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半導體制造工藝簡介(存儲版)

2026-05-30 04:54上一頁面

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【正文】將圖形轉移到光刻膠下面組成器件的各層薄膜上 ?濕法刻蝕：掩膜層下有橫向鉆蝕 ?干法刻蝕：等離子體輔助刻蝕，是利用低壓放電等離子體技術的刻蝕方法 6 常用工藝之三：刻蝕 6 常用工藝之三：刻蝕 6 常用工藝之三：刻蝕 ?各向異性腐蝕（濕法刻蝕） ?各向同性腐蝕：例如在鋁線的刻蝕過程中，加入含碳的氣體，以形成側壁鈍化，這樣可以獲得各向異性刻蝕效果 6 常用工藝之三：刻蝕 7 常用工藝之四：摻雜 ?作用：形成 PN結，形成電阻，形成歐姆接觸，形成雙極晶體管的基區、發射區、集電區或MOS管的源和漏。 ?大部分的離子并不位于替位位置 ?為了激活注入的離子，并回復遷移率和其他材料的參數，必須在適當的時間與溫度下將半導體退火。化學氣相淀積 ?（ 3）化學氣相淀積 ?化學汽相淀積是指通過氣態物質的化學反應，在襯底上淀積一層薄膜材料的過程。電感 3 雙極集成電路制造流程 ?雙極集成電路最主要的應用領域是模擬和超高速集成電路。電阻電阻 ?電阻值計算， xj為結深 ?當 W=L時， G=g ? 1/g用 R■ 表示，稱為方塊電阻，單位為歐姆，習慣上用 Ω/ ■ 表示。 ?金屬的淀積通常是物理的。擴散和離子注入的對比離子注入注入損傷 ?注入損傷：帶有能量的離子進入半導體襯底，經過碰撞和損失能量，最后停留下來。 ? （ 4）去除光刻膠塵埃粒子影響：潔凈室接觸式和接近式曝光掩膜光刻膠圖形轉移圖形轉移 5 常用工藝之二：光刻 ?集成電路中每一層的制備都需要涂一層光刻膠，都需要一層掩膜版，也需要曝光、顯影以及刻蝕。外延層可以與沉底同一種材料，也可以不同。 2 材料的作用 ?表集成電路中所需要的材料 ?導體：低值電阻，電容極板，器件邊線，接觸，焊盤 ?半導體：襯底 ?絕緣體：電容介質，柵氧化層，橫向隔離，層間隔離，鈍化層 3 工藝流程 ?集成電路的制造工藝是由多種單道工藝組合而成的，單道工藝通常歸為以下三類： ?（ 1）薄膜制備工藝：包括外延生長、氧化工藝、薄膜淀積工藝，如制造金屬、絕緣層等。 ?、 5 MOS場效應管

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