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太陽(yáng)能電池工藝ppt課件-文庫(kù)吧在線文庫(kù)

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【正文】硅作用，生成 SiO2和磷原子，由此可見，在磷擴(kuò)散時(shí)，為了促使 POCl3充分的分解和避免 PCl5對(duì)硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。生產(chǎn)過程中， CF4中摻入 O2，這樣有利于提高 Si和 SiO2的刻蝕速率。氮化硅薄膜的制備方法很多 : 濺射法，熱分解法，也可以在 700～ 1000 ℃ 下由常壓化學(xué)氣相淀積 (APCVD) 或者在 750 ℃ 左右用低壓化學(xué)氣相淀積法 (L PCVD) 制得，但現(xiàn)在工業(yè)上一般使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 來生成氮化硅薄膜。絲網(wǎng)上的模版把一部分絲網(wǎng)小孔封住使得顏料不能穿過絲網(wǎng)，而只有圖像部分能穿過，因此在承印物上只有圖像部位有印跡。影響： 1）相對(duì)于鋁漿燒結(jié)，銀漿的燒結(jié)要重要很多，對(duì)電池片電性能影響主要表現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻，即 FF的變化 2）鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，并形成完好的鋁硅合金和鋁層。 FF = Vop*Iop/Voc*Isc = Pmax/Voc*Isc 它表示了最大輸出功率點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的矩形面積在 Voc和 Isc所組成的矩形面積中所占的百分比。而暗電流與 Rsh是相輔相成的，它的值增大將會(huì)減小 Voc，并影響 FF，從而導(dǎo)致電池性能的下降。即： η =（太陽(yáng)能電池的輸出功率 /入射的太陽(yáng)光功率） x100% = （ Vop x Iop/Pin x S） X100% = Voc?Isc?FF/Pin ? S 其中 Pin是入射光的能量密度， S為太陽(yáng)能電池的面積，當(dāng)S是整個(gè)太陽(yáng)能電池面積時(shí)， η 稱為實(shí)際轉(zhuǎn)換效率，當(dāng) S是指電池中的有效發(fā)電面積時(shí)， η 叫本征轉(zhuǎn)換效率。由光電池的伏安特性曲線，可以得到描述太陽(yáng)電池的四個(gè)輸出參數(shù)。因?yàn)橄到y(tǒng)總是力求達(dá)到最低的表面自由能狀態(tài)，所以在厚膜燒結(jié)過程中，粉末系統(tǒng)總的表面自由能必然要降低，這就是厚膜燒結(jié)的動(dòng)力學(xué)原理。 PECVD 法沉積氮化硅薄膜 , 沉積溫度低、沉積速度快、薄膜質(zhì)量好、工藝簡(jiǎn)單重復(fù)性好、易于工人掌握操作技術(shù)。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崮芘c二氧化硅作用生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。它的優(yōu)勢(shì)在于快速的刻蝕速率同時(shí)可獲得良好的物理形貌。一種是多子克服電場(chǎng)的阻力的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；另一種是少子在內(nèi)電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生的漂移運(yùn)動(dòng)。晶體硅太陽(yáng)電池制造的第二步 —— PN結(jié) PN結(jié)是晶體硅太陽(yáng)電池的核心部分，沒有 PN結(jié)，便不能產(chǎn)生電流，也就不能成為太陽(yáng)電池。。尤其是在半導(dǎo)體內(nèi)，光能轉(zhuǎn)換為電能的效率特別高。復(fù)合酸表面絨面制備是它的特點(diǎn)，利用多晶硅表面的缺陷，形成減反射結(jié)構(gòu)圖形。

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