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微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝-資料下載頁(yè)

2026-08-07 02:55本頁(yè)面

　　

【正文】引出電流時(shí)，希望載流子在進(jìn)出半導(dǎo)體時(shí)少受阻力。形成良好的歐姆接觸。金屬和半導(dǎo)體接觸下一頁(yè) 上一頁(yè) 金屬和輕摻雜半導(dǎo)體接觸下一頁(yè) 上一頁(yè) 常用的金屬接觸互連材料互連金屬化材料的要求： ?導(dǎo)電性能好，引起的損耗小。 ?與半導(dǎo)體之間有良好的接觸特性 ?性能穩(wěn)定：金屬化材料不和硅發(fā)生反應(yīng)。 ?臺(tái)階覆蓋性能好：防止臺(tái)階處金屬化層變薄甚至出現(xiàn)斷條情況。 ?工藝相容：不改變已有器件的特性。下一頁(yè) 上一頁(yè) 集成電路工藝 ?圖形轉(zhuǎn)換： ? 光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻 ? 刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕 ?摻雜： ? 離子注入退火 ? 擴(kuò)散 ?薄膜制備： ? 氧化：干氧氧化、濕氧氧化等 ? CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVD ? PVD：蒸發(fā)、濺射下一頁(yè) 上一頁(yè) OUTLINE Pattern Transfer ?Lithography ?Etching ?Oxidation ?Diffusion ?Ion Implantation Doping Film Preparation ?Chemical Vapor Deposition ?Physical Vapor Deposition Packaging Insulation 下一頁(yè) 上一頁(yè) 集成電路中的晶體管與分立晶體管的主要區(qū)別是集成電路中晶體管的所有電極都比須制作在集成電路芯片的表面，而且每個(gè)晶體管之間必須在電學(xué)上相互隔離開，防止器件間的相互影響。隔離技術(shù) ?常用的隔離技術(shù)： pn結(jié)隔離、等平面氧化層隔離 (場(chǎng)隔離）、溝槽隔離、介質(zhì)隔離等。 ?雙極集成電路隔離工藝 ?MOS集成電路隔離工藝下一頁(yè) 上一頁(yè) ?有源區(qū)：在集成電路中，通常將硅片上用于制作各種元器件的區(qū)域，稱作有源區(qū)。 ?場(chǎng)區(qū)：其他沒有制作器件的區(qū)域稱作場(chǎng)區(qū)。兩個(gè)概念下一頁(yè) 上一頁(yè) 雙極集成電路隔離工藝 ?標(biāo)準(zhǔn)隱埋集電極隔離工藝（ Standard Buried Collector Process， SBC） ?不同 n型區(qū)之間靠反向偏置的 pn結(jié)隔離 ?隔離區(qū)較寬 ?寄生電容較大 pn結(jié)隔離下一頁(yè) 上一頁(yè) ?集電區(qū)擴(kuò)散隔離（ Collector Diffused Isolation，CDI）與 SBC相比具有工藝簡(jiǎn)單，隔離面積小等優(yōu)點(diǎn) 下一頁(yè) 上一頁(yè) ?介質(zhì)隔離（ Dielectric Isolation, DI） ?隔離效果好 ?研磨背面時(shí)要求精確的機(jī)械定位 ?高溫淀積多晶硅時(shí)硅片容易翹邊下一頁(yè) 上一頁(yè) ?等平面氧化物隔離工藝（ Recessed Oxidation Isolation, ROI) 橫向采用氧化層介質(zhì)隔離，縱向仍為 pn結(jié)隔離 ?寄生電容小 ?隔離面積較小場(chǎng)隔離下一頁(yè) 上一頁(yè) MOS集成電路隔離工藝下一頁(yè) 上一頁(yè) OUTLINE Pattern Transfer ?Lithography ?Etching ?Oxidation ?Diffusion ?Ion Implantation Doping Film Preparation ?Chemical Vapor Deposition ?Physical Vapor Deposition Packaging Insulation 下一頁(yè) 上一頁(yè) 集成電路封裝工藝流程利用金剛刀、脈沖激光束引線鍵合：細(xì)的金屬絲將芯片上的壓焊點(diǎn)與管座上的引線端連接起來熱壓焊接、熱超聲焊接和超聲焊接下一頁(yè) 上一頁(yè) 各種封裝類型示意圖陶瓷封裝、塑料封裝等 IC PACKAGE 下一頁(yè) 上一頁(yè) ? 超凈廠房技術(shù)：超凈級(jí)別 1級(jí)：在 1立方英尺的空間內(nèi)大于 ?m的塵埃數(shù)必須小于 1個(gè) 10級(jí)、 100級(jí)、 1000級(jí)、 10000級(jí) ? 超純水（清洗）、高純氣體制備技術(shù) ? 高純化學(xué)試劑 ? 光刻掩膜版制備技術(shù) ? 半導(dǎo)體設(shè)備 ? 材料準(zhǔn)備技術(shù)：硅片等 ? 管殼制備等集成電路輔助工藝技術(shù) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 作業(yè) ?簡(jiǎn)述集成電路制造工藝前工序，并簡(jiǎn)述每一種工藝的作用？ ?集成電路制造工藝中，薄膜制備技術(shù)主要有幾種；并簡(jiǎn)述每一種的用途？ ?集成電路工藝中二氧化硅的作用？ ? MOS集成電路中如何防止寄生晶體管開啟？

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