x年集成電路行業風險分析報告-資料下載頁

　　

【正文】 行業企業可以享受的優惠有：一、參照軟件企業，集成電路設計企業可以享受實行增值稅即征即退政策所退還的稅款，由企業用于研究開發軟件產品和擴大再生產，不作為企業所得稅應稅收入，不予征收企業所得稅。我國境內新辦集成電路設計企業經認定后，自獲利年度起，第一年和第二年免征企業所得稅，第三年至第五年減半征收企業所得稅。國家規劃布局內的重點集成電路設計企業，如當年未享受免稅優惠的，減按10%的稅率征收企業所得稅。集成電路設計企業的職工培訓費用，可按實際發生額在計算應納稅所得額時扣除。二、集成電路生產企業的生產性設備，經主管稅務機關核準，其折舊年限可以適當縮短，最短可為3年。三、可以減按15%的稅率繳納企業所得稅，其中，經營期在15年以上的，從開始獲利的年度起，第一年至第五年免征企業所得稅，第六年至第十年減半征收企業所得稅。四、（含）集成電路產品的生產企業，經認定后，自獲利年度起，第一年和第二年免征企業所得稅，第三年至第五年減半征收企業所得稅。已經享受自獲利年度起企業所得稅“兩免三減半”政策的企業，不再重復執行本條規定。五、自2008年1月1日起至2010年底，對集成電路生產企業、封裝企業的投資者，以其取得的繳納企業所得稅后的利潤，直接投資于本企業增加注冊資本，或作為資本投資開辦其他集成電路生產企業、封裝企業，經營期不少于5年的，按40%的比例退還其再投資部分已繳納的企業所得稅稅款。再投資不滿5年撤出該項投資的，追繳已退的企業所得稅稅款。還對企業在西部地區投資集成電路行業特別規定了進一步的優惠政策。以上優惠政策，將支持IC企業增加研發投入、加強職工培訓，鼓勵IC企業擴大生產規模、增加注冊資本、延長經營期，將促進中國IC行業技術水平的提高和產業結構優化。 新《高新技術企業認定管理辦法》頒布2008年4月14日，科技部、財政部和國家稅務總局聯合印發了《高新技術企業認定管理辦法》（以下簡稱新辦法）。與原認定辦法相比，新辦法強調企業對其主要產品（服務）的核心技術擁有自主知識產權。對于獲得核心技術知識產權的方式，新辦法規定，可以通過近三年內通過自主研發、受讓、受贈、并購等方式，或通過5年以上的獨占許可方式。擁有自主知識產權成為認定企業為高新技術企業的硬條件。新辦法將國家重點支持的高新技術領域修改為八個。其中與集成電路相關的具體領域有：集成電路設計技術、集成電路產品設計技術、集成電路封裝技術、集成電路測試技術、集成電路芯片制造技術、集成光電子器件技術。新辦法中按銷售收入的規模，分別規定近三個會計年度的研究開發費用總額占銷售收入總額的比例，分為6%、4%、3%等三種比例。其中，特別規定：企業在中國境內發生的研究開發費用總額占全部研究開發費用總額的比例不低于60%。新辦法還加強了對高新技術企業的后續管理。新辦法規定，“企業研究開發組織管理水平、科技成果轉化能力、自主知識產權數量、銷售與總資產成長性等指標符合《高新技術企業認定管理工作指引》（另行制定）的要求。新辦法明顯提高了高新技術企業的認定條件，眾多企業將會因無自主知識產權、研發投入不足等而無法申請成為高新技術企業，將無法再享受高新技術企業所能享受的稅收等方面的優惠待遇。長期以來，我國IC行業嚴重缺乏自主知識產權，新辦法必然會將許多IC企業清理出局。國務院通過兩大集成電路重大專項方案2008年4月23日，國務院總理溫家寶主持召開國務院常務會議，審議并原則通過“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”和“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”兩個國家科技重大專項實施方案。這兩大專項的通過表明國家對集成電路的鼓勵政策更加堅定。這兩大專項直指中國集成電路產業鏈上薄弱的芯片設計和芯片制造環節。雖然經過多年發展，但我國集成電路產業依然落后，整體的產業結構嚴重失衡，設計企業少而弱，制造工藝均落后于國外，制造設備幾乎完全依賴進口。兩大專項的實施有利于核心電子器件的國產化，推動具有自主知識產權的集成電路制造成套先進工藝與所需新材料技術的發展，促進產業結構調整，提高我國IC產業核心競爭力。表4 2008年集成電路相關政策目錄時間名稱對IC行業的影響2008年1月8日原信息產業部發布《集成電路產業“十一五”規劃》改善產業發展環境，加大對IC行業的支持力度，鼓勵企業自主創新，推動產業結構優化 2008年3月14日財政部國家稅務總局發布軟件集成電路發展優惠政策減輕IC企業稅收負擔，鼓勵企業增加研發投入、注冊資本，延長投資年限，吸引大項目和先進工藝落戶中國，鼓勵IC企業在西部地區投資建廠2008年4月14日《高新技術企業認定管理辦法》新辦法對高新技術企業要求更加嚴格，許多IC企業將因無法滿足條件而被清理出局 2008年4月23日國務院通過兩大集成電路重大專項方案有利于提高我國IC芯片設計和制造水平，提高我國IC產業核心競爭力汶川地震對集成電路行業影響2008年5月12日， 級特大地震。