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《獨石電容器瓷》ppt課件 (2)-文庫吧

2026-04-08 22:12 本頁面

【正文】劑 ? 低燒 MLCC中采用的內電極為 Ag（ 950℃ ）或 PdAg（ 950～ 1000℃ ）電極。 167。 71 獨石電容器的特點 167。 721 復合鈣鈦礦系 167。 722 含鉍層狀結構化合物系 167。 723 BaTiO3基瓷料 167。 724 PLZT系瓷料 167。 725 抗還原瓷料 167。 72 獨石瓷的主要系列 1. 鈮鎂酸鉛 (PMN)系（低頻 MLCC） 2. 鈮鐵酸鉛 (PFN)系（低頻 MLCC） 3. 鎢鎂酸鉛系（ PMW）（高頻 MLCC） 4. 鈮鋅酸鉛系（ PZN） 167。復合鈣鈦礦系 167。 72 獨石瓷的主要系列 1．鈮鎂酸鉛 (PMN)系（低頻 MLCC） PMN晶相的性能 :（復合鈣鈦礦）： Tc= － 12℃ ε （－ 12℃ ） =15000 tgδ＜燒成溫度： 1050℃ 特點：介電系數高，燒結溫度較低。 167。 72 獨石瓷的主要系列 ? 采用 PbTiO3作為移動劑。 ? PbTiO3的性能（鈣鈦礦）： Tc= 490℃ ε （常溫） =150 燒成溫度： 1130℃ ? 特點：引入 PbTiO3后，燒成溫度提高到 1230℃ 左右，但 Tc向工作溫區移動。（ 10～ 15mol％） 167。 72 獨石瓷的主要系列 ? 采用 PbCd1/2W1/2O3 作為助熔劑：反鐵電體 Tc=400℃ ε （常溫） =90 tgδ＜ αε = +5000x10－ 6/℃ 燒成溫度 750℃ ， 860℃ 熔融 ? 特點：瓷料燒結溫度在 920℃ 左右，可配合 Ag電極的使用，可微調 Tc。（生成液相，材料中的缺陷增多，活性增大） 167。 72 獨石瓷的主要系列 ? 為進一步改善瓷料的介電性能，在上述配方基礎上外加 PbOBi2O3SiO2低溫玻璃。 ? 特點：提高介質中液相對晶粒表面的潤滑作用，防止晶粒長大。（～％） ? 過多玻璃相會導致介電系數極大地下降，損耗增加。 167。 72 獨石瓷的主要系列 ? 工藝問題：在 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3的合成過程中，由于PbO的揮發，在 500℃ 以上易生成低介電常數的焦綠石相（ 3PbO2Nb2O5，簡稱 P3N2） ? 解決方法： a. 添加 PbO過量。 b. 兩步合成法 (1) MgO+ Nb2O5→MgNb2O6 (2) PbO+MgNb2O6→Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 167。 72 獨石瓷的主要系列 ? 2. 鈮鐵酸鉛 (PFN)系 (低頻 MLCC) 由于 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3鐵電體的 Tc在 112℃ ，室溫下 ε 在 2022左右，故必須加入合適的移動劑，將居里點移到室溫下，以獲得極高的介電常數。 167。 72 獨石瓷的主要系列 ? 經驗證明，當溶質和基質的結構中有一共同陽離子，則鈣鈦礦型固溶體的居里點隨組分的固溶量作單向變化；如果沒有共同的陽離子，則固溶體的居里點與組分固溶量之間存在一最小值。 ? 常用的移動劑： Pb(Fe2/3W1/3)O3 PFW Tc=95℃ Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 PNN Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 PZN

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