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ram、sram、sdram、rom、eprom、eeprom、flash等常見存儲器概念辨析-文庫吧在線文庫

2025-09-06 22:42上一頁面

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【正文】息時倒不是致命的。各種　NAND　器件的存取方法因廠家而異。　　2) 動態RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。內存工作原理　　　　　內存是用來存放當前正在使用的(即執行中)的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存(即DRAM)。　　NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。　　緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。　　在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。　　　由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。　　4) 可靠性和耐用性　　　采用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性，對于需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案，可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。位反轉的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。　　　由于需要I/O接口，NAND要復雜得多。　　NOR FLASH的主要供應商是INTEL、MICRO等廠商，曾經是FLASH的主流產品，但現在被NAND FLASH擠的比較難受。總結　　DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數據之后也需要補充電荷，這個就叫動態刷新，所以稱其為動態隨機存儲器。不過其寫入時可以byte為單位。　　以上主要用于系統內存儲器，容量大，不需要斷電后仍保存數據的。另外NAND FLASH 非常容易出現壞區，所以需要有校驗的算法。　　6) 軟件支持　　當討論軟件支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優化。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特(bit)位會發生反轉或被報告反轉了。　　　　NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同，8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。　　應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。　　而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統采用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的閃盤，可以在線擦除。　　刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于 1／2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數據的連續性。　　在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。在　NOR　器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在　NAND　器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序（MTD），NAND　和　NOR　器件在進行寫入和擦除操作時都需要　MTD。 NAND　器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，并將壞塊標記為不可用。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。 NOR 閃存容量為　1～11～16MB　閃存市場的大部分，而　NAND 閃存只是用在　8MB　以上的產品當中，這也說明　NOR　主要應用在代碼存儲介質中，NAND　適合于資料存儲，NAND　在　 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards　和　MMC　存儲卡市場上所占份額最大。 3) NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。二、性能比較閃存是非易失內存，可以對稱為塊的內存單元塊進行擦寫和再編程。 Intel 于 1988 年首先開發出 NOR flash 技術，徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統天下的局面。它的最大優點是可直接用電信號擦除，也可用電信號寫入。這樣的產品只允許寫入一次，所以也被稱為“一次可編程只讀存儲器”(One Time Progarmming ROM，OTPROM)。NAND Flash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，采用這種技術的Flash比較廉價。 ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。 RAM 又可分為SRAM（Static RAM/靜態存儲器）和DRAM（Dynamic RAM/動態存儲器）。SRAM 是利用雙穩態觸發器來保存信息的，只要不掉電，信息是不會丟失的。另外一種EEPROM是通過電子擦出，

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