汶川地震是新中國成立以來破壞性最強、波及范圍最廣、救災難度最大的一次地震。災區總面積約50萬平方公里、受災群眾4625萬多人，造成近10萬人死亡，直接經濟達損失達8451億多元。受災地區的IC產業主要集中在成都。成都是我國西部最大的電子工業基地，而成都高新區又是成都電子工業的主體。截止2007年底，成都高新區IC產業總投資超過15億美元。在區內聚集了55家IC企業，其中包括英特爾、超威半導體、三星電子、東芝、德州儀器、意法半導體、英飛凌科技等國際巨頭及深圳賽格、上海宏盛、上海華虹、南通富士通等知名國內IC企業。地震對IC產業的影響有：震動引起IC加工制造企業的精密儀器受損，造成了一些設備的位移；對企業建筑造成的危害主要是天花吊頂、瓷磚的脫落以及非承重墻的裂縫；在短期內，造成供應鏈斷裂，產品出口受阻。但成都震級小，從總體上看地震給IC行業所造成的損失極小。且災后重建將極大拉動對電子信息產品的需求，導致IC產品需求擴大。另外，為支持災后重建，外企不僅沒有減少原來的投資，還考慮將加大投資。所以，從總的來看，汶川地震給IC行業造成的影響極小。奧運對集成電路行業的影響2008年北京奧運會堅持綠色奧運、科技奧運、人文奧運的理念，這三個理念將對整個消費習慣產生引導性作用。“綠色奧運”強調節能環保，奧運場館建設大量采用新型材料、新能源技術。這就要求IC行業提供低功率、低消耗、低成本的產品。在“科技奧運”方面，大量最新技術應用于奧運會，如寬帶數據接入服務、智能卡技術、3G移動通信系統、高清晰度數字電視系統等。相關IC產品主要包括網絡路由交換芯片、GSM/GPRS手機基帶芯片、TDSCDMA基帶芯片、數字音視頻和多媒體處理芯片。這些新技術在奧運中的亮相，將刺激消費需求，進而帶動相關IC相關產品的需求擴大。盡管受宏觀經濟形勢和其他各種因素作用，這種帶動作用不是很大，奧運不能帶來這些新興應用的量起，但奧運會的引入作用和宣傳效應，使得這些新技術市場前景更加廣闊。、簡寫及解釋下表中包含了集成電路行業涉及的大多數專業術語，以及本報告涉及的主要術語和簡寫。表5 集成電路主要技術術語、簡寫及解釋統計名稱說明模擬集成電路模擬集成電路是指由電容、電阻、晶體管等組成的模擬電路集成在一起用來處理模擬信號的集成電路。數字集成電路數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。半導體集成電路半導體集成電路將晶體管，二極管等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯，“集成”在一塊半導體單晶片上，完成特定的電路或者系統功能。薄膜集成電路薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在１微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，并通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝制成的集成電路。厚膜集成電路厚膜集成電路是指用絲網印刷和燒結等厚膜工藝在同一基片上制作無源網絡，并在其上組裝分立的半導體器件芯片或單片集成電路或微型元件，再外加封裝而成的混合集成電路。厚膜電路與薄膜電路的區別有兩點：其一是膜厚的區別，厚膜電路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多處于小于1μm；其二是制造工藝的區別，厚膜電路一般采用絲網印刷工藝，薄膜電路采用的是真空蒸發、磁控濺射等工藝方法。單晶硅熔融的單質硅在凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅是一種良好的半導材料，是集成電路制造的主要材料。線寬是指IC生產工藝可達到的最小導線寬度，是IC工藝先進水平的主要指標，主要有4μm /1μm / / /90nm等。線寬越小，集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元。晶圓將單晶硅晶棒切割所得的一片一片薄薄的圓片，即是晶圓，或硅晶圓。晶圓尺寸晶圓尺寸，即晶圓的直徑。晶圓尺寸越大，生產的芯片就越多，代表的技術水平就越高。硅晶圓尺寸常以英寸和mm為單位（1英寸約為25mm），常見的晶圓尺寸是100mm、125mm、150mm、200mm、300mm、450mm或4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、18英寸。光刻IC生產的主要工藝手段，指用光技術在晶圓上刻蝕電路。密度表示集成在一個芯片上的邏輯數量，單位是門（gate）。密度越高，門越多，也意味著越復雜。