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[理學]半導體基礎知識(編輯修改稿)

2026-03-17 23:10 本頁面

　

【文章內容簡介】電流與兩個 PN結外加電壓之間的關系的一種形式，其特點是能直觀，全面地反映晶體管的電氣性能的外部特性。 ? 晶體管的特性曲線一般用實驗方法描繪或專用儀器（如晶體管圖示儀）測量得到。 ? 晶體三極管為三端器件，在電路中要構成四端網絡，它的每對端子均有兩個變量（端口電壓和電流），因此要在平面坐標上表示晶體三極管的伏安特性，就必須采用兩組曲線簇，我們最常采用的是輸入特性曲線簇和輸出特性曲線簇。三極管 17 ? 輸入特性是指三極管輸入回路中，加在基極和發射極的電壓 UBE與由它所產生的基極電流 IB之間的關系。 ?（ 1） UCE = 0時相當于集電極與發射極短路，此時，IB和 UBE的關系就是發射結和集電結兩個正向二極管并聯的伏安特性。 ? 因為此時 JE和 JC均正偏， IB是發射區和集電區分別向基區擴散的電子電流之和。一、輸入特性曲線三極管 18 輸入特性曲線簇三極管 19 ?（ 2） UCE≥1V 即：給集電結加上固定的反向電壓，集電結的吸引力加強！使得從發射區進入基區的電子絕大部分流向集電極形成 Ic。 ? 同時，在相同的 UBE值條件下，流向基極的電流 IB減小，即特性曲線右移， ? 總之，晶體管的輸入特性曲線與二極管的正向特性相似，因為 b、 e間是正向偏置的 PN結（放大模式下）三極管一、輸入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降：硅管UBE?~,鍺管 UBE?~。 UCE=0V UCE = 門檻電壓，硅管，鍺管。三極管 21 二、輸出特性曲線 ? 輸出特性通常是指在一定的基極電流 IB控制下，三極管的集電極與發射極之間的電壓 UCE同集電極電流 Ic的關系。 ? 現在我們所見的是共射輸出特性曲線表示以 IB為參變量時， Ic和 UCE間的關系： ? 即 Ic= f(UCE)|IB = 常數 ? 實測的輸出特性曲線如圖所示：根據外加電壓的不同，整個曲線可劃分為四個區：放大區、截止區、飽和區、擊穿區三極管 22 二、輸出特性（放大區） IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區域滿足 IC=?IB稱為線性區（放大區）。當 UCE大于一定的數值時， IC只與 IB有關，IC=?IB。 23 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區域中 UCE?UBE,集電結正偏，?IBIC， UCE?稱為飽和區。二、輸出特性（飽和區） 24 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區域中 : IB≤0,IC=ICEO,UBE 門檻電壓，稱為截止區。二、輸出特性（截止區）輸出特性曲線簇輸出特性三個區域的特點 : (1)放大區

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