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開關(guān)電源前端emc概述-資料下載頁(yè)

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【正文】系 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 31 03:57:57 4. 典型應(yīng)用該五端器件有兩個(gè)輸入端、兩個(gè)輸出端和一個(gè)接地端，使用時(shí)外殼應(yīng)接通大地。電路中包括共模扼流圈（亦稱共模電感） L、濾波電容 C1～ C4。 L對(duì)串模干擾不起作用，但當(dāng)出現(xiàn)共模干擾時(shí)，由于兩個(gè)線圈的磁通方向相同，經(jīng)過(guò)耦合后總電感量迅速增大，因此對(duì)共模信號(hào)呈現(xiàn)很大的感抗，使之不易通過(guò)，故稱作共模扼流圈。它的兩個(gè)線圈分別繞在低損耗、高導(dǎo)磁率的鐵氧體磁環(huán)上，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，兩個(gè)線圈上的磁場(chǎng)就會(huì)互相加強(qiáng)。 L的電感量與 EMI濾波器的額定電流 I有關(guān)，參見表 1。需要指出，當(dāng)額定電流較大時(shí)。共模扼流圈的線徑也要相應(yīng)增大，以便能承受較大的電流。此外，適當(dāng)增加電感量，可改善低頻衰減特性。 C1和 C2采用薄膜電容器，容量范圍大致是～，主要用來(lái)濾除串模干擾。 C3和 C4跨接在輸出端，并將電容器的中點(diǎn)接地，能有效地抑制共模干擾。 C3和 C4亦可并聯(lián)在輸入端，仍選用陶瓷電容，容量范圍是 2200pF～。為減小漏電流，電容量不得超過(guò) ，并且電容器中點(diǎn)應(yīng)與大地接通。 C1～ C4的耐壓值均為 630VDC或 250VAC XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 32 計(jì)算 EMI濾波器對(duì)地的漏電流 ILD=2π f C Vc （ 3）式中， ILD為漏電流， f是電網(wǎng)頻率。以上圖為例，f=50Hz， C=C3+C4=4400pF， Vc是 C C4上的壓降，亦即輸出端的對(duì)地電壓，可取 Vc≈220V/2=110V。由（ 3）式不難算出，此時(shí)漏電流 ILD=。 C3和 C4若選 4700pF，則 C=4700pF 2=9400pF， ILD=。顯然，漏電流與 C成正比。對(duì)漏電流的要求是愈小愈好，這樣安全性高，一般應(yīng)為幾百微安至幾毫安。在電子醫(yī)療設(shè)備中對(duì)漏電流的要求更為嚴(yán)格。使用條件：使用條件包括兩方面內(nèi)容：可靠性和電磁兼容性。以前只注意可靠性，現(xiàn)在由于環(huán)境保護(hù)意識(shí)增強(qiáng)，必須注意電磁兼容性。 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 33 03:57:57 圖示出一種兩級(jí)復(fù)合式 EMI濾波器的內(nèi)部電路，由于采用兩級(jí)（亦稱兩節(jié)）濾波，因此濾除噪聲的效果更佳。針對(duì)某些用戶現(xiàn)場(chǎng)存在重復(fù)頻率為幾千赫茲的快速瞬態(tài)群脈沖干擾的問(wèn)題，國(guó)內(nèi)外還開發(fā)出群脈沖濾波器（亦稱群脈沖對(duì)抗器），能對(duì)上述干擾起到抑制作用。 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 34 XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 35 在開關(guān)電源中，主要的 EMI騷擾源是功率半導(dǎo)體器件開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的 dv/dt和 di/dt，因而電磁發(fā)射 EME（ Electromagic Emission）通常是寬帶的噪聲信號(hào)，其頻率范圍從開關(guān)工作頻率到幾 MHz。所以，傳導(dǎo)型電磁環(huán)境（ EME）的測(cè)量，正如很多國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定，頻率范圍在～ 30MHz。設(shè)計(jì) EMI濾波器，就是要對(duì)開關(guān)頻率及其高次諧波的噪聲給予足夠的衰減。基于上述標(biāo)準(zhǔn)，通常情況下只要考慮將頻率高于 150kHz的 EME衰減至合理范圍內(nèi)即可。總結(jié) XI’AN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Thank you!

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