半導體制造工藝之離子注入原理課件(專業版)

　　

【正文】 04:52:0204:52:0204:522/1/2023 4:52:02 AM? 1越是沒有本領的就越加自命不凡。 01 二月 20234:52:02 上午 04:52:02二月 21? 1比不了得就不比，得不到的就不要。離子注入原 理 (上 )離子注入的溝道效應溝道效應（ Channeling離子注入原 理 (上 )注入離子的真實分布v真實分布非常復雜，不服從嚴格的高斯分布v當輕離子硼（ B）注入到硅中，會有較多的硼離子受到大角度的散射（背散射），會引起在峰值位置與表面一側有較多的離子堆積；重離子散射得更深。cm324半導體制造工藝基礎第七章 Cup）， t為積分時間， q為離子所帶的電荷。離子注入原 理 (上 )Q：為離子注入劑量（ Dose） ,keVkeVAs,power）v核阻止本領在低能量下起主要作用（ 注入分布的尾端 ）v電子阻止本領在高能量下起主要作用核阻止和電子阻止相等的能量14半導體制造工藝基礎第七章 =Gibbons,power） ：材料中注入離子的能量損失大小單位路程上注入離子由于核阻止和電子阻止所損失的能量 ? 該理論認為，注入離子在靶內的能量損失分為兩個彼此獨立的過程一般采用 氣體源 ，如 variation常用擴散摻雜層的質量測量Distributionaccording為有限源的擴散（ Drivein），往往同時氧化acrossBF3， BCl3， PH3， AsH3等。(Sn(E), Se(E)Proc.14,離子注入原 理 (上 )離子 Sb單位為 例如：當 A＝ 2020離子注入原 理 (上 )【解】 1)26半導體制造工藝基礎第七章 effect）當離子沿晶軸方向注入時，大部分離子將沿溝道運動，幾乎不會受到原子核的散射，方向基本不變，可以走得很遠。177。 。 二月 2104:52:0204:52Feb2101Feb21? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 二月 21二月 2104:52:0204:52:02February 01, 2023? 1他鄉生白發，舊國見青山?？芍貜托院途鶆蛐?:31半導體制造工藝基礎第七章 mA25半導體制造工藝基礎第七章 襯底濃度 CB＝ 21016峰值濃度如注入時間為 1分鐘，估算所需束流。/cm3）mm的硅靶中。離子注入原 理 (上 )Q可以精確控制 A為注入面積， I為硅片背面搜集到的束流（ FaradyCp20半導體制造工藝基礎第七章 74P離子注入原 理 (上 )注入離子的濃度分布在忽略橫向離散效應和一級近似下，注入離子在靶內的縱向濃度分布可近似取高斯函數形式200150stopping注入硅Z2兩粒子之間的相互作用力是 電荷作用摘自 .核阻止本領與電子阻止本領 LSS理論阻止本領（ stoppingLSS理論。 平面上雜質摻雜分布非常均勻（ 1%常用擴散摻雜方法216。to（稱為主擴散或再分布）an如用固體或液體做源材料，一般先加熱，得到它們的蒸汽，再導入放電區。)。IEEE,m2500注入元素 ions/cm2，可以從測量積分束流得到由 cm2， I＝ 從查圖或查表 離子注入原 理 (上 )橫向效應 ?橫向效應指的是注入離子在 垂直于入射方