電子科技大學博士考試大綱(編輯修改稿)

　

【文章內(nèi)容簡介】 習和記憶2）神經(jīng)信息處理的研究方法包括：腦結(jié)構(gòu)的研究方法、腦功能的宏觀研究方法、腦功能的微觀研究方法、腦功能的介觀研究方法、建模和仿真參考書目《現(xiàn)代分子生物學》中的考試內(nèi)容如下：1）緒論包括：分子生物學研究的主要內(nèi)容、現(xiàn)狀和研究進展，基因組、功能基因組與生物信息學研究的研究進展2）染色體與DNA包括：染色體結(jié)構(gòu)的基本特征，原核生物和真核生物DNA復制的機制和特點，DNA的修復及DNA的轉(zhuǎn)座的原理3）生物信息的傳遞包括：RNA的轉(zhuǎn)錄的基本過程，RNA的剪接、編輯和化學修飾基本過程，原核生物與真核生物mRNA的特征，遺傳密碼的性質(zhì)，tRNA的三級結(jié)構(gòu)、功能及種類，核糖體的結(jié)構(gòu)及功能，蛋白質(zhì)合成、運轉(zhuǎn)和降解的過程和生物學機制4）分子生物學研究法包括：分子克隆操作常用的工具酶的特性、分子克隆常用的DNA載體的特點和用途，分子克隆的基本程序，基因敲除和定點誘變技術(shù)，基因組文庫和cDNA文庫的構(gòu)建方法和用途，蛋白質(zhì)分離純化與分析手段5）基因的表達與調(diào)控包括：原核和真核基因調(diào)控機制的類型、機制與特點，乳糖操縱子、色氨酸操縱子的基本組成與調(diào)控機制、轉(zhuǎn)錄后調(diào)控機制，真核生物的基因結(jié)構(gòu)與轉(zhuǎn)錄活性，真核基因的斷裂結(jié)構(gòu)，真核生物在DNA水平、RNA的加工成熟，翻譯等水平的調(diào)控6）疾病與人類健康包括：基因治療的主要方法與原理，反轉(zhuǎn)錄病毒與致癌基因的概念與的表達調(diào)控7）基因與發(fā)育包括：脊椎動物免疫系統(tǒng)，免疫球蛋白的概念、分子結(jié)構(gòu)、功能以及Ig基因重排與DNA的多樣性，人類HLA復合體，MHC分子的分布與功能，高等植物花發(fā)育的基因調(diào)控8）基因組學與比較基因組學包括：人類基因組學和后基因組學的發(fā)展和研究現(xiàn)狀，比較基因組學及功能基因組學研究主要內(nèi)容三、題型及分值名詞解釋：10%計算題：10%證明題：20%問答題：60%考試科目3001半導體物理考試形式筆試（閉卷）考試時間180分鐘考試總分100分一、總體要求 要求考生對半導體物理中的基本概念有深刻的理解，系統(tǒng)掌握半導體物理學的基礎(chǔ)理論，并能靈活應用基礎(chǔ)理論和基本概念去分析金屬/半導體接觸和金屬/絕緣體/半導體（MIS）結(jié)構(gòu)中的載流子分布、能帶狀況以及兩種結(jié)構(gòu)的電學性能，具有較強的分析問題和解決問題的能力。二、內(nèi)容1. 半導體中的電子狀態(tài) 1）了解半導體的三種常見晶體結(jié)構(gòu)即金剛石型、閃鋅礦和纖鋅礦型結(jié)構(gòu)；2）以及兩種化合鍵形式即共價鍵和離子鍵在不同結(jié)構(gòu)中的特點。3）了解電子的共有化運動；4）理解能帶不同形式導帶、價帶、禁帶的形成；5）導體、半導體、絕緣體的能帶與導電性能的差異；掌握本征激發(fā)的概念。6）了解半導體中電子的平均速度和加速度；7）掌握半導體有效質(zhì)量的概念、意義和意義；8）理解本征半導體的導電機構(gòu)；9）掌握半導體空穴的概念及其特點；10）理解典型半導體材料鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結(jié)構(gòu)。2． 