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半導體二極管及其基本電路(專業版)

2025-12-05 12:48上一頁面

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【正文】因此可以用 PN結構成光敏二極管。這個模型如圖XX_01所示，其基本思想是當二極管導通后，其管壓降認為是恒定的，且不隨電流而變，典型值為。 PN 結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。制造半導體器件的半導體材料的純度要達到%，常稱為 “ 九個 9”。勢壘電容和擴散電容均是非線性電容。（ 2）限幅。一般 UZ大于 6伏的為正溫度系數。典型值為： A/Lx UO R + 10 8 6 4 2 0 Ip/μ A 50 200Lx 400LX 光照伏安特性光電二極管材料和結構：發光二極管由砷化鎵、磷化鎵等半導體材料組成。這個電池的電壓選定為二極管的門坎電壓 Vth，約為。一般手冊中給出的反向電壓是實際的一半。 2 摻雜后 N 型半導體中的自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 第二節典型數據如下 : PN結形成實質電容效應單向導電性圖 PN結的形成過程形成兩種載流子的兩種運動動態平衡時形成 PN結兩種運動：擴散（濃度差）漂移（電場力）漂移和擴散 ? 電子或空穴在電場的作用下定向移動稱為漂移如圖（ A）所示。 PN結的形成小結：濃度差 ? 多子擴散 ?空間電荷區 (雜質離子 ) ? 內電場 ? 促使少子漂移 ? 阻止多子擴散當多子擴散和少子漂移達到動態平衡，形成 PN結實質 PN結 =空間電荷區 =耗盡層 =內電場 =電阻單向導電性單向導電性： PN結正偏時導通（大電流）， PN結反偏時截止（小電流）。相當于二塊

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