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vlsi系統設計ppt課件(2)-文庫吧在線文庫

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【正文】測量過程： ? 在相鄰的兩個臂間注入電流 IF（如 AB）； ? 測量另兩臂間電壓（如 CD，得 VCD）； ? 旋轉 90度，再注入電流 IF（ BC）； ? 再測量電壓（ AD，得 VAD）。這種描述方法稱為 λ設計規則。+dvthn39。ModelFile39。 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 21）電學規則的一般描述 .3 表電學設計規則描述電學設計規則參數參數說明襯底電阻 N型襯底電阻率均勻的 N型襯底的電阻率摻雜區薄層電阻 RS P阱薄層電阻 N+摻雜區薄層電阻 P+摻雜區薄層電阻 P 阱中每一方塊的電阻值 NMOS源漏區和 N型襯底接觸區每一方塊的電阻值 PMOS源漏區和 P型襯底（ P阱）接觸區每一方塊的電阻值多晶硅薄層電阻 RS NMOS多晶硅 RS PMOS多晶硅 RS NMOS區域多晶硅薄層方塊電阻 PMOS區域多晶硅薄層方塊電阻接觸電阻 N+區接觸電阻 P+區接觸電阻 NMOS多晶硅接觸電阻 PMOS多晶硅接觸電阻 N+摻雜區與金屬的接觸電阻 P+摻雜區與金屬的接觸電阻 NMOS的多晶硅柵以及多晶硅引線與金屬的接觸電阻 PMOS的多晶硅柵與金屬的接觸電阻 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 22）電學規則的一般描述 .3 電容（單位面積電容值）柵氧化層電容場區金屬襯底電容場區多晶硅襯底電容金屬多晶硅電容 NMOS的 PN結電容 PMOS的 PN結電容 NMOS和 PMOS的柵電容在場區的金屬和襯底間電容，氧化層厚度為場氧化厚度加上后道工藝沉積的摻磷二氧化硅層的厚度在場區的多晶硅和襯底間電容，氧化層為場氧化層金屬二氧化硅多晶硅電容，二氧化硅厚度等于多晶硅氧化的二氧化硅厚度加上摻磷二氧化硅層的厚度零偏置下， NMOS源漏區與 P阱的 PN結電容零偏置下， PMOS源漏區與 N型襯底的 PN結電容其他綜合參數 NMOS閾值電壓 PMOS閾值電壓 P型場區閾值電壓 N型場區閾值電壓 NMOS源漏擊穿電壓 PMOS源漏擊穿電壓 NMOS本征導電因子 PMOS本征導電因子 VTN VTP 場區閾值電壓，襯底為 P型半導體（ P阱）場區閾值電壓，襯底為 N型半導體（ N型襯底） NMOS源漏擊穿電壓 PMOS源漏擊穿電壓 K’N K’P 表電學設計規則描述（續） VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 23）器件模型參數 .3 模型參數示例： VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 24）模型參數的離散及仿真方法 .3 任何一個工藝線的工藝都存在一定的誤差，因此模型參數也會出現離散，公司給出的模型參數通常是典型值。 .2 工藝以設計者習慣的方式提供設計規則，工藝參數到設計參數的轉變。VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 VLSI系統設計第 2章工藝與設計接口設計開始之前（ 20222022） VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 2）本章概要： ?設計與工藝接口問題 ?工藝抽象 ?電學設計規則 ?幾何設計規則 ?工藝檢查與監控基本問題設計與仿真依據工藝監控和提模手段設計與工藝接口 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 3）設計與工藝接口問題 ?基本問題 — 工藝線選擇 ?設計的困惑 ?設計與工藝接口 .1 電路硬件與版圖設計 +工藝制造 =IC芯片 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 4）基本問題 — 工藝線選擇一條成熟的工藝線，各項工藝參數都是一定的，不允許輕易變更，而這些參數往往就成為我們設計的制約因素。 .1 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院（ 12）工藝抽象 ?工藝對設計的制約 ?工藝抽象 ? 對材料參數的抽象 ? 對加工能力的抽象得到以電學參數和幾何參數描述的工藝數據，設計者不再看到諸如摻雜濃度、結深、氧化層厚度等工藝技術范疇的專業術語。電學設計規則被分為兩個主要部分：器件模型參數和寄生提取所需的電學參數。 MOS .ENDL FF SF模型 FS模型 NMOS模型中描述例句 .LIB SF .param toxp = +toxn = +dxl = 0 dxw = 0 +dvthn = dvthp = +cjn = +cjp =

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