公司新員工實習階段工作小結(已修改)

　

【正文】 第一篇：公司新員工實習階段工作小結公司新員工實習階段工作小結公司新員工實習階段工作小結 從崗前培訓到崗位入職，兩個多月的時間猶如白駒過隙，所幸我能逐步地從濱松光子的規章制度、精神文化及歷史使命，到公司的主要產品及上下游產業鏈等方面取得初步的了解與認識。在領導與同事們悉心地指導和幫助下，我對閃爍體部的特色文化、主要產品及各個工序與作業等都主動的進行了學習與實踐，同時我也意識到自己由于初涉職場，在工作、生活等方面還存在很多的不足。下面就這段時間的實習經歷，基于收獲與存在的不足兩方面進行剖析與總結，使自己早日成為公司的優秀員工，與濱松共同成長與發展。一、對閃爍體部及各個工序的學習與認識在蔣經理、張老師等領導的關心下，由師父韓工和小閆的悉心指導和幫助，先后深入部門各個工序進行觀摩與學習，對每個工序都有了初步的了解，熟悉并了解了各個工序及作業的任務與流程。1）晶體生長通過理論學習與主動實踐，了解了晶體生長的工藝流程，如設計配料與裝料、抽真空與封焊工藝、裝爐、溫場設計、調試與記錄以及出爐等，每個作業都有很多技巧，均為非實踐不能領悟的技藝，在以后的工作中需向王師傅等同事求教，加以深入學習并掌握。2）晶體加工晶體加工是部門最重要的工序之一，同時緣于工作所需，入職以來在加工學習的機會較多。加工主要有晶體條與陣列等作業，還包括內外圓、劃片機、銑床、車床等在內的大型加工機床等。通過同事們悉心的授教與自我總結，使我獲益匪淺。其中個別作業可獨立操作，如imgm2d二維影像測量軟件的應用、晶體打磨與拋光等作業。3）陣列陣列是部門最重要、要求最高的工序之一。陣列置于二樓，主要包括灌膠、打磨與拋光、大nai封裝、性能測試等作業。在劉工、姚工等的指導下，對晶體測試、封裝、陣列及晶體條的打磨與拋光均有了初步的認識。學會了獨立用特氟龍封裝需要光輸出測試的晶體，同時結合理論學習，熟悉了性能測試基本原理等有關知識。另外，由于崗位工作所需，在小閆師傅等的指導下，學會了獨立操作金剛石線切割機進行cwo晶片切割、籽晶加工等操作，也掌握了一些常見問題的解決方法。4）提純提純不像其他工序那么顯眼，但是對部門卻極其重要。在同事的指導下，我了解了提純的幾個基本作業，如溶料、水浴洗料、過濾、煮料、水浴結晶、真空烘料等。企業對生產廢料的處理及回收利用都是非常的重視，特別是對于生產原料極其昂貴、加工廢料比例極大，存在潛在污染環境等因素的企業，提純工藝更具有全局意義。并且由于近期原料供應緊張，提純的重要性尤為凸顯。5）塑料閃爍體塑閃工序生產的塑料閃爍體為部門填補了有機閃爍體領域的空白，可以發揮塑料閃爍體尺寸大、價格低、產品尺寸形貌多樣化等優點，與部門傳統優勢產品——無機閃爍體形成優勢互補。該工序主要包括原料的分餾與提純、聚苯乙烯的聚合、加工、打磨與拋光、測試與封裝等。目前，塑料閃爍體在產品閃爍性能、成本控制上還有很多需要改進與提高的地方。6）科研所有的科研活動都必須要源于生產，服務于生產。所以，自從我被安排到科研崗位，在師父韓工與小閆的影響下，我深知要想搞好科研，除了要有扎實的理論基礎，還必須要立足于生產，扎根于生產一線。自己不僅要能夠開發出新的產品，還要能夠全面了解甚至大體上掌握新產品的生產、加工、測試、包裝、市場及原料的回收利用等工序。