半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級1） 掌握鍺、硅晶體中的淺能級形成原因，多子和少子的概念；2） 了解淺能級雜質(zhì)電離能的計算；了解雜質(zhì)補償作用及其產(chǎn)生的原因；3） 了解鍺、硅晶體中深能級雜質(zhì)的特點和作用；4） 了解等電子陷阱、等電子絡(luò)合物以及兩性雜質(zhì)的概念；5） 了解缺陷（主要是兩類點缺陷弗侖克耳缺陷和肖脫基缺陷）、位錯（一種線缺陷）施主或受主能級的形成。 3． 熱平衡時半導體中載流子的統(tǒng)計分布1） 掌握狀態(tài)密度，費米能級的概念；2） 掌握載流子的費米統(tǒng)計分布和波爾茲曼統(tǒng)計分布；3） 掌握本征半導體的載流子濃度和費米能級公式推導和計算；4） 掌握非簡并半導體載流子濃度和費米能級公式推導和計算、雜質(zhì)半導體的載流子濃度以及費米能級隨摻雜濃度以及溫度變化的規(guī)律；5） 了解簡并半導體及其簡并化條件。4． 半導體的導電性1） 了解載流子的熱運動特點；2） 掌握遷移率、電導率、雜質(zhì)散射、晶格散射等概念；3） 重點掌握載流子的漂移運動；4） 理解載流子的散射理論；5） 遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系等；6） 了解強電場效應、多能谷散射。5． 非平衡載流子1） 了解非平衡載流子；2） 理解非平衡載流子的注人與復合；3） 掌握非平衡載流子的壽命；4） 掌握準費米能級；5） 掌握復合機理；6） 了解陷階效應；7） 掌握載流子的擴散運動及其計算；8） 掌握愛因斯坦關(guān)系；9） 解連續(xù)性方程。6． 金屬和半導體的接觸1） 理解功函數(shù)的概念；2） 理解肖特基勢壘高度；3） 掌握金屬和半導體接觸的整流理論；4） 理解少數(shù)載流子的注人；5） 理解歐姆接觸；6） 理解鏡像力降低效應；7） 理解鏡像力降低效應；8） 理解歐姆接觸和隧道效應7． 半導體表面與MIS結(jié)構(gòu) 1）掌握表面電場效應；2）理解表面態(tài)；3）掌握MIS結(jié)構(gòu)的電容一電壓特性；4）理解硅一二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)；三、題型及分值1. 簡答題（20分）2. 分析說明題（10分）3. 作圖題（20分）4. 證明題（15分）5. 計算題（35分）考試科目3002材料化學考試形式筆試（閉卷）考試時間180分鐘考試總分100分一、總體要求基本概念清楚，熟悉基本公式并能熟練應用。二、內(nèi)容1． 掌握熱力學第一定律、卡諾循環(huán)、化學反應熱的計算、基爾霍夫定律；2． 掌握熱力學第二、三定律、各熱力學函數(shù)的計算、各熱力學函數(shù)的關(guān)系、克拉貝龍方程及其應用、多組分體系的偏摩爾量及化學勢；3． 掌握理想、非理想氣體、溶液化學勢的計算、稀溶液化學勢的應用；4． 掌握相律及相平衡的基本原理、二、三組分體系相圖的識別；5． 掌握不同化學平衡常數(shù)表示法之間的關(guān)系、不同條件對化學平衡的影響關(guān)系；6． 掌握摩爾電導率與溶液濃度的關(guān)系、離子獨立移動定律、電導測定的應用；電解質(zhì)平均活度及活度系數(shù)的計算；7． 掌握可逆電池的熱力學、可逆電池電動勢計算及其應用；8． 掌握超電勢的原理及計算、溶液中不同成分的分離原理；9． 掌握簡單級數(shù)反應動力學方程及應用、三種復雜反應的動力學方程、阿侖尼烏斯公式及其應用、直鏈反應歷程的驗證、光化學及催化化學反應動力學；10． 掌握彎曲表面的附加壓力及蒸氣壓的計算、固體表面的吸附、氣－固表面催化反應動力學；11． 膠體化學的基本知識。三、題型及分值比例簡答題（40分）計算題（60分）考試科目3003電磁理論考試形式筆試（開卷）考試時間180分鐘考試總分100分一、總體要求掌握電磁場與波的物理及數(shù)學基礎(chǔ)，包括電磁理論的基本定律、電磁波的基本知識、求解電磁場與電磁波問題的基本數(shù)學方法、導波場論基礎(chǔ)、計算電磁學基本理論等。二、內(nèi)容1. 