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2026-04-26 07:06本頁面

　　

【正文】 3種類型， CMOS 電路是目前應用最廣泛的一類。幾乎所有超大規模集成器件，如超大規模存儲器件 \可編程器件等都采用 CMOS工藝制造。單極型集成電路 , 電壓控制型器件 , 工作時只有一種載流子參與導電，輸入阻抗高，溫度穩定性好。結型場效應管 JFET 絕緣柵型場效應管 MOS 場效應管有兩種 : N溝道 P溝道耗盡型增強型耗盡型增強型 MOS絕緣柵場效應管（ N溝道）（ 1）結構 P G S D P型基底兩個 N區 SiO2絕緣層金屬鋁 N導電溝道未預留 ? N溝道增強型預留 ? N溝道耗盡型 N N （ 2）邏輯符號 P溝道增強型 G S D G S D N溝道增強型柵極漏極源極 NMOSFET： VGS≥ VTN(+2V)，形成溝道，等效開關接通； VGS＜ VTN(+2V)，溝道夾斷，等效開關斷開。 G S D VDD PMOSFET: VGS≤ VTP(－ 2V)，形成溝道 ,等效開關接通； VGS＞ VTP(－ 2V)，溝道夾斷，等效開關斷開。溝道導通內阻小于 1K，相對于外電路可以忽略。 G S D VDD 一、 CMOS非門 T1 T2 UO Ui G S D VDD G S D (1)若 Ui=0 VGS1=0VTN 所以 T1截止； VGS2= VDDVTP 所以 T2導通。 UO=“1”=VDD (2)若 Ui=+5V=VDD VGS1=+5VVTN 所以 T1導通； VGS2=0VVTP 所以 T2截止。 UO=“0” T1 T2 UO Ui G S D VDD G S D T1 T2 驅動管串聯連接， T3 T4 負載管并聯連接。 0 0 OFF OFF ON ON 1 0 1 ON OFF OFF ON 1 1 0 OFF ON ON OFF 1 1 1 ON ON OFF OFF 0 A B T1 T2 T3 T4 F 二、 CMOS與非門 VDD T1 T2 A B F T3 T4 三、傳輸門 (模擬開關 ) 四、 CMOS漏極開路輸出門 (OD) 可實現 “ 線與 ”，必須外加上拉電阻，用于輸出驅動或用于輸出電平的轉換。 EN=1， F=高阻態五、三態門 (TS) 以 TS反相器為例： EN=0， F=A； Ui TG Uo C C CMOS電路注意事項：（ 2） TTL器件輸入端閑置邏輯上等效為 “ 1”，但CMOS器件輸入端不允許浮空閑置，否則會造成邏輯混亂。一般將與門、與非門的多余輸入端接 VDD；或門、或非門的多余輸入端接地。若和輸入端并接會增加電路輸入端的電容量，影響開關速度。 Ui VDD ，輸入為 “ 1”； 2 3 Ui VDD ，輸入為 “ 0”。 3 1 （ 1）工程上：

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