太陽能發電系統成套設備生產項目可行性研究報告(編輯修改稿)

　

【文章內容簡介】 （4）中風化砂巖：棕色，中風化，稍濕，硬度4級5級，粉細砂質結構，塊狀構造，以粉細砂顆粒為主，鈣鐵質膠結，層理清楚，上部約3050cm強風化泥質砂巖。《工程勘察報告》對建筑場地內各地基土層工程性質評價如下：場地巖土層層序簡單、穩定，未發現區域地質構造及新構造的活動現象，區域地質條件較好，適宜進行本工程建設。（1）雜填土：工程力學性能差，均勻性差，厚度不均勻，埋藏于地表，不能作為該擬建物天然地基；（2）細砂：工程力學性能較好，厚度變化不大，可作為該天然地基；（3）卵石：工程力學性能良好，分布較穩定，埋藏深，是良好的樁基持力層；（4）中風化砂巖：工程力學性能良好，分布極為穩定，但埋藏深，位于地下水位井下，飽和含水，作為基礎持力層時施工難度較大。第5章 原材料供應及配套條件167。 原輔料供應167。 所需原材料及主要來源本項目所需原材料，其中占總額７０％的為多晶硅，其它的為熱場、石英坩堝、石墨件、硅多晶基、鋁漿、銀漿、平板玻璃、EVA膜、IPT膜等需從國外進口，其余由國內相關企業生產提供，占總額的３０％，詳見下表：原材料供應表序號原材料名稱供貨單位主要性能及用途1原始多晶硅宜昌南玻有限公司隨州硅料有限公司洛陽硅材料有限公司單晶棒太陽電池基片2．石英坩堝晶科能源有限公司拉晶３鋼絲切片４熱場石墨拉晶５．鋁漿美國太陽電池電極材料６．銀漿美國太陽電池電極材料７．深圳南方玻璃有限公司透光率90％平板玻璃法國、美國太陽能低鐵絨面專用玻璃167。 所需輔助材料本項目在生產過程中需消耗化學試劑、焊錫、焊帶、工業氣體、包裝材料等輔料，這些材料均來自市場采購。工序序號工序名稱所用輔材物品化學試劑氣體防化物品其他輔材1清洗制絨——2磷擴散3等離子體刻蝕————4去磷硅玻璃（去PSG)————5鍍減反射膜（PECVD）——1．石英吸筆6印刷及燒結————（正銀、背銀、背鋁）（正銀、背銀、背鋁）7測試包裝————167。 動力供電：由市政電網供應。供水：由市政供水網供水，本項目自來水主要用于設備冷卻循環水，可重復利用。供氣：公司自建壓縮空氣站。167。 物料貯存167。 原輔材料貯存原料的儲存量為7～l5天，貯存于廠房的原料倉庫內。167。 成品的貯存產品成品的貯存為7~20天的生產量，貯存于廠區的成品倉庫內。成品按用戶的要求包裝。167。 貯存控制本項目的原料、成品和包裝材料的貯存，均應按批號分存，建立嚴格的分發料制度，杜絕混批號而造成不必要的事故。第6章 單晶爐工藝及設備選型 晶體硅太陽能電池包括單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池。晶體硅太陽能電池具有效率高、生產工藝成熟、性能穩定、使用壽命長等特點，并且硅材料的來源廣泛，生產過程中無污染；因此，晶體硅太陽能電池一直以來都是太陽能電池的主流。發達國家的晶體硅電池以多晶硅為主，主要是單晶硅生產投資量大，用工多，工藝操作復雜，導致成本較高；與發達國家相比，我國具有生產太陽能單晶硅的比較優勢： ●我國單晶硅生產的單位投資量小，只有發達國家單位產能投資量的40%，和多晶硅投資相當，設備來源于國內，設備的供貨周期短、維修便捷、設備的備件價格低； ●我國生產單晶硅已經有40年的歷史，有成熟的生產工藝，有豐富的技術人員和技術工人，并且人工成本低；●單晶硅電池轉換效率一般比多晶硅電池搞1%，達到17~18%。單位售價高6%。由于以上原因，在我國生產單晶硅的成本和多晶硅鑄錠的成本相比差異較小，而單晶硅的轉化效率高這一優勢完全可以彌補該成本的增加，近幾年中國單晶硅公司的利潤率高于多晶硅公司，也驗證了這一判斷，從晶體硅電池薄片化的發展趨勢來看，單晶硅也比多晶硅有更多的開發潛力。項目流程；1）流程說明 1）原料分類 ；將各種原料按型號（P型或N型）分類，按電阻率分類。 2）原料檢驗 ；對分類過的原料抽檢，是否符合型號、電阻率分類的標準。 3）原料清洗 ；將原料表面氧化層、附著層清洗掉 4）烘干、包裝 ；將原料表面水分烘干，包裝。 5）原料入庫 ；原料入原料庫。 6）生產配料 根據合同產品的技術要求，計算所需加入參雜劑（硼合金或磷合金）數量，稱重后與多晶硅原料混合備用。 7）裝爐 將新石墨件或清理好的石墨件裝入爐內； 備好的料放入石英坩堝，裝入爐內； 關閉爐體。 8）設備抽真空 ；用真空泵將爐體抽成真空，真空度3Pa。 9）設備升溫 將設備升溫，并將多晶硅原料融化。 10）引晶、拉晶 用籽晶引晶，并逐漸放大到直徑要求范圍，等徑拉制單晶。 11）拆爐 ；當晶體拉制結束后，停爐、冷卻，并開始拆爐，取出單晶棒、石英坩堝及石墨件。 12）石墨件冷卻、清理 ；將拆出的石墨件冷卻并清理，備用。 13）爐膛清理 將爐膛內清理干凈。 14）單晶棒噴砂 ；用噴槍噴金剛砂，去掉單晶棒表面的氧化層。 15）檢驗、劃線 ；檢驗噴砂后的單晶棒電阻率，并劃線，標明切斷位置。 16）單晶棒切斷 ；在切斷位置將單晶棒切斷。 18）邊角料回收 ；將單晶棒加工過程中產生的頭尾料、邊皮料回收。 19）單晶切方 ；將單晶棒切成準方棒。 本項目采用北京京儀生產的MCZ6000C型軟軸單晶爐，是在惰性氣體環境中，以石墨電阻加熱器將硅半導體材料熔化，用直拉法生長無位錯單晶。設備及輔助系統投資20臺單晶爐 購買價1500萬元基建 6000M2 建設費400萬元 電力設施 150萬元其他設備設施 238萬元 籌辦費（含不可預見費） 118萬元總計投資資金： 2406萬元第7章 單晶切片生產工藝及設備選型 　　倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 　　倒角的主要設備：倒角機 　　研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。 　　研磨的設備：雙面研磨機 　　主要原料：研磨漿料(主要成份為氧化鋁，鉻砂，水)，滑浮液。 　　腐蝕：指經切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。 　　腐蝕的方式：(A)酸性腐蝕，是最普遍被采用的。酸性腐蝕液由硝酸(HNO3)，氫氟酸(HF)，及一些緩沖酸(CH3COCH，H3PO4)組成。 　　　　　　　　(B)堿性腐蝕，堿性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。　　拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。 　　拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。 　　拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在1020um； 　　　　　　　　精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 　　主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH(或KOH或NH4OH)組成，分為粗拋漿和精拋漿。 　　清洗：在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。 1，主要設備6臺切片機及配件 14，700，000元 2，輔助設備及設施 A，空壓機 22kw 冷卻干燥器 50hp G。