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ic芯片封裝工藝介紹(完整版)

2026-01-28 00:32上一頁面

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【正文】 Lead Frame形成焊接Cap側向劃開，將金線切斷，形成魚尾Cap上提，完成一次動作Company LogoLogoFOL– Wire Bonding 引線焊接Wire Bond的質量控制：Wire Pull、 Stitch Pull（金線頸部和尾部拉力）Ball Shear（金球推力）Wire Loop（金線弧高）Ball Thickness（金球厚度）Crater Test（彈坑測試）Intermetallic（金屬間化合物測試）SizeThicknessCompany LogoLogoFOL– 3rd Optical Inspection三光檢查檢查 Die Attach和 Wire Bond之后有無各種廢品Company LogoLogoEOL– End of Line后段工藝Molding注塑EOLLaser Mark激光打字PMC高溫固化Deflash/Plating去溢料 /電鍍Trim/Form切筋 /成型4th Optical第四道光檢Annealing電鍍退火Note： Just For TSSOP/SOIC/QFP packageCompany LogoLogoEOL– Molding（注塑）※ 為了防止外部環境的沖擊，利用 EMC 把 Wire Bonding完成后的產品封裝起來的過程，并需要加熱硬化。內容有：產品名稱，生產日期，生產批次等；Before AfterCompany LogoLogoEOL– Post Mold Cure（模后固化）用于 Molding后塑封料的固化，保護 IC內部結構，消除內部應力。Company LogoLogoEOL– TrimForm（切筋成型）Trim：將一條片的 Lead Frame切割成單獨的 Unit（ IC）的過程；Form：對 Trim后的 IC產品進行引腳成型，達到工藝需要求的形狀，并放置進 Tube或者 Tray盤中；Company LogoLogoEOL– TrimForm（切筋成型）Cutting ToolForming PunchCutting DieStripper PadForming Die1234Company LogoLogoEOL– Final Visual Inspection（第四道光檢）Final Visual InspectionFVI在低倍放大鏡下，對產品外觀進行檢查。C； Cure Time： 8HrsESPEC Oven 4hrsCompany LogoLogoEOL– Deflash（去溢料）Before After目的： Deflash的目的在于去除 Molding后在管體周圍 Lead之間多余的溢料；方法：弱酸浸泡，高壓水沖洗；Company LogoLogoEOL– Plating（電鍍）Before Plating After Platingp 利用金屬和化學的方法，在 Leadframe的表面鍍上一層鍍層，以防止外界環境的影響（潮濕和熱）。EMC（塑封料）為黑色塊狀，低溫存儲，使用前需先回溫。 W/B是封裝工藝中最為關鍵的一部工藝。通過 Saw Blade將整片 Wafer切割成一個個獨立的 Dice，方便后面的

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