材料分析方法ppt課件(2)-資料下載頁

　　

【正文】 g2?b = 0說明 b平行于 g1 和 g2所對應的晶面 (h1k1l1)和 (h2k2l2)的交線，聯立方程可求出位錯布氏矢量 b 的方向第七節 晶體缺陷分析44二、位錯 表 104 是面心立方晶體全位錯的 g?b值表，可借助表中數據測定位錯布氏矢量操作反射gg?b[110]/2 [110]/2 [101]/2 [101]/2 [011]/2 [011]/2 1 1 11 1 1 1 1 1 1 1 1 2 0 0 0 2 0 0 0 2100111001101101010101010110111000110011011表 104 面心立方晶體全位錯的 g?b值第七節 晶體缺陷分析45二、位錯 圖 1121 刃型位錯襯度的產生及其特征第七節 晶體缺陷分析46二、位錯 當 g ?b ? 0時， 位錯線顯示襯度，下面以韌性位錯為例說明其襯度的產生及其特征，見圖 1121位錯線 D處插入的半原子面為 (hkl) ，因局部畸變使其的兩側的 (hkl) 取向向相反方向偏轉， 而引入附加的偏離參量 s?，在位錯線左側 s?? 0，在位錯線右側 s??0，如圖 1121a圖 1121 刃型位錯襯度的產生及其特征第七節 晶體缺陷分析47二、位錯調整晶體取向，使位錯線 (D)處及遠離位錯線 (A、 C)處 (hkl)略偏離布拉格條件， 且偏離參量 s0 ?0， 用 (hkl)操作反射成像，將在 s0+s?=0的 (D?)位置；獲得最大衍射強度 ，見圖 1020b因此，位錯線的像出現在 D?處， 位錯線像寬約 10nm； 偏離實際位置的距離也約為 10nm，見圖 1020c圖 1121 刃型位錯襯度的產生及其特征第七節 晶體缺陷分析48二、位錯 因位錯線附近某位置滿足布拉格條件，而獲得最高衍射強度，在明場像中位錯像顯示為暗線條 ，暗場像中位錯像為亮線條，見圖 1122圖 1122 亞晶界位錯的衍襯像a) 明場像 b) 暗場像第七節 晶體缺陷分析b)a)49二、位錯圖 1123a是金屬在變形過程中因位錯纏結而形成的位錯胞，圖 1123b是位錯滑移受晶界阻礙形成的位錯塞積圖 1123 位錯的衍襯像a) 位錯纏結形成的位錯胞 b) 晶界處的位錯塞積第七節 晶體缺陷分析b)a)50三、第二相粒子 當第二相粒子和基體保持共格或半共格且有錯配度時，使相界面附近的基體產生晶格畸變，參見圖 1124。 這種畸變也可用缺陷的位移矢量 R描述，會產生類似晶體缺陷的襯度 因此稱其為 應變襯度 。又因為這種襯 度產生于基體，故又稱 基體襯度 應變襯度比較復雜，其特征取決于第 二相粒子的形狀及其應變場的強度分 布，目前對球形粒子引起的徑向對稱 的應變場研究較透徹，球形粒子的應 變襯度見圖 1125圖 1124 球形粒子引起的應變場第七節 晶體缺陷分析51三、第二相粒子 如圖 1125所示，球形粒子的應變襯度蝶狀， 中間總是存在一條無襯度線，無襯度線的方向與操作反射 g垂直，說明對應位置的位移矢量 R與操作反射 g垂直，因滿足 g ?R = 0，而不 顯示襯度 若改變操作反射 g 的方 向，無襯度線的方向也 隨之改變，總保持與操 作反射 g 垂直，這是球 形粒子應變襯度的主要 特征圖 1125 球形第二相粒子的應變襯度無襯度線第七節 晶體缺陷分析52三、第二相粒子 第二相粒子自身所產生襯度稱 沉淀物襯度 ，主要包括：1) 取向襯度 第二相和基體因滿足布拉格條件的程度存在差 別 ，導致衍射束強度的差別 而產生的襯度 ， 稱為取向襯度 取向襯度的特征 是第二相顯示均 勻的亮或均勻的暗 這種第二相的晶體結構通常和基 體有較大差別，會出現其衍射斑 點，利用第二相的衍射束成暗場 像，以顯示第二相的形態，這是 一種常用的分析技術圖 1126 鋁合金中第二相的取向襯度第七節 晶體缺陷分析53三、第二相粒子1) 取向襯度 圖 1127是分別用三個不同取向的 ??相衍射束獲得的暗場像，以顯示不同取向的 ??相的形狀、大小和分布圖 1127 高溫合金中 ??相的暗場像12 3暗場 1暗場 3暗場 2衍射花樣第七節 晶體缺陷分析54四、第二相粒子2) 結構因子襯度 當 第二相和基體的結構因子存在差別 時，也 會導致衍射束強度出現差別， 第二相 顯示出不同于基體的 襯度 ， 稱為結構因子襯度 顯示結構因子襯度的第二相往 往與基體的晶體結構相同，如 圖 1128是鋁合金中 衍 襯像，照片中彌散分布的細小 顆粒即為 ，其襯度來源 為結構因子襯度圖 1128 第七節 晶體缺陷分析5