正文內容

第四講淀積工藝(半導體制造技術)-文庫吧在線文庫

2026-03-11 05:50上一頁面

下一頁面

　　

【正文】半導體制造技術by Michael Quirk and Julian Serda淀積－刻蝕－淀積工藝用 PECVD 淀積的膜在間隙入口處產生夾斷現(xiàn)象，導致在間隙填充中的空洞鑰匙孔效應面包塊效應MetalSiO2在這里開始分開1) 離子誘導薄膜初始產物的淀積2) 氬離子濺射刻蝕掉間隙入口處多余的膜，在膜上導致斜面外形3) 再淀積被刻蝕的材料。從本質上講，減小互連尺寸帶來的寄生電阻和電容效應而導致更大的信號延遲。膜材料與襯底材料不一致的情況（例如硅襯底上生長氧化鋁），稱為異質外延。外延為器件設計者在優(yōu)化器件性能方面提供了很大的靈活性，例如可以控制外延層厚度、摻雜濃度、輪廓，而這些因素是與硅片襯底無關的。芯片的不斷縮小導致互聯(lián)線寬度減小，使得傳輸信號導線電阻（ R）增大。邊界層的分子密度低，使得進入的氣體分子很容易通過這一層擴散，是硅片表面接觸足夠的反應氣體分子。淀積的二氧化硅薄膜改善了臺階覆蓋輪廓，均勻性好，具有作為絕緣介質優(yōu)異的電學特性。應用高密度等離子體 CVD可以在 600～650℃ 的溫度下淀積 PSG，由于它的淀積溫度、相對平坦的表面、好的間隙填充能力，近來也常采用 PSG作為第一層層間介質（ ILD1）。 CVD氣體流動的主要因素包括，反應氣體從主氣流中到硅片表面的輸送以及在表面的化學反應速度。在質量傳輸階段淀積工藝對溫度不敏感，這意味著無論溫度如何，傳輸?shù)焦杵砻婕铀俜磻姆磻獨怏w的量都不足。 SiH2先驅物再和硅烷反應形成 Si2H6。對于某種特定反應的選擇通常要考慮淀積溫度、膜的特性以及加工中的問題等因素。 250 197。如圖所示，由于特征高度的變化，硅片上各層并不平坦，這將成為 VLSI時代所需的多層金屬高密度芯片制造的限制因素。5. 描述不同類型的 CVD淀積系統(tǒng)，解釋設備的功能。各種不同類型的薄膜淀積到硅片上，在某些情況下，這些薄膜成為器件結構中的一個完整部分，另外一些薄膜則充當了工藝過程中的犧牲品，并且在后續(xù)的工藝中被去掉。2. 提供對不同薄膜淀積技術的慨況。電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian SerdaMSI時代 nMOS晶體管的各層膜p+ silicon substratep epi layer場氧化層n+ n+ p+ p+nwellILD 氧化硅墊氧化層氧化硅氮化硅頂層柵氧化層側墻氧化層金屬前氧化層Poly金屬多晶金屬Figure 電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian Serda引言從 MSI到 LSI時代，芯片的設計和加工相對較為直接，上圖給出了制作一個早期 nMOS所需的淀積層。比如二氧化硅（ SiO2）、氮化硅（ Si3N4）、多晶硅以及金屬（ Cu、 W） . 電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian Serda固態(tài)薄膜Silicon substrateOxide寬長厚與襯底相比薄膜非常薄Figure 電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian Serda薄膜特性? 好的臺階覆蓋能力? 填充高的深寬比間隙的能力? 好的厚度均勻性? 高純度和高密度? 受控制的化學劑量? 高度的結構完整性和低的膜應力? 好的電學特性? 對襯底材料或下層膜好的黏附性電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian Serda膜對臺階的覆蓋我們期望膜在硅片表面上厚度一致，但由于硅片表面臺階的存在，如果淀積的膜在臺階上過渡的變薄，就容易導致高的膜應力、電短路或在器件中產生不希望的誘生電荷。包括：1. 產生化學變化，這可以通過化學反應或熱分解；2. 膜中所有的材料物質都源于外部的源；3. 化學氣相淀積工藝中的反應物必須以氣相形式參加反應。電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian SerdaCVD 傳輸和反應步驟圖CVD 反應室Substrate連續(xù)膜 8) 副產物去除 1) 反應物的質量傳輸副產物 2) 薄膜先驅物反應 3) 氣體分子擴散 4) 先驅物的吸附 5) 先驅物擴散到襯底中 6) 表面反應 7) 副產物的解吸附作用排氣氣體傳送Figure 電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian Serda 在化學氣相淀積中，氣體先驅物傳輸?shù)焦杵砻孢M行吸附作用和反應。基于 CVD反應的有序性，最慢的反應階段會成為整個工藝的瓶頸。淀積速度是受化學反應速度限制的，此時稱表面反應控制限制。? CVD 過程中的摻雜 CVD淀積過程中，在 SiO2中摻入雜質對硅片加工來說也是很重要。電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian SerdaCVD 淀積系統(tǒng)? CVD 設備設計– CVD 反應器的加熱– CVD 反應器的配置– CVD 反應器的總結? 常壓 CVD（ APCVD ）? 低壓 CVD（ LPCVD）? 等離子體輔助 CVD? 等離子體增強 CVD（ PECVD）? 高密度等離子體 CVD（ HDPCVD）電信學院微電子教研室半導體制造技術by Michael Quirk and Julian SerdaCVD 反應器類型Figure 電信

點擊復制文檔內容

教學課件相關推薦

第四講淀積工藝(半導體制造技術)-文庫吧在線文庫

砷化鎵與硅半導體制造工藝的差異分析-資料下載頁

半導體制造工藝流程(ppt97)-生產制度表格-資料下載頁

[精選]半導體工藝-資料下載頁

半導體制造流程與ic產業(yè)鏈簡介-資料下載頁

[精選]半導體制造工藝_11刻蝕(ppt47頁)-資料下載頁

[精選]第四講電視編輯技術-資料下載頁

[精選]半導體制程概論chapter5加熱工藝-資料下載頁

半導體制造工藝流程【強烈推薦，實戰(zhàn)精華版】-資料下載頁

半導體制造流程與ic產業(yè)鏈簡介[1]-資料下載頁

建構半導體制造過程產品異常資料挖礦技術之研究-資料下載頁

mba第四講-資料下載頁

hrm第四講-資料下載頁

optimization第四講-資料下載頁

mbahrm第四講-資料下載頁

[精選]半導體鍍膜工藝-資料下載頁

第四講淀積工藝(半導體制造技術)-展示頁

第四講淀積工藝(半導體制造技術)-在線瀏覽

第四講淀積工藝(半導體制造技術)-閱讀頁

第四講淀積工藝(半導體制造技術)(文件)

第四講淀積工藝(半導體制造技術)-全文預覽