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2026-06-20 12:29本頁面

　　

【正文】 Sites），則多出一個電子，可用來導電，使導電性增加，稱之為N型半導體。若參雜硼（B）等三價元素，且仍占據硅原子的地位，則鍵結少了一個電子，因此其它鍵結電子在足夠的熱激發下，可以過來填補，如此連續的電子填補，稱之為電洞傳導，亦使硅之導電性增加，稱之為P型半導體。因此N型半導體中，其主要帶電粒子為帶負電的電子，而在P型半導體中，則為帶正電的電洞。在平衡狀況下（室溫）不管N型或P型半導體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。　　116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS）無參入雜質硅酸鹽玻璃 NSG為半導體集成電路中之絕緣層材料，通常以化學氣相沉積的方式聲稱，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質。主要應用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后績平坦化制程薄膜的生成。　　117 NUMERICAL APERTURE（.）數值孔徑 1. 定義：NA是投影式對準機，其光學系統之解析力（Resolution）好壞的一項指針。NA值越大，則其解析力也越佳。依照定義，數值孔徑 NA=?=（f/）可得f/=f/d=1/2NA（D：鏡面直徑。f：鏡頭焦距。n：鏡頭折射率。f/即我們在照相機鏡頭之光圈值上常見的f/16,8,4,）亦即，鏡片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但鏡片的制作也就越困難，因為易產生色差（Chromatic Aberration）及像畸變（Distorsion），以CANON Stepper為例，其NA=，換算成照相機光圈,Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。　　118 OEB（OXIDE ETCH BACK ）氧化層平坦化蝕刻將Poly1上之多余氧化層（Filling OX）除去，以達到平坦化之目的。　　119 OHMIC CONTACT 歐姆接觸 1. 定義：歐姆接觸試紙金屬與半導體之接觸，而其接觸面之電阻值遠小于半導體本身之電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區（Active region）而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有兩個先決條件：（Barrier Height）（ND=1018 ㎝3）前者可使接口電流中熱激發部分（Thermionic Emission）增加；后者則使接口空乏區變窄，電子有更多的機會直接穿透（Tunneling），而同時Rc阻值降低。若半導體不是硅晶，而是其它能量間隙（Energy Gap）較大的半導體（如GaAs），則較難形成歐姆接觸（無適當的金屬可用），必須于半導體表面參雜高濃度雜質，形成Metaln+ n or MetalP+ P等結構。　　120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE）氧化層氮化層氧化層半導體組件，常以ONO三層結構做為介電質（類似電容器），以儲存電荷，使得資料得以在此存取。在此氧化層氮化層 – 氧化層三層結構，其中氧化層與基晶的結合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷（如pinhole）的延展，故此三層結構可互補所缺。　　121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST）使用期限（壽命）任何對象從開始使用到失效所花時間為失敗時間（Time of Failure: TF），對產品而言，針對其工作使用環境（Operation），所找出的TF，即為其使用期限（Operation Life Time）。其方法為：AF = exp [? (EstressEop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = * 105Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours 　　122 OXYGEN 氧氣 OXYGEN氧氣無色,無氣味,無味道雙原子氣體。在－183℃液化成淺藍色的液體，在218℃固化。在海平面上，空氣中約占20﹪體積的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在電漿光阻去除中，氧氣主要用來去除光阻用。在電漿干蝕刻中，氧混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前氧氣主要用途在于電漿光阻去除；利用氧氣在電漿中產生氧的自由基（RADICAL）與光阻中的有機物反應，產生二氧化碳和水氣體蒸發，達到去除光阻的效果。　　123 P31 磷 8 /

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