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干法和濕法腐蝕講稿-資料下載頁

2026-02-12 09:21本頁面

　　

【正文】化后進行 SIN的全剝 ,由于是在高溫下進行了氧化 ,因此在 SIN表面有一層 SINO層 , 此層不溶于 H3PO4而溶于 HF,因此在進 H3PO4槽時必須先進 HF槽以去除 SINO膜 ,然后進行 SIN的全剝 . AL 腐蝕 ? 濕法 AL 及 AL 合金腐蝕常在加熱的 H3PO4+HNO3+ CH3COOH及水的混合液中進行 ,溫度大約是 35C—45C,典型的組分為 : 80%H3PO4 +5%HNