理學(xué)]模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版習(xí)題解答(編輯修改稿)

　

【文章內(nèi)容簡介】 出電壓波形底部失真對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)正半周失真，對(duì) PNP 管而言，管子進(jìn)入截止區(qū)，即產(chǎn)生了截止失真；減小 Rb。 22 已知 圖 所示電路中，晶體管 β=100， ber =。 (1)現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降 UCEQ=6V，估算 Rb； (2)若測得 iU? 和 oU? 的有效值分別為 1mV 和 100mV，則負(fù)載電阻 RL為多少？ 解 ： (1) mAR UVI c CECCC 2???， AII CB ?? 20/ ?? , ∴ ???? kI UVR B BECCb 565。 (2)由 ( // ) 100o c Lu i b eU R RA Ur?? ? ? ? ? ?, 可 得 : ??。 圖 在 圖 所示電路中 ， 設(shè)靜態(tài)時(shí) 2CQI mA? ， 晶體管飽和管壓降? 。試問：當(dāng)負(fù)載電 阻 LR?? 和 3LRk??時(shí) ， 電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？ 解： 由于 2CQI mA? ，所以 6CE Q CC CQ cU V I R V? ? ?。 空載時(shí)，輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。故 3 .8 22C E Q C E Som UUUV??? 3LRk??時(shí)，當(dāng)輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止 失真。故 39。 2 .1 22C Q Lom IRUV?? 電路如 圖 所示，晶體管 β=100， br? =100Ω。 (1)求電路的 Q 點(diǎn)、 uA? 、 iR 和 oR ； (2)若改用 β=200 的 晶體管 ，則 Q 點(diǎn)如何變化？ (3)若電容 Ce 開路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？ 23 解： (1)靜態(tài)分析： 112 2bB Q C CbbRU V VRR? ? ?? 1B Q B E QEQ feUUI m ARR???? 101 EQBQ IIA????? e( R ) 5 .7CE Q CC E Q c fU V I R R V? ? ? ? ? 圖 動(dòng)態(tài)分析：39。 26(1 ) 2 . 7 3b e b b EQmVr r kI?? ? ? ? ? ( // ) 7 .7(1 )cLu b e fRRA rR? ?? ? ? ??? 12// // [ (1 ) ] 3. 7i b b be fR R R r R k?? ? ? ? ? 5ocR R k? ? ? (2) β=200 時(shí)， 112 2bB Q C CbbRU V VRR? ? ?? （不變）； 1B Q B E QEQ feUUI m ARR???? （不變）； 51 EQBQ IIA????? （減?。? e( R ) 5 .7CE Q CC E Q c fU V I R R V? ? ? ? ?（不變）。 (3) Ce開路 時(shí)， ( // ) // 1 . 9 2( 1 ) ( )c L c Lu b e e f e fR R R RA r R R R R? ?? ? ? ? ? ?? ? ? ?（減?。?； 12// // [ ( 1 ) ( ) ] 4. 1i b b be e fR R R r R R k?? ? ? ? ? ?（ 增大）； 5ocR R k? ? ?（不變）。 電路如 圖 所示，晶體管的 β=80， ber =1kΩ。 24 (1)求出 Q 點(diǎn)； (2)分別求出 RL=∞和 RL=3kΩ時(shí)電路的 uA 、 iR 和 oR 。 解： (1)求解 Q 點(diǎn)： 3 2 .3(1 )C C B E QBQ beVUIARR ??????? (1 ) 2. 61E Q B QI I m A?? ? ? 7CE Q CC E Q eU V I R V? ? ? (2)求解放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻： RL=∞時(shí)； (1 ) 0 .9 9 6(1 )eu b e eRA rR? ?????? 圖 // [ (1 ) ] 110i b be eR R r R k?? ? ? ? ? RL=3kΩ時(shí) ； (1 ) ( // ) 0 . 9 9 2(1 ) ( // )eLu b e e LRRA r R R? ?????? // [ (1 ) ( // ) ] 76i b be e LR R r R R k?? ? ? ? ? 輸出電阻： //// 3 71s b b eoe R R rRR ??? ? ?? 電路如 圖 所示，晶體管的 β =60 , 39。 100bbr ??。 (1)求解 Q 點(diǎn)、 uA? 、 iR 和 oR (2)設(shè) Us = 10mV （有效值），問 ?iU? , ?oU? 若 C3 開路，則 ?iU? , ?oU? 解： (1) Q 點(diǎn)： 31(1 )C C B E QBQ beVUIARR ??????? Q BQI I m A??? 圖 25 ( ) 6CE Q CC E Q c eU V I R R V? ? ? ? uA? 、 iR 和 oR 的分析： 39。 26(1 ) 9 5 2b e b b EQmVrr I?? ? ? ? ?, ( // ) 95cLu beRRA r?? ? ? ? // 952i b beR R r? ? ? , 3ocR R k? ? ?。 (2)設(shè) Us = 10mV （有效值），則 3 .2iissiRU U m VRR? ? ??； 304o u iU A U m V? ? ? 若 C3 開路，則： // [ (1 ) ] b be eR R r R k?? ? ? ? ? ， // 1 .5cLueRRA R? ? ? ? 9 .6iissiRU U m VRR? ? ?? ， 14 .4o u iU A U m V? ? ? 。 改正 圖 所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波電壓。要求保留電路的共漏接法。 (a) (b) (c) (d) 圖 26 解： (a)源極加電阻 RS ； (b)漏極加電阻 RD； (c)輸入端加耦合電容； (d)在 Rg 支路 加 ?VGG， +VDD 改 為 ?VDD 改正電路如解圖 所示。 (a) (b) (c) (d) 解圖 已 知 圖 (a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖 (b)、 (c)所示。 (1)利用圖解法求解 Q 點(diǎn)； (2)利用等效電路法求解 uA? 、 iR 和 oR 。 (a) 27 (b) (c) 圖 解： (1)在轉(zhuǎn)移特性中作直線 GS D su i R?? ，與 轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為 Q 點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出 1 , 2D Q G SQI mA U V? ? ?。如 解圖 (a)所示。 (a) (b) 解圖 在輸出特性中作直流負(fù)載線 ()D S D D D d su V i R R? ? ?，與 2GSQUV?? 的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為 Q 點(diǎn)， 3DSQUV? 。如 解圖 (b)所示。 (2)首先畫出交流等效電路（圖略），然后進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。 ()2 1/DSDm U D S S D QG S G S o f fig I I m V VuU? ?? ? ?? 5u m dA g R? ? ? ?； 1igR R M? ? ?； 5odR R k? ? ? 已知 圖 (a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖 (b)所示。 28 求解電路的 Q 點(diǎn)和 uA 。 (a) (b) 圖 解： (1)求 Q 點(diǎn)： 根據(jù)電路圖可知， 3GSQ GGU V V??。 從轉(zhuǎn)移特性查得，當(dāng) 3GSQUV? 時(shí)的漏極電流： 1DQI mA? 因此管壓降 5D SQ D D D Q dU V I R V? ? ?。 (2)求電壓放大倍數(shù)： ∵()2 2/m D Q D OG S t hg I I m A VU??， ∴ 20u m dA g R? ? ? ? 電路如 圖 所示。 （ 1） 若輸出電壓波形底部失真，則可采取哪些措施？若輸出電壓波形頂部失真，則可采取哪些措施？ （ 2） 若想增大 uA ，則可采取哪些措施？ 解： （ 1） 輸出電壓波形底部失真，類似于 NPN 型三極管的飽和失真，應(yīng)降低 Q，故可減小 R2或增大 R RS；若輸出電壓波形頂部失真，則與上述相反，故可增大 R2或減小 R RS。 （ 2） 若想增大 uA ，就 要增大漏極靜態(tài)電流以增大 mg ，故可增大 R2 或減小 RRS。 圖 中的哪些接法可以構(gòu)成復(fù)合管？標(biāo)出它們等效管的類型（如 NPN 型、 PNP 型、 N 溝道結(jié)型? ? )及管腳 (b 、 e 、 c 、 d 、 g 、 s ) 。 29 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) 圖 解： (a)不能。 (b)不能。 (c)構(gòu)成 NPN 型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。 (d)不能。 (e)不能。 (f)構(gòu)成 PNP 型管，上端為發(fā)射極，中端為基極，下端為集電極。 (g)構(gòu)成 NPN 型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。 30 第 3 章 多級(jí)放大電路 自測題 一 、 現(xiàn)有基本放大電路： 根據(jù)要求選擇合適電路組成兩級(jí)放大電路。 (1)要求輸入電阻為 1kΩ至 2kΩ，電壓放大倍數(shù)大于 3000 ，第一級(jí)應(yīng)采用 ( A )，第 二級(jí)應(yīng)采用 ( A )。 (2)要求輸入電阻大于 10MΩ，電壓放大倍數(shù)大于 300 ，第一級(jí)應(yīng)采用 ( D )，第二級(jí)應(yīng)采用 ( A )。 (3)要求輸入電阻為 100kΩ~200kΩ，電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于 100 , 第一級(jí)應(yīng)采用 ( B )，第二級(jí)應(yīng)采用 ( A )。 (4)要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于 10 ，輸入電阻大于 10MΩ，輸出電阻小于 100Ω，第一級(jí)應(yīng)采用 ( D )，第二級(jí)應(yīng)采用 ( B )。 (5)設(shè)信號(hào)源為內(nèi)阻很大的電壓源，要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓 ，且1000ouiiUA I??， 輸出電阻 Ro＜ 100 ，第一級(jí)應(yīng)采用采用 ( C )， 第二級(jí)應(yīng) ( B )。 二、選擇合適答案填入空內(nèi)。 (1)直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是 ( C、 D )。 A．電阻阻值有誤差 B．晶體管參數(shù)的分散性 C．晶體管參數(shù)受溫度影響 D．電源電壓不穩(wěn) (2)集成放大電路采用直接 耦合方式的原因是 ( C )。 A．便于設(shè)計(jì) B．放大交流信號(hào) C．不易制作大容量電容 (3)選用差動(dòng)放大電路的原因 是 ( A )。 A．克服溫漂 B．提高輸入 電阻 C．穩(wěn)定放大倍數(shù) (4)差動(dòng)放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的 ( A )，共模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的 ( C )。 (5)用恒流源取代長尾式差動(dòng)放大電路中的發(fā)射極電阻，將使單端電路的 ( B )。 A．差模放大倍數(shù)數(shù)值增大 B．抑制共模信號(hào)能力增強(qiáng) C．差模輸入電阻增大 (6)互補(bǔ)輸出級(jí)采用共集形式是為了使 ( C )。 31 三 、