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foundry工廠專業名詞解釋—chapter1(編輯修改稿)

2026-06-09 22:25 本頁面

　

【文章內容簡介】為要作接線，其上得護層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到“開窗線”。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。　　23 BORON 硼自然元素之一。由五個質子及六個中子所組成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五個質子及五個中子所組成原子量是10（B10）。自然界中這兩種同位素之比例是4：1，可由磁場質譜分析中看出，是一種Ptype的離子（B 11＋），用來作場區、井區、VT及S/D植入。　　24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做為上下兩層絕緣之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step較平緩，以防止Metal line濺鍍上去后，造成斷線。　　25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩潰電壓反向PN接面組件所加之電壓為P接負而N接正，如為此種接法則當所加電壓通在某個特定值以下時反向電流很小，而當所加電壓值大于此特定值后，反向電流會急遽增加，此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定義反向P＋ N接面之反向電流為1UA時之電壓為崩潰電壓，在P＋ N或 N＋P之接回組件中崩潰電壓，隨著N（或者P）之濃度之增加而減小。　　26 BURN IN 預燒試驗「預燒」（Burn in）為可靠性測試的一種，旨在檢驗出哪些在使用初期即損壞的產品，而在出貨前予以剔除。預燒試驗的作法，乃是將組件（產品）至于高溫的環境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來雜質離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式（Failure Mode）提早顯現出來，達到篩選、剔除「早期夭折」產品之目的。預燒試驗分為「靜態預燒」（Static Burn in）與「動態預燒」（Dynamic Burn in）兩種，前者在試驗時，只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率，而后者除此外并有仿真實際工作情況的訊號輸入，故較接近實際狀況，也較嚴格。基本上，每一批產品在出貨前，皆須作百分之百的預燒試驗，馾由于成本及交貨其等因素，有些產品舊祇作抽樣（部分）的預燒試驗，通過后才出貨。另外對于一些我們認為它品質夠穩定且夠水準的產品，亦可以抽樣的方式進行，當然，具有高信賴度的產品，皆須通過百分之百的預燒試驗。　　27 CAD 計算機輔助設計 CAD：Computer Aided Design計算機輔助設計，此名詞所包含的范圍很廣，可泛稱一切計算機為工具，所進行之設計；因此不僅在IC設計上用得到，建筑上之設計，飛機、船體之設計，都可能用到。在以往計算機尚未廣泛應用時，設計者必須以有限之記憶、經驗來進行設計，可是有了所謂CAD后，我們把一些常用之規則、經驗存入計算機后，后面的設計者，變可節省不少從頭摸索的工作，如此不僅大幅地提高了設計的準確度，使設計的領域進入另一新天地。　　28 CD MEASUREMENT 微距測試 CD: Critical Dimension之簡稱。通常于某一個層次中，為了控制其最小線距，我們會制作一些代表性之量測圖形于晶方中，通常置于晶方之邊緣。簡言之，微距測量長當作一個重要之制程指針，可代表黃光制程之控制好壞。量測CD之層次通常是對線距控制較重要之層次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前較常用于測量之圖形有品字型，LBAR等。　　29 CH3COOH 醋酸 ACETIC ACID 醋酸澄清、無色液體、有刺激性氣味、℃、沸點118℃。與水、酒精、乙醚互溶。可燃。﹪以上之純化物，有別于水容易的醋酸食入或吸入純醋酸有中等的毒性，對皮膚及組織有刺激性，危害性不大，被濺到用水沖洗。　　30 CHAMBER 真空室,反應室專指一密閉的空間，常有特殊的用途：諸如抽真空、氣體反應或金屬濺度等。針對此特殊空間之種種外在或內在環境：例如外在粒子數（particle）、濕度及內在溫度、壓力、氣體流量、粒子數等加以控制。達到芯片最佳反應條件。　　31 CHANNEL 信道當在MOS晶體管的閘極上加上電壓（PMOS為負，NMOS為正），則閘極下的電子或電洞會被其電場所吸引或排斥而使閘極下之區域形成一反轉層（Inversion Layer），也就是其下之半導體Ptype變成Ntype Si，Ntype變成Ptype Si，而與源極和汲極，我們舊稱此反轉層為“信道”。信道的長度“Channel Length”對MOS組件的參數有著極重要的影響，故我們對POLY CD的控制需要非常謹慎。　　32 CHIP ,DIE 晶粒一片芯

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