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半導體制造工藝之離子注入原理課件(更新版)

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【正文】 A＝ 2020單位為 11原子質量SbR在入射方向上的投影?Rp：標準偏差（ Straggling），投影射程的平均偏差?R?：橫向標準偏差（ TraverseSbE2B離子注入原理 (上 )離子 11半導體制造工藝基礎第七章 14,295核阻止能力的一階近似為：例如：磷離子 Z1Proc.～ 5?1022(Sn(E), Se(E)停下來的位置是隨機的，大部分不在晶格上，因而沒有電活性。BF3， BCl3， PH3， AsH3等。離子注入屬于低溫過程（因此可以用光刻膠作為掩膜），避免了高溫過程引起的熱擴散216。across為有限源的擴散（ Drivein），往往同時氧化according半導體制造工藝基礎第七章常用擴散摻雜層的質量測量Distribution離子注入原理 (上 )實際工藝中二步擴散第一步 variation 可用多種材料作掩膜，如金屬、光刻膠、介質；可防止玷污，自由度大216。一般采用氣體源，如離子注入原理 (上 )離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。? 該理論認為，注入離子在靶內的能量損失分為兩個彼此獨立的過程power）：材料中注入離子的能量損失大小單位路程上注入離子由于核阻止和電子阻止所損失的能量靶原子密度 Gibbons,p.=Z—— 原子序數下標 1—— 離子，下標 2—— 靶對心碰撞，最大能量轉移： power）v核阻止本領在低能量下起主要作用（注入分布的尾端）v電子阻止本領在高能量下起主要作用核阻止和電子阻止相等的能量14半導體制造工藝基礎第七章 keVAs,range） keV離子注入原理 (上 )Q：為離子注入劑量（ Dose） ,Cup）， t為積分時間， q為離子所帶的電荷。cm3時，D～ 101424半導體制造工藝基礎第七章 cm3cm3離子注入原理 (上 )注入離子的真實分布v真實分布非常復雜，不服從嚴格的高斯分布v當輕離子硼（ B）注入到硅中，會有較多的硼離子受到大角度的散射（背散射），會引起在峰值位置與表面一側有較多的離子堆積；重離子散射得更深。keV離子注入原理 (上 )離子注入的溝道效應溝道效應（ Channeling離子注入原理 (上 )減少溝道效應的措施v 能量為 E的入射粒子在密度為 N的靶內走過x距離后損失的能量。 01 二月 20234:52:02 上午 04:52:02二月 21? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 04:52:0204:52:0204:52Monday, February 01, 2023? 1不知香積寺，數里入云峰。 04:52:0204:52:0204:522/1/2023 4:52:02 AM? 1越是沒有本領的就越加自命不凡。 4:52:02 上午 4:52 上午 04:52:02二月 21MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看專家告訴

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