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半導體二極管及其基本電路(編輯修改稿)

2026-06-15 12:03 本頁面

　

【文章內容簡介】 + 擴散運動內電場 E 內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬。 PN結處載流子的運動 3 漂移運動 P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ N型半導體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴散運動內電場 E 因此擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的厚度固定不變。 PN結正向偏置－－－－ + + + + 內電場減弱，使擴散加強，擴散 ? 飄移，正向電流大空間電荷區變薄 P N + 正向電流 PN結反向偏置－－－－ + + + + 空間電荷區變厚 N P + _ + + + + －－－－內電場加強，使擴散停止，有少量飄移，反向電流很小反向飽和電流很小， ?A級 PN結的單向導電性 PN結加上正向電壓或正向偏置的意思都是： P區加正、 N區加負電壓。 PN結加正向電壓導通 PN結加上反向電壓或反向偏置的意思都是： P區加負、 N區加正電壓。 PN結加反向電壓截止 23 半導體二極管基本結構 PN結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。 P N P N 符號陽極陰極二極管的實物二極管的實物二極管的實物伏安特性 vD iD 導通壓降：硅管 ~，鍺管 ~ 反向擊穿電壓 U(BR) 死區電壓：硅管，鍺管反向漏電流 IS 很小， ?A級 + i D v D R 今后約定為：硅管鍺管

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