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zch0二極管及其應用電路(1)-文庫吧在線文庫

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【正文】 D R = 1 0 k ? V I ? + ? 10V i D + v D ? 0 ?D / V 0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8 1 . 0 i D / m A 1 . 0 0 . 8 0 . 4 1 . 2 i D ? D ? + D + ? V I R =10 k ? v i VI = 10V vi = 1Vsin?t RVvRiIDD ??? 1先靜態分析－直流負載線 : 再動態分析－交流負載線 : RvVvRiiIDD???? 1vD = VI + vi iD R VD? ID ? iD=ID+?iD = +?t vD=VD+?vD ? 30 R = 1 0 k ? V I ? + 10V I D + V D ? i D ? D ? + D + ? V I R =10 k ? v i iD=ID+?iD vD=VD+?vD VI = 10V， vi = 1Vsin?t ? i D ? D ? + r d + ? ? ? I R VD? ID ? 靜態分析 ?i ? 0 動態分析疊加原理例 4:已知伏安特性 ,求 vD、 iD。 + I D V D R = 1 0 k ? V I ? + ? 10V + I D V D R = 1 0 k ? V I ? + ? 10V + I D V D R = 1 k ? V I ? + ? 20V + I D V D R = 1 0 k ? V I ? + ? 100V (a) (b) (c) (d) 正偏正偏反偏反偏 iD IF ？ D反向截止 ID = 0 VD = 10V D反向擊穿 iD = ？ vD = ？普通：熱擊穿－損壞齊納：電擊穿 VD = VBR= 40V D正向導通？ D正向導通！ 38 分析思路 ? 分析任務：求 vD、 iD ? 目的 1: 確定電路功能，即信號 vI傳遞到 vO ，有何變化？ ? 目的 2: 判斷二極管 D是否安全。 VI = 10V， vi = 1Vsin?t i D ? D ? + D + ? V I R =10 k ? v i 解題步驟 : (1) 靜態分析 (令 vi=0） R = 1 0 k ? V I ? + 10V I D + V D ? 由恒壓降模型得 VD?。 ? 首先，判斷 D的狀態？ ? 若 D反向截止，則相當于開路（ iD ?0， ROFF ? ∞ ）； ? 若 D正向導通，則？ ? 正向導通分析方法： ? 圖解法 ? 等效電路（模型）法 —— 將非線性 ? 線性 ? 先靜態（直流），后動態（交流） ? 靜態： vI =0（正弦波過 0點） ? 動態： vI ?0 二極管電路的分析概述 27 例 3:已知伏安特性 ,求 VD、 ID。 2 摻雜后 N 型半導體中的自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 雜質對半導體導電性的影響 9 ? 本征半導體、本征激發本節中的有關概念自由電子空穴 N型半導體、施主雜質 (5價 ) P型半導體、受主雜質 (3價 ) ? 多數載流子、少數載流子 ?雜質半導體復合 *半導體導電特點 1：其能力容易受溫度、光照等環境因素影響溫度 ↑→載流子濃度 ↑→導電能力 ↑ *半導體導電特點 2：摻雜可以顯著提高導電能力 10 (1)濃度差 ?多子的擴散運動 ? 復合 (2)復合 ?空間電荷區 ?內電場 (3)內電場 ?少子的漂移運動 ?阻止多子的擴散 (4)擴散與漂移達到動態平衡載流子的運動：擴散運動 —— 濃度差產生的載流子移動漂移運動 —— 在電場作用下，載流子的移動 P區 N區擴散：空穴電子漂移：電子空穴形成過程可分成 4步 (動畫 ) P 型 N 型內電場 PN結及其單向導電性 1. PN結的形成空間電荷區 =PN結 11 PN結形成的物理過程：因濃度差 ? 空間電荷區形成內電場 ? 內電場促使少子漂移 ? 內電場阻止多子擴散最后 ,多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在 T=0K和無外界激發時，沒有載流子，不導電 +4 原子結構簡化模型 6 本征半導體及其導電性 PN結的基本知識 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 2. 本征激發溫度 ? 光照本征激發自由電子空位＋自由電子空位空位：帶正電荷；可自由移動；靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空位來實現的。 ?

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