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半導體器ppt課件(編輯修改稿)

2026-02-17 18:23 本頁面

　

【文章內容簡介】。特殊二極管 42 發光二極管是一種將電能轉換為光能的半導體器件。它由一個 PN結構成 ,當發光二極管正偏時，注入到 N區和 P區的載流子被復合時，會發出可見光和不可見光。特殊二極管發光二極管 43 小功率管中功率管大功率管半導體三極管 44 基本結構與類型 NPN型基區發射區集電區發射結集電結發射極基極集電極 b e c 發射極箭頭的方向為電流的方向晶體管有三個極、三個區、兩個 PN結。 45 放大是對模擬信號最基本的處理。晶體管是放大電路的核心元件，它能夠控制能量的轉換，將輸入的任何微小變化不失真的放大輸出，放大的對象是變化量。晶體管的放大作用表現為小的基極電流可以控制大的集電極電流。共射放大電路 ??????（集電結反偏），即（發射結正偏）放大的條件BECECBonBE0 uuuUu 電流放大原理 46 ??????（集電結反偏），即（發射結正偏）放大的條件BECECBonBE0 uuuUu 擴散運動形成發射極電流 IE，復合運動形成基極電流 IB，漂移運動形成集電極電流 IC。少數載流子的運動因發射區多子濃度高使大量電子從發射區擴散到基區因基區薄且多子濃度低，使極少數擴散到基區的電子與空穴復合因集電區面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區的電子漂移到集電區基區空穴的擴散電流放大原理 47 IB B E C N N P VB RB Vcc IE IC IC BC II ??BBCE IIII )1( ?????晶體管實質上是一個電流控制器 C B OC E OBCBC)(1 1 IIiiII????????????穿透電流集電結反向電流直流電流放大系數交流電流放大系數電流分配關系 : 電流放大原理 48 電流放大作用的條件內部條件發射區多數載流子濃度很高；基區很薄，摻雜濃度很小；集電區面積很大，摻雜濃度低于發射區外部條件發射結加正向偏壓（發射結正偏）；集電結加反向偏壓（集電結反偏）。思考題：三極管發射極和集電極能否互換？電流放大原理 49 UCE IC + UBE IB + 實驗線路 mA ?A V V RB EC EB RC 特性曲線 50 1. 輸入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降：硅管UBE?~,鍺管UBE?~。死區電壓，硅管，鍺管。特性曲線 51 2. 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區域滿足 IC=?IB稱為線性區（放大區）。 IC只與 IB有關，IC=?IB。特性曲線 52 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區域中 UCE?UBE,集電結正偏，?IBIC， UCE?稱為飽和區。 2. 輸出特性特性曲線 53 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區電壓，稱為截止區。 2. 輸出特性特性曲線 54 輸出特性三個區域的特點 : (1)放大區：發射結正偏，集電結反偏。即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 飽和區：發射結正偏，集電結正偏。即： UCE?UBE ， ?IBIC， UCE? (3) 截止區： UBE 開啟電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 特性曲線 55 iC iB RB RC VCC vO vi + + 3. 三極管工作狀態判斷方法 ① 當 vBE ＜，截止 ≥，放大或飽和特性曲線 56 iC iB RB RC VCC vO vi + + 判斷方法： ② 當 vBC ＜ 0時，放大 ≥0時，飽和特性曲線 57 4V 0 0 0 4V 0 【例 1】判

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