同時只有科研人員在全面掌握產品從研發到生產再到銷售等的全部流程后，才能在其過程中發現問題與不足，才能逐步改進、創新，最終促進科研，使科研更有價值。目前，部門主要的科研項目有大尺寸nai項目、半導體材料tlbr項目、純csi項目及cwo研制項目等，本人所在崗位屬cwo研制項目組。二、對本職崗位的學習與認識 在張老師的帶領下，由韓工等前輩同事將cwo項目從無到有、從立項到搭建生長爐、從無數次的溫場設計與調試到第一個晶體的試生長，從晶體存在大面積開裂、粘鍋、著色、性能低劣等缺點到能夠生長出完好、著色明顯改善、性能顯著提高的晶體……他們付出了大量的心血與努力，收獲了寶貴的經驗，為進一步提高晶體性能打下了堅實的基礎。相信在這樣的一個團隊里，自己的科研能力會得到很好的鍛煉，個人的各種素養也會得到全面提高。深信我一定能夠和這個團隊并肩作戰，把cwo項目順利開展下去。兩個多月的實習生活中，cwo項目是我主要的工作與學習內容。在師父韓工和小閆深入的理論知識與豐富的經驗指導下，通過查閱大量的國內外相關文獻，同時結合晶體結構、晶體生長工藝與性能等理論知識，我對cwo閃爍晶體目前的研究現狀、本項目所取得成果、目前研究面臨的問題進行了全面的學習與了解。此外，主動參與實驗設計與配料、晶體生長過程與控制、退火工藝及樣品加工與測試等每一個主要的科研環節。同時積極和項目組成員研究討論目前遇到的各種問題及研究解決的對策與方案。三、存在問題與解決思路目前cwo項目組可以生長出完好、通透的晶體，但是與其他研究者類似，遇到致命的難題——晶體著色嚴重。晶體著色導致晶體光自吸收嚴重，光輸出難以達到要求。另外，晶體還存在面嚴重解理的缺點，導致晶體生長，特別是晶體加工過程產生掉片、開裂等現象。1）著色機理據相關文獻及經驗總結，一般認為由于高溫熔融狀態下，cwo發生分解，cdo與wo3均易揮發，且cdo揮發速率更快，導致原料組分嚴重發生偏析，使得晶體產生大量的cd、w、o空位、各種包裹體等缺陷及wowo42等色心，導致晶體著色。同時原料的純度也是一個不可忽視的決定性因素。此外，個人認為晶體著色還有一個重要的原因是晶體生長本身產生的缺陷，因為可能籽晶定向不準確、生長工藝缺陷等因素造成晶體生長中產生大量的晶格扭曲及雜亂晶疇的出現，會導致晶體著色失透。至于哪種原因占主導，還需要借助精密的科研儀器進行系統性研究。2）分析與解決思路 ①鎢酸鎘分解揮發由于沒有確定鎢酸鎘分解溫度，難于可靠的判定cwo原料高溫下是以分子形式還是以分解的氧化物形式揮發為主，也不利于工藝的改進，故可以做熱重差熱測試，分析其分解溫度，再想辦法從設備與工藝上解決。②確定缺陷種類晶體著色歸根結底是由于晶體存在大量的缺陷產生的，那么探索晶體中存在的是何種缺陷，更確切的說是晶體中到底是以什么缺陷為主，對尋找改善晶體著色方法有根本的指導作用。故研究晶體中空位、雜質等缺陷以及生長產生的結構缺陷等具有重要的意義，這些應該是可以通過科學儀器進行測試分析的。如果存在大量的晶體生長缺陷，那么反復的摻雜也只能是事倍功半，我們必須得從生長工藝與方法上下功夫。③摻雜對于目前認為的主要以cd空位及wo3色心等引起的缺陷主要采用摻雜的方式加以解決。我們從摻雜機理及雜質離子