正文內容

[理學]第5章半導體二極管及基本電路-wenkub

2022-12-23 01:05:46 本頁面

　

【正文】 1 1 1 1 1 0 0 0 電路的邏輯關系為或邏輯二極管具有鉗位作用 29 ? 例 3. 限幅（削波）作用電路如圖所示，求 uo 及畫出波形。由于二極管是非線性器件，分析電路時常采用模型分析法。 2）最高反向工作電壓 U R M 保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓。擴散漂移 Ed I R 很小 D 截止。鍺 (Ge): U T ≈。 PN結的結電容的數值一般很小，故只有在工作頻率很高的情況下才考慮PN結的結電容作用。 ? 加反向電壓， PN 結截止，反向電流很小，結電阻很高。因區域內的載流子極少，所以空間電荷區的電阻率很高。例如當溫度增加或受到光照時，半導體導電能力都有所增加。硅晶體摻硼出現空穴硼原子的結構 2. P 型半導體 11 摻雜濃度溫度 N 型、 P 型半導體示意圖 N 型半導體 P 型半導體雜質半導體中多數載流子濃度取決于少數載流子濃度取決于 12 ⒈ 半導體中存在著兩種載流子自由電子和空穴。 ? 自由電子和空穴是運載電荷的粒子，稱為載流子 7 二 .雜質半導體 ?雜質半導體 —— 在本征半導體中摻入微量的雜質 (某種元素），而形成的半導體。一 . 本征半導體 (a) 鍺 Ge 的原子結構 (b) 硅 Si 的原子結構 4 ?本征半導體導電方式以硅（ Si）元素為例討論、分析硅單晶中的共價鍵結構 5 1）自由電子和空穴的形成 ? 在外界的影響下（如熱、光、電場、磁場等），使得其共價鍵中的價電子獲得一定能量后，電子受到激發脫離共價鍵，成為自由電子（帶負電），共價鍵中留下一個空位，稱為“空穴”。 ? ：電阻率很高、電流不通過、無導電能力的物體。1 第 5章半導體二極管及基本電路 ? 基本要求理解 P N 結的單向導電性，理解二極管、穩壓管的工作原理，掌握分析二極管、穩壓管電路的分析方法。 ? ：它的導電能力介于導體和絕緣體之間的物體。價電子空穴自由電子 6 2）載流子的形成 ? 在外電場的作用下，價電子填補空穴，就好像空穴在運動。雜質半導體 N 型半導體 P 型半導體 8 ? 在硅（或鍺）的晶體中摻人少量的五價元素（如磷元素），如圖所示，多余的第五個價電子很容易掙脫磷原子核的束縛而成為自由電子。因此，半導體的導電原理明顯區別于導體。半導體熱敏器件和光敏器件都是利用這一特性制造的。 2）內電場對多數載流子的擴散運動起阻擋作用，所以空間電荷區 PN結又稱為阻擋層或耗盡層。 18 3） PN 擊穿 ?當加在 PN結的反向電壓超過某一數值（ UBR）時，反向電流會急劇增加，這種現象稱為反向擊穿。 19 半導體二極管一 . 點接觸式和面接觸式二極管的結構 D 陰極陽極二極管符號 20 二 . 伏安特性（ V— A特性 ) 硅二極管的伏安特性 ? 二極管的伏安特性將二極管分為三種狀態 —— 截止、導通和擊穿。 ? AB段：當 U F ＞ U T后， Ed↓↓→擴散運動 ↑ ↑ → I F ↑ ↑ → D 導通。 ? 一般情況下，鍺管反向電流 I R＞硅管 I R反向電流。 U R M=（擊穿電壓） / 2 3）最大反向電流 I R M 當二極管加上反向工作峰值電壓時所對應的反向電流。理想模型恒壓模型二極管基本電路及分析方法 27 例 1. 當輸入電壓為 ui ，試繪出輸出電壓 uo 波形。解： 1）當 ui ＞ E 時， D導通； ∴ uo = UD + E≈ E 2) 當 ui ＜ E 時 , D截止， ∴ uo = ui tUu i

點擊復制文檔內容

教學課件相關推薦

[理學]第5章半導體二極管及基本電路-wenkub

半導體及二極管ppt課件-資料下載頁

半導體二極管參數的測量-資料下載頁

模擬電路第四章3二極管及其基本電路-資料下載頁

半導體器件穩壓二極管-資料下載頁

半導體發光二極管講義-資料下載頁

c二極管及其電路ppt課件-資料下載頁

半導體二極管電子教案-資料下載頁

電學半導體二極管教案-資料下載頁

晶體二極管及應用電路-資料下載頁

晶體二極管及整流電路-資料下載頁

zch010二極管及其電路-資料下載頁

半導體基礎知識及二極管-資料下載頁

半導體光電子學第6章半導體發光二極管-資料下載頁

半導體二極管練習題-資料下載頁

[工學]第15章二極管及三極管-資料下載頁

[理學]第5章半導體二極管及基本電路-在線瀏覽

[理學]第5章半導體二極管及基本電路-閱讀頁

[理學]第5章半導體二極管及基本電路(文件)

[理學]第5章半導體二極管及基本電路-全文預覽

[理學]第5章半導體二極管及基本電路-預覽頁