宏觀電磁理論的基本定律掌握麥克斯韋方程基本形式和復數(shù)形式、邊界條件、時域波動方程和頻域波動方程、瞬時之的坡印廷定理和復數(shù)坡印廷定理、電磁場的矢量位函數(shù)和標量位函數(shù)、唯一性定理、對偶定理、鏡像原理、互易定理、等效原理等；2. 電磁波基礎(chǔ)掌握簡諧均勻平面電磁波在不導電和導電媒質(zhì)中的傳播、電磁波的偏振形態(tài)、電磁波的反射與透射中的斯奈爾定律、菲涅耳定律、布儒斯特角、全反射和臨界角、電磁波入射到導體和介質(zhì)的反射和透射、電磁波的阻抗變換和微波或光學涂層等；掌握電磁波的傳輸線模擬的電報方程、無損傳輸線上的反射、駐波和阻抗、電磁波網(wǎng)絡(luò)模擬的網(wǎng)絡(luò)矩陣和網(wǎng)絡(luò)參量、雙端口網(wǎng)絡(luò)、基本電路原件的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、電磁波在多層媒質(zhì)界面上反射與透射的阻抗變換器的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)；掌握時變場問題的唯一性定理、正交曲坐標系中矢量亥姆霍茲方程的求解、亥姆霍茲方程的的邊界條件、分離變量法、柱形系統(tǒng)中的電磁波、矩坐標系中標量亥姆霍茲方程的解、圓柱坐標系中標量亥姆霍茲方程的解、求坐標系中標量亥姆霍茲方程的解、矢量本征函數(shù)和正態(tài)模式、亥姆霍茲方程復雜邊值問題的近似解等；掌握金屬波導的傳輸特性、波阻抗和電磁波的衰減、諧振腔的固有頻率、損耗和品質(zhì)因數(shù)、矩坐標系下的矩形波導、雙平行板傳輸線和矩形諧振腔、圓柱坐標系的扇形截面波導和諧振腔、同軸線和同軸諧振腔、源波導和圓柱諧振腔、球坐標系的球形諧振腔、微擾原理；掌握慢波系統(tǒng)的主要特性、周期系統(tǒng)中場分布的特點、周期系統(tǒng)的色散特性和耦合阻抗等基本概念，了解平板褶皺表面結(jié)構(gòu)、盤荷波導等典型周期結(jié)構(gòu)以及螺旋線等典型慢波系統(tǒng)的分析方法。 （矩量法、時域有限差分法、有限元法）掌握矩量法的基本原理和過程——算子方程、基函數(shù)和權(quán)函數(shù)等、積分方程的推導、一維線散射和二維散射體的散射問題，了解快速多極子方法的基本原理；掌握差分的基本概念、FDTD的Yee網(wǎng)格和蛙跳格式、網(wǎng)格數(shù)值色散、穩(wěn)定性分析、Mur吸收邊界條件、平面波源的設(shè)置、時域近場遠場變換技術(shù)，了解PML吸收邊界條件；掌握變分原理、標量場的有限元法邊值問題的構(gòu)建；了解矢量場的有限元法邊值問題的構(gòu)建、時域有限元方法。三、題型及分值比例綜合題：共5題，每題20分，總分100分。（“物理電子學”和“等離子物理”考生需掌握上述6考點，“無線電物理”考生需掌握上述7考點。）考試科目3004電動力學考試形式筆試（開卷）考試時間180分鐘考試總分100分一、總體要求考查學生對電動力學基本內(nèi)容的理解程度和解決電磁學問題所必需的數(shù)學物理方法的掌握程度。二、內(nèi)容1. 數(shù)學準備知識（矢量分析和場論） 2. 電磁現(xiàn)象的普遍規(guī)律 掌握麥克斯韋方程組的導出；理解介質(zhì)中的電磁性質(zhì)方程，電磁場與電荷體系的能量守恒與能量轉(zhuǎn)換，電磁能量密度、能流密度和電磁動量密度的概念；理解并掌握麥克斯韋方程組（包括介質(zhì)中的麥克斯韋微分方程組），邊值關(guān)系以及洛侖茲力公式。 3. 靜電問題理解靜電場的標勢、靜電標勢的微分方程與邊值關(guān)系、靜電場的唯一性定理以及電勢的多極展開；重點掌握處理靜電問題的方法：（1）分離變量法（定解問題、Laplace方程的求解）、（2）鏡像法（鏡像法的解題依據(jù)、鏡像法的解題步驟）；（3）格林函數(shù)法（了解）。4. 