vlsi系統設計ppt課件(2)(更新版)

　　

【正文】 Process Control Monitor）。 則：設計問題簡單了，設計依據充分了，界限明確了。 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 17） 工藝抽象 .2 版圖設計規則是一組幾何尺寸，是對加工精度（如最細線條）；寄生效應（如寄生晶體管）；特性保障（如可控硅效應抑制）；加工質量控制（如成品率）等多方面的抽象。ModelFile39。3E8 + dxl39。cgon39。 在本節中主要討論如何進行工藝質量檢查和監控，通過什么手段與技術確認產品加工失效的原因。 在測量時，襯底與器件源極間的反偏電壓分別取不同的值以反映襯底偏置效應對閾值電壓的影響，至少應取 |VBS|=0V、VDD/2和 VDD三個點進行測量。 由薩方程 可知：外推直線斜率 可得本征導電因子。 PCM測試結構主要包括了四個方面： ? 工藝加工質量評估 ? DC測試 ? AC測試 ? 少量功能器件測試結構 PCM還作為提取器件模型參數的手段被廣泛使用。 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 28） 幾何設計規則描述 .4 描述方法：一是以最小單位 λ的倍數表示，幾何設計規則中的所有數據都以 λ的倍數表示，如 3λ、 5λ。0 + dxw39。ModelFile39。 如果設計所采用的電學參數來源不是將來具體制作的工藝線，則仿真分析的結果沒有實際意義。這個接口同時也成為了設計與工藝的 共同制約 ，成為設計與工藝雙方必須共同遵守的規范。 因此，設計之初必須考慮： 這條工藝線對我的設計是否合適。 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 13） 工藝對設計的制約 ?最小加工分辨尺寸與最大芯片尺寸對設計的制約（特征尺寸與最大面積） ?電學參數對設計的制約 ?標準工藝流程對特殊工藝要求的制約 .2 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 14） 工藝抽象 摻雜濃度以薄層電阻 RS描述： .2 jjS XXLLR ?? ????11 / ( )npn q p q? ? ? ? ?? ? ?VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 15） 工藝抽象 氧化層（絕緣層）厚度以單位面積電容 C0描述： .2 氧化層 摻雜層 導電層 oxxotCεε0??VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 16） 工藝抽象 重要參數 閾值電壓 描述了襯底摻雜濃度，氧化層厚度，氧化層中含有的電荷性質與數量，以及多晶硅（或金屬）與襯底的功函數差。 參數偏差的描述方法： TT（ typical model） 模型 SS（ Slow NMOS Slow PMOS model） 模型 FF（ Fast NMOS Fast PMOS model） 模型 SF（ Slow NMOS Fast PMOS model） 模型 FS（ Fast NMOS Slow PMOS model） 模型 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 25） .3 TT模型 SS模型 FF模型 .LIB TT .param toxp = +toxn = +dxl = 0 dxw = 0 +dvthn = 0 dvthp = 0 +cjn = +cjp = +cjswn = +cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。 MOS .ENDL SF .LIB FS .param toxp = +toxn = +dxl = 0 dxw = 0 +dvthn= dvthp = +cjn = +cjp = +cjswn = |cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。 CJ = cjn CJSW = cjswn CGDO = 39。二是用具體的數值進行描述，數值單位是微米，被稱為微米設計規則。 薄層電阻 ? ?FADCDs I VVR 22lnπ ???希臘十字結構 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 39） 測試圖形及參數測量 .5 示例 2： 薄層電阻測量及線寬測試 VLSI系統設計 2 東南大學電子科學與工程學院 （ 40） 測試圖形及參數測量 .5 示例 3： 閾值電壓測量（以及襯偏系數） 外推閾值電壓測量 通常采用外推閾值電壓測