CMOS互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor），是一種集成電路加工工藝技術，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。E2CMOS電可擦除互補金屬氧化物半導體（Electrically Erasable CMOS），具有繼承性、可重復編程和可測試性等特點，因此是一種可編程邏輯器件（PLD）的理想工藝技術。BiCMOSBiCMOS（Bipolar CMOS），即雙極型CMOS，是將CMOS和雙極器件同時集成在同一塊芯片上的技術，其基本思想是以CMOS器件為主要單元電路，而在要求驅動大電容負載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成度、低功耗的優點，又獲得了雙極電路高速、強電流驅動能力的優勢。EDAEDA是英文Electronic Design Automation的縮寫，即電子設計自動化，就是通常所謂的電子線路輔助設計軟件。Foundry模式半導體產業存在兩種商業模式之一，亦稱為垂直分工模式，20世紀90年代初興起的一種新IC產業模式，該模式由知識產權（IP）供應商、無生產線設計公司（Fabless）、代工廠商（Foundry）以及封裝測試企業（Package amp。Testing）等組成。IDM模式IDM是英文Integrated Device Manufactrue的縮寫，即垂直集成模式，IDM 模式的特點是，企業經營范圍涵蓋了芯片設計、生產制造、封裝測試等各環節，甚至延伸至下游終端。美國和日本半導體產業主要采用這一模式，IDM企業規模大、投入高，典型的IDM企業有: 英特爾、三星、德州儀器、東芝和意法半導體。 fabless無生產線企業，即只研發和設計，自己不生產芯片。這類企業將芯片制造外包給foundry廠家。PCBPCB是英文Printed Circuie Board的縮寫，即印制線路板。通常把在絕緣材上，按預定設計，制成印制線路、印制元件或兩者組合而成的導電圖形稱為印制電路。而在絕緣基材上提供元器件之間電氣連接的導電圖形，稱為印制線路。這樣就把印制電路或印制線路的成品板稱為印制線路板，亦稱為印制板或印制電路板。QFPQFP 是英文Plastic Quad Flat Pockage的縮寫，即方型扁平式封裝技術，是表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。一般大規模或超大規模集成電路采用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。LQFP薄型QFP（Low rofile Quad Flat Package）。SoCSoC是英文SystemonChip的縮寫，即系統級芯片，指的是在單個硅片上集成子系統或系統，包括處理器、高密度邏輯電路、模擬和混合信號電路、存儲器等。NoCNoC是英文Networkon Chip的縮寫，即網絡級芯片，即在一個芯片上集成多個系統，各個系統之間通過網絡通信相互協作，是未來的芯片制造技術，現在仍處于實驗室研究階段。SOPSOP是Small OutLine Packag的英文縮寫，即小外形封裝，是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SSOP 的SOP 。TSOP 的SOP。DIP封裝DIP是英文Dual Inline Package的縮寫，即雙列直插式封裝技術，是一種最簡單的封裝方式。指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100。TSOP封裝TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝，20世紀80年代出現的封裝技術，在芯片的周圍做出引腳，通過引腳將芯片焊接在印刷線路板板上。BGA封裝BGA是英文Ball Grid Array的縮寫，即球柵陣列，是以球型引腳焊接工藝為特征的一類集成電路封裝。可以提高可加工性，減小尺寸和厚度，改善了噪聲特性，提高了功耗管理特性。MCMMCM是英文MultiChip Module的縮寫，即多芯片組件，將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝技術。CSP封裝CSP是英文Chip Scale Package的縮寫，即芯片級封裝，是新一代的芯片封裝技術，是繼TSOP、BGA之后內存上的又一種新的技術。SiP封裝系統級封裝（SiP），是將微處理器、存儲器、電阻器、電容和電感器等多個組成一個系統的芯片封裝在一起的新封裝技術。SMTSMT是英文Surface Mounted Technology的縮寫，即表面組裝技術，是將表面貼裝元器件貼、焊到印制電路板表面規定位置上的電路裝聯技術，包括