P。S精密過濾器 060型 C2/8儲汽桶 合計 195，000元 B，冷凍冷卻裝置 300，000元 C，甩干機 210，000元 D，六工位清洗機 300，000元 E，烘箱 45，000元 F，砂漿攪拌機桶2臺15000*6 90，000元 G，QBY40抽漿泵 30，000元 H，UPS電源帶變壓器 150000*6 900，000 I，工裝 15，000元 J,裝棒手推車 15，000 元 K，裝線筒車 45，000元 M，安裝調試 180，000元 N，剖方機 6臺 900，000合計 17，925，000元第8章 太陽能電池片及組件生產工藝及設備選型167。 太陽能電池生產線工藝流程1. 清洗制絨工藝流程酸 洗清水漂洗擴 散制 絨 插片同時檢驗硅片外觀甩 干合格合格不合格不合格清水清洗倉 庫2. 擴散工藝流程接 片合格合格不合格不合格清 洗插 片上 槳擴 散下 槳方塊電阻,少子壽命測試卸 片刻 蝕3. 等離子體刻蝕工藝流程刻蝕去PSG合格插片不合格擴散4. 去PSG工藝流程酸洗去磷PECVD合格甩干不合格刻蝕5. PECVD工藝流程 去PSG 放片 鍍膜 收片 插片 不合格 合格 印刷 印刷正銀印刷背鋁、烘干印刷背銀、烘干PE燒結測試包裝6. 印刷燒結工藝流程7. 測試包裝工藝流程入 庫包 裝分選外觀測試效率備注：菱形符號代表所在工序進行過程質量檢查。各工序簡介如下： (1)、清洗制絨工藝流程將硅片插入片籃，通過弱堿腐蝕，表面形成絨面（如果硅片表面不干凈，制絨前先要經過超聲預清洗）。制絨后先經過清水漂洗，再通過氫氟酸和鹽酸酸洗，去除表面殘余的堿溶液，再次漂洗后，通過甩干的方法，得到干燥和潔凈的硅片表面，然后將硅片送入擴散工序。 (2)、擴散工藝流程先將硅片插入石英舟，再將石英舟放在碳化硅槳上，進入擴散爐進行高溫擴散（超過800℃）。擴散過程中，向爐中通入攜帶三氯氧磷的氮氣，同時通入氧氣。三氯氧磷在高溫下分解，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子通過磷硅玻璃向硅片表面和體內擴散，形成PN結。擴散后，將石英舟從槳上取下，待冷卻后，取下硅片，進行方塊電阻的抽檢，抽檢合格，則將硅片送入刻蝕工序。 (3)、等離子刻蝕工藝流程：先將整疊硅片整理對齊，放入刻蝕專用夾具，送入刻蝕機，通入CF4和O2，使得硅片邊緣一圈被刻蝕。刻蝕結束后，用冷熱探針測試硅片邊緣的PN型，以此確定刻蝕的完整性。檢驗合格后，將硅片插入塑料片籃，送入去PSG工序。 (4)、去PSG工藝流程硅片插入片籃后，先經過低濃度氫氟酸的清洗，和多次清水漂洗，再經過甩干，當硅片表面達到干燥和潔凈的要求后，送入PECVD工序。 (5)、PECVD工藝流程用吸筆將硅片從片籃中取出，然后放到石墨板上，石墨板進入PECVD腔體內進行鍍膜。在450℃下，硅烷和氨氣在等離子體作用下，分解成硅和氮原子，硅和氮原子在硅片表面沉積，形成一層氮化硅膜。鍍膜結束后，用石英吸筆將冷卻后的硅片從石墨板上取下，插入片盒，送入印刷工序。 (6)、印刷燒結工藝流程先在硅片一面印上背銀電極，經過低溫烘干后，再印上背鋁層，經過第二次低溫烘干后，再將硅片翻面印上正銀電極，然后通過低溫烘干和高溫燒結，使得電極嵌入表面，形成牢固的力學接觸和良好的電學連接。這道工藝后，電池的制造過程結束，最后電池被送入測試分選工序。 (7)、測試包裝工藝流程將電池冷卻至室溫，送入測試儀測試，測試后電池將被按照轉換效率或最大工作電流等參數進行分檔歸類。電池經過分選分類后，進行包裝，最后送入倉庫。167。 太陽能電池組件生產線工藝流程各工序簡介如下： (1)、分檢：由于電池片制作條件的隨機性，生產出來的電池