半導體二極管及其基本電路(2)(專業版)

　　

【正文】 典型值為： A/Lx UO R + 10 8 6 4 2 0 Ip/μ A 50 200Lx 400LX 光照伏安特性 、光電子器件 光電二極管 材料和結構：發光二極管由砷化鎵、磷化鎵等半導體材料組成。為了簡單起見，圖 a所示的電路常采用圖 b所示的習慣畫法，今后經常用到。 （ 3）邏輯（二極管邏輯）。 半導體二極管 結構類型和符號 伏安特性 主要參數 型號命名規則 結構類型和符號 二極管 = PN結 + 引線 + 管殼。 半導體基礎知識 PN結 半導體二極管 二極管基本電路及其分析方法 特殊二極管 半導體基礎知識 一、半導體 定義 特點 :導電能力可控（受控于光、熱、雜質等） 典型半導體材料 :硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等 本征半導體 雜質半導體 本征 (intrinsic)半導體 —— 純凈無摻雜的半導體 。 類型： 點接觸型、面接觸型 和 平面型 (1) 點接觸型 — (a)點接觸型 一、結構類型 PN結面積小，結電容小， 用于檢波和變頻等高頻電路 (c)平面型 (3) 平面型 — (2) 面接觸型 — (b)面接觸型 二、符號 舊符號 新符號 陽極 (Anode) 陰極 (Cathode) 標記 D1 D2 Diode PN結面積大，用 于工頻大電流整流電路 往往用于集成電路制造工藝中。 可以參考 二極管是一種非線性器件，需應用 線性化模型分析法 對其應用電路進行分析。現按題意，分別求解如下： （ 1） VDD=10V ① 使用理想模型得 VD=0V， ID=VDD/R=10V/10kW=1mA ② 使用恒壓降模型得： VD=， (2) VDD=1V ① 使用理想模型得： VD=0V， ID= VDD/R= ② 使用恒壓降模型得： VD=， ID= （ VDD－ ） /R= ③ 使用折線模型得 ID=， VD= 一二極管開關電路如圖 LT_01所示。由于電子空穴的復合產生發光能量。用感光靈敏度來衡量。電路中任一點的電位，都是對此共同端而言的，這在第 1章中已介紹過。 （ 2）限幅。勢壘電容和擴 散電容均是非線性電 容。 制造半導體器件的半導體材料的純度要達到%， 常稱為 “ 九個 9”。 PN 結面積 可大可小 ， 用于高頻整流和開關電路中。 這個模型如圖XX_01所示，其基本思想是當二極管導通后，其管壓降認為是恒定的，且不隨電流而變，典型值為 。當 vI1和 vI2