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半導體制造工藝第4章氧化(編輯修改稿)

2026-03-19 04:30 本頁面

　

【文章內容簡介】 Si)結構，所以與光刻膠的粘附性能良好，不易產生浮膠現象。2)水汽氧化速度較快，但由于水汽的進入，使得氧化層中大量的橋鍵氧裂變為非橋鍵氧的烴基，所以氧化層結構疏松，質量不如干氧氧化的好，特別是其表面是極性的硅烷醇，它極易吸附水，極性的水不易沾潤非極性的光刻膠，所以氧化層表面與光刻膠粘附性差。　氧化膜的質量控制3)濕氧氧化兼有干氧氧化與水汽氧化兩種作用，因此其氧化速度及氧化層質量介于干氧氧化及水汽氧化之間。　氧化工藝模擬　概述為了得到良好的器件和集成電路性能，必須要選擇合適的工藝過程和優化的工藝條件。如果在工藝流水線上通過工藝性實驗流片來確定合適的工藝條件，往往需要花費很長的周期和很高的成本，有時還不能得到預期的效果。而此時如果用軟件來進行模擬就可以很好地改善這一問題。　工藝模型不同的工藝過程對應不同的工藝模型，工藝模型就是用數學方法表示工藝過程，目前的很多模型都是經驗公式。工藝模型的好壞直接影響工藝模擬的結果和精度，因此是工藝模擬的關鍵。　工藝模擬器簡介目前提供工藝模擬器的主要廠家有 Synopsys和 Sivaco公司。　氧化工藝模擬 TCAD系統(1)Device模塊組　此模塊作為業界標準器件的仿真工具，可以用來預測半導體器件的電學、溫度和光學特性，通過一、二、三維的方式對多種器件進行建模，包括 MOSFET、 Strain Silicon、 SiGe、BiCMOS、 HBT、 IGBT等，從簡單的二極管、晶體管到復雜的CMOS器件、光電器件、功率器件、射頻器件、存儲器件等都有準確的模型。(2)Process模塊組　 Process是業界標準的工藝仿真工具，可以對 IC生產工藝進行優化以縮短產品開發周期和產品定型。(3)Device Editor模塊組　此模塊具有三個操作模式：二維器件編輯，三維器件編輯和三維工藝流程模擬。　氧化工藝模擬(4)Workbench模塊組　此模塊集成了 Synopsys的 TCAD各模塊工具的圖形前端集成環境，用戶可以通過圖形界面來進行半導體研究及其制備工藝模擬和器件仿真的設計、組織和運行，使用戶可以很容易建立 IC工藝流程，以便 TCAD進行模擬，還可以繪制器件的各端口電學性能等重要參數。 TCAD系統　 Athena基礎 Athena工藝模擬器是目前比較常用的工藝模擬器。1)每一個語法命令占用一行，如果一行放不下，結尾處用一個加號“+”表示繼續下一行；每一行不超過 80個字符。2)大部分命令的參數要按照一定的順序。　氧化工藝模擬3)兩行之間的空行和參數之間的多余的空格會忽略掉。4)以符號 “”開頭的行是注釋行。5)輸入文件可以包含英文大小寫，且不區分大小寫 (特殊字符除外 )。(1)結構和格點初始化語句　結構和格點初始化語句用于定義初始結構的尺寸、邊界、格點密度和材料類型。1)：規定初始格點的網格參數。2)boundary：規定矩形格點與空氣的邊界。3)initialize：設置初始格點、材料的類型及摻雜條件。4)line：規定矩形擬合時的 x和 y方向位置。5)region：規定矩形網格和材料的區域。　氧化工藝模擬(2)結構和網格處理語句　結構和網格處理語句主要控制結構的幾何結構和屬性以及產生輸出文件的類型。1)：啟動自適應網格劃分算法。2)：設定自適應網格劃

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