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南昌大學本科生畢業論文書寫樣式(編輯修改稿)

2025-08-31 14:36 本頁面

　

【文章內容簡介】（四號Times New Roman 體）GaN based ⅢⅤ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten panies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia pany in Japan first realized the mercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a homemade atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation dens

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