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cmos集成電路工藝基礎(chǔ)(編輯修改稿)

2026-06-16 01:31 本頁(yè)面

　

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】散深度及濃度。 eDtN DtT xxP 4212)(2)( ?)1(3 10 15 cmN T ??2．離子注入 eN ppRxxN ]2[m a x 22)()( ??? ?σ p σ pN m a x0 Rp 深度 X硼原子數(shù)0 X ?其中：離子注入的分布有以下兩個(gè)特點(diǎn)： 1．離子注入的分布曲線形狀（ Rp， б p），只與離子的初始能量 E0有關(guān) 。并雜質(zhì)濃度最大的地方不是在硅的表面， X＝ 0處，而是在 X＝ Rp處。 Rp：平均濃度 ?p：穿透深度的標(biāo)準(zhǔn)差 Nmax=?p NT：單位面積注入的離子數(shù) ，即離子注入劑量 2．離子注入最大值 Nmax與注入劑量 NT有關(guān)。而 E0與 NT都是可以控制的參數(shù)。因此，離子注入方法可以精確地控制摻雜區(qū)域的濃度及深度。．淀積和刻蝕工藝淀積工藝主要用于在硅片表面上淀積一層材料，如金屬鋁、多晶硅及磷硅玻璃 PSG(隔離互連層 )等。、金屬化工藝淀積鋁也稱為金屬化工藝，它是在真空設(shè)備中進(jìn)行的。在硅片的表面形成一層鋁膜。 AL離子束w a f e r、淀積多晶硅 ? 淀積多晶硅一般采用化學(xué)汽相淀積（ LPCVD）的方法。利用化學(xué)反應(yīng)在硅片上生長(zhǎng)多晶硅薄膜。 ? 適當(dāng)控制壓力、溫度并引入反應(yīng)的蒸汽，經(jīng)過(guò)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，便可在硅表面淀積一層高純度的多晶硅。 ? 淀積 PGS與淀積多晶硅相似，只是用不同的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，這里不一一介紹了。采用在 700176。 C的高溫下，使其分解： SiH4????? ?? 2~4 27 0 0 0 HSiS iH C、刻蝕材料淀積上去后 ,為了形成線條、接觸孔、柵等圖形，需要通過(guò)刻蝕把不需要的地方腐蝕掉。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。、鈍化工藝 ?在集成電路制作好以后，為了防制外部雜質(zhì) ，如潮氣、腐蝕性氣體、灰塵侵入硅片，通常在硅片表面加上一層保護(hù)膜，稱為鈍化。 ? 目前，廣泛采用的是氮化硅做保護(hù)膜，其加工過(guò)程是在 450176。 C以下的低溫中，利用高頻放電，使和氣體分解，從而形成氮化硅而落在硅片上。 ????? ??? 24334 124 5 043 0 HNSiNHS iH C4SiN 3NH、光刻與腐蝕工藝 ?光刻工藝是完成在整個(gè)硅片上進(jìn)行開(kāi)窗的工作。 ?掩膜版和光刻膠：掩膜版：亮版和暗版 ?由掩膜工廠制造光刻膠：正膠和負(fù)膠 w a f e r m a s k光源?光刻過(guò)程如下： 1．涂光刻膠 2．掩膜對(duì)準(zhǔn) 3．曝光 4．顯影 5．刻蝕：采用

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