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半導體制造工藝之離子注入原理課件-文庫吧在線文庫

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【正文】注入離子與靶內原子核之間兩體碰撞216。March,31550離子注入原理 (上 )總阻止本領（ Total離子在靶內的總路線長度離子注入原理 (上 )投影射程 Rp:Rp?Rp?R?Rp?Rp?R?Rp?Rp?R?19半導體制造工藝基礎第七章可以得到：?21半導體制造工藝基礎第七章 cm2注入時間為 ~30分鐘對比一下：如果采用預淀積擴散（ 1000keV的 B+離子注入到直徑為 15014/cm2（襯底濃度 210162)mm?Rp=855 197。mmQ＝摻雜劑量硅片面積sec=keVD0t0＋ Dt一個高斯分布在退火后仍然是高斯分布，其標準偏差和峰值濃度發生改變。由于溝道效應的存在，在晶體中注入將偏離LSS理論在非晶體中的高斯分布，濃度分布中出現一個相當長的 “尾巴 ”產生非晶化的劑量沿 100的溝道效應34半導體制造工藝基礎第七章 keV核阻止與 (2) 04:52:0204:52:0204:52Monday, February 01, 2023? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 04:52:0204:52:0204:522/1/2023 4:52:02 AM? 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 4:52:02 上午 4:52 上午 04:52:02二月 21? 楊柳散和風，青山澹吾慮。二月 214:52 上午二月 2104:52February 01, 2023? 1業余生活要有意義，不要越軌。 04:52:0204:52:0204:52Monday, February 01, 2023? 1知人者智，自知者明。 01 二月 20234:52:02 上午 04:52:02二月 21? 1楚塞三湘接，荊門九派通。二月 214:52 上午二月 2104:52February 01, 2023? 1行動出成果，工作出財富。離子注入原理 (上 )? 靜夜四無鄰，荒居舊業貧。1%溫度：室溫流量： 10121014對大的離子，沿溝道軸向 (110)偏離 7－ 10ov用 Si， Ge， F， Ar等離子注入使表面預非晶化，形成非晶層（ Preamorphization）v增加注入劑量（晶格損失增加，非晶層形成，溝道離子減少）v表面用 SiO2層掩膜36半導體制造工藝基礎第七章 32半導體制造工藝基礎第七章離子注入原理 (上 )注入掩蔽層 —— 掩蔽層應該多厚？如果要求掩膜層能完全阻擋離子xm為恰好能夠完全阻擋離子的掩膜厚度Rp*為離子在掩蔽層中的平均射程， ?Rp*為離子在掩蔽層中的射程標準偏差29半導體制造工藝基礎第七章離子注入原理 (上 )橫向效應 ?橫向效應指的是注入離子在垂直于入射方向平面內的分布情況橫向效應影響 MOS晶體管的有效溝道長度。離子數從查圖或查表 mA～ mA22半導體制造工藝基礎第七章 cm2， I＝ ions/cm2，可以從測量積分束流得到由注入元素 straggling） ,500離子注入原理 (上 ) 12半導體制造工藝基礎第七章 m2=IEEE,cm3)。(2)7半導體制造工藝基礎第七章如用固體或液體做源材料，一般先加熱，得到它們的蒸汽，再導入放電區。橫向效應比氣固相擴散小得多，有利于器件尺寸的縮小? 會產生缺陷，甚至非晶化，必須經高溫退

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