此，為了保證穩(wěn)定地輸出高電平，要求負(fù)載電流 IO≤14mA，允許的最小負(fù)載電阻 RL約為 170Ω 。 (m A )14 151b1BCCIL ?????RVVI五、 TTL與非門的帶負(fù)載能力 1．輸入低電平漏電流 IIL與輸入高電平漏電流 IIH （ 1）輸入低電平漏電流 IIL—— 是指當(dāng)門電路的輸入端接低電平時(shí)，從門電路輸

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