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掌二極管全面解析ppt課件(編輯修改稿)

2026-02-10 18:37 本頁面

　

【文章內(nèi)容簡介】 (BR) ID(mA) V(V) 反向擊穿時(shí)， PN結(jié)上電流過大，若時(shí)間過長而產(chǎn)生過熱就會(huì)產(chǎn)生熱擊穿而燒壞管子。（應(yīng)避免）利用 PN結(jié)的反向擊穿特性可制成穩(wěn)壓二極管。穩(wěn)壓管 ? 穩(wěn)壓二極管 UZ ID(mA) U(V) IZmin IZmax + UZ ? 利用 PN結(jié) 的反向擊穿特性，可制成穩(wěn)壓二極管。 ? 要求： Izmin Iz Izmax 穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) 穩(wěn)定電壓 UZ :在反向擊穿區(qū)時(shí)的穩(wěn)定工作電壓， UZ是根據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一。穩(wěn)定電流 IZ :是使穩(wěn)壓管正常工作時(shí)的參考電流，一般說來工作電流較大時(shí)穩(wěn)壓性能較好。動(dòng)態(tài)內(nèi)阻 rZ : rZ ＝ Δ U / Δ I ，其值越小越好。額定功耗 PZ : PZ ＝ UZ IZM 返回反向擊穿特性 ? 使用穩(wěn)壓管組成電路時(shí)需注意的幾個(gè)問題：某原因 UO? ? IZ?? ? I ? 限流電阻 R：保證穩(wěn)壓管工作在 Izmin~ Izmax之間穩(wěn)壓原理： UO? ? UR? UO= UZ 輸出電壓： D + + R RL IL UI UO IZ I 應(yīng)該給穩(wěn)壓管加反偏電壓，以保證工作于反向擊穿區(qū) 穩(wěn)壓管應(yīng)與負(fù)載電阻并聯(lián)以使輸出電壓穩(wěn)定。必須限制流過穩(wěn)壓管的電流 IZ，使其不超過規(guī)定值，以免因過熱而燒壞管子。返回穩(wěn)壓管返回反向擊穿特性四、 PN結(jié)的電容特性二極管（ PN結(jié)）除具有單向?qū)щ姟⒎聪驌舸┨匦酝?，?dāng)加在二極管上的電壓發(fā)生變化時(shí)，由于 PN結(jié)中儲(chǔ)存的電荷量也隨之發(fā)生變化，因此它還有一定的電容效應(yīng)，二極管的電容效應(yīng)包括兩部分，即擴(kuò)散電容 Cd 和勢壘電容 Cb 。其值都很小，一般為幾 PF~幾十 PF。在電子設(shè)備中，常把反偏的 PN結(jié)作壓控電容器使用 (變?nèi)荻O管）。勢壘區(qū)內(nèi)空間電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 ? 勢壘電容 Cb ? 擴(kuò)散電容 Cd 阻擋層外（ P區(qū)和 N區(qū)）貯存的非平衡電荷量 ,隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 PN結(jié)總電容： Cj = Cb + Cd （高頻工作時(shí)必須考慮） ? PN結(jié)正偏時(shí) ， Cd Cb ，則 Cj ≈ Cd 即以擴(kuò)散電容為主 ? PN結(jié)反偏時(shí) ， Cb Cd ，則 Cj ≈ Cb 即以勢壘電容為主半導(dǎo)體二極管一、晶體二極管結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)： P N 正極負(fù)極二、晶體二極管的基本特性（與 PN結(jié)類似）：單向?qū)щ娞匦? 二極管的伏安特性關(guān)系式： )1( TS ?? VVeII二極管的伏安特性曲線：工程上 VD(on) ＝ (V) (Si管）＝ (V) (Ge管）說明二極管是非線性器件返回分析方法晶體二極管電路分析方法晶體二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 就是一個(gè) PN結(jié) 。因而它們的伏安特性相似，它有不同的表示方法，或者表示為不同形式的模型： ? 適于任一工作狀態(tài)的通用曲線模型 ? 便于計(jì)算機(jī)輔助分析的數(shù)學(xué)模型直流簡化電路模型交流小信號(hào)電路模型 ? 電路分析時(shí)采用的晶體二極管的模型 ?數(shù)學(xué)模型 —伏安特性方程式 )1e( TS ?? VVII理想模型：

點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容

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