靜磁問題理解靜磁場的磁矢勢、磁標勢；理解穩(wěn)恒電流磁場的能量；了解磁多極矩；重點掌握描述靜磁場的兩種方法：（1）引入磁矢勢結(jié)合磁矢勢微分方程，用類似于靜電場的方法求解靜磁場；（2）引入磁標勢并利用假想磁荷的概念建立磁標勢所滿足的方程，用類似求解靜電場的方法求解靜磁場。 5. 電磁波的傳播 了解全反射；理解平面單色電磁波在介質(zhì)分界面和導體表面的反、折射定律；重點掌握迅變電磁場的波動性和平面單色電磁波在真空、介質(zhì)和導體中傳播的規(guī)律；掌握波導管、諧振腔中電磁場的基本求解方法。6. 電磁波的輻射 掌握用矢勢和標勢描述電磁場；理解規(guī)范變換與規(guī)范不變性、Lorentz規(guī)范、推遲勢（重點理解）和電磁動量的概念；重點掌握偶極子的輻射場。7. 狹義相對論 了解相對論的實驗基礎(chǔ)；重點掌握狹義相對論的基本原理以及Lorentz變換、相對論的時空觀（同時的相對性、Einstein時鐘延緩、Lorentz收縮、因果律）；掌握相對論的四維協(xié)變形式，電動力學的相對論不變性及相對論動力學。8. 帶電粒子和電磁場的相互作用掌握用矢勢和標勢描述任意運動帶電粒子的電磁場；理解切倫柯夫輻射的物理機理；理解自場對帶電粒子的反作用及電磁質(zhì)量、輻射阻尼的概念；掌握電磁波的散射和吸收；了解經(jīng)典電動力學的局限性。三、題型及分值比例簡答題：20%計算題：80%考試科目3006電子測試技術(shù)及儀器考試形式筆試（閉卷）考試時間180分鐘考試總分100分一、總體要求全面掌握各種電參量的測量方法、電子測量儀器的組成原理、自動測試技術(shù)，以及測試信號處理與分析方法，具備在測試領(lǐng)域進行科學研究所必須的專業(yè)知識。二、內(nèi)容1．測量誤差及數(shù)據(jù)處理（1）測量誤差的分類、估計和處理：隨機誤差、系統(tǒng)誤差、粗大誤差。（2）測量結(jié)果的處理步驟，等精度測量和不等精度測量；（3）測量不確定度概念和分類，標準不確定度的A類評定方法和B類評定方法；測量不確定度的評定步驟；（4）測量數(shù)據(jù)的表示方法：一元線性回歸法、端點法、平均選點法、最小二乘法。（1）測量的基本概念、基本要素，測量的基本原理。（2）電子測量的實現(xiàn)原理：變換、比較、處理、顯示技術(shù)。（2）計量的基本概念，單位和單位制，基準和標準，量值的傳遞準則。（3）電子測量的基本對象，測量系統(tǒng)的靜態(tài)特性與動態(tài)特性。3．測試信號的處理與分析方法（1）測試信號的時域分析與處理。（2）測試信號的頻域分析與處理。（3）信號的相關(guān)分析。（4）信號濾波與信號重構(gòu)。4．基本電參量的測量（1）電壓、電流、電阻、功率標準。（2）數(shù)字電壓表的測量原理及主要性能指標；檢波實現(xiàn)AC—DC轉(zhuǎn)換原理；電流、電壓、阻抗（AVO）變換技術(shù)；A/D轉(zhuǎn)換原理：逐次逼近比較式、單斜式雙斜積分式、三斜積分式。（3）交流電壓的基本參數(shù)，串模干擾和共模干擾的概念和抑制措施。（4）阻抗定義及表示方法，電阻器、電容器、電感器的電路模型，元件參數(shù)的測量原理和方法概述，儀器分類，水平及應用。（5）阻抗的模擬測量法：電壓電流法、電橋法、諧振法、變換法（Ω一f，Ω一T），Q值測量；阻抗的數(shù)字測量法原理，數(shù)字LCR測量儀。（6）功率測量的基本方法。5．時間與頻率的測量（1）時間、頻率的基本概念、時間與頻率標準。（2）頻率和時間的數(shù)字測量原理和模擬測量原理。（3）電子計數(shù)器的組成原理，誤差分析。（4）高分辨時間和頻率測量技術(shù)：閘門同步測量技術(shù)、內(nèi)插法、游標法。（5）微波頻率測量技術(shù)，變頻法、置換法。6．信號波形測量（1）模擬示波器的組成，CRT顯示原理，垂直系統(tǒng)和水平系統(tǒng)電路原理；（2）實時取樣和等效取樣原