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2026-04-20 04:54本頁面

　　

【正文】化學氣相淀積 ? CVD技術具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復性好、臺階覆蓋優良、適用范圍廣、設備簡單等一系列優點。利用 CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的sio2 、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等。 ?作用：外延層，二氧化硅膜，多晶硅膜，氮化硅膜化學氣相淀積 ? CVD生長的二氧化硅：用作金屬間的絕緣層，用于離子注入和擴散的掩蔽層，也可用于增加熱氧化生長的場氧化層的厚度 ?熱生長的二氧化硅：具有最佳的電學特性。可用于金屬層之間的絕緣體，又可用作器件上面的鈍化層主要內容 ? ? 工藝流程 ? 工藝集成工藝集成 ? 1 制作流程 ? 2 無源器件 ? 3 雙極集成電路制造流程 ? CMOS工藝 1 制作流程 1 制作流程 2 無源器件 ? 電阻 ?（ 1）淀積：淀積電阻層，然后光刻刻蝕 ?（ 2）擴散或離子注入：在硅襯底上熱生長的氧化層上開出一個窗口，注入或擴散與襯底類型相反的雜質。電阻電阻 ?電阻值計算， xj為結深 ?當 W=L時， G=g ? 1/g用 R■ 表示，稱為方塊電阻，單位為歐姆，習慣上用 Ω/ ■ 表示。 2 無源器件 ? 電容 ?基本上分為兩種： MOS電容和 PN結電容 ?（ 1） MOS電容：重摻雜區域作為極板，氧化物作為介質 ?單位面積的電容為 ?（ 2） PN結電容： N+P結電容，通常加反向偏置電壓電容 2 無源器件 ? 電感：薄膜螺旋電感 ?過程：硅襯底熱生長或淀積一層厚氧化物；淀積一層金屬，形成電感的一個端子；再淀積一層介質，通過光刻和刻蝕確定出一個過孔；淀積第二層金屬，同時過孔被填充；在第二層金屬上光刻并刻蝕出螺旋圖形作為電感的第二個端子。電感 3 雙極集成電路制造流程 ?雙極集成電路最主要的應用領域是模擬和超高速集成電路。 ?每個晶體管之間必須在電學上相互隔離開，以防止器件之間的相互影響。 ?下圖為采用場氧化層隔離技術制造的 NPN晶體管的截面圖，制作這種結構晶體管的簡要工藝流程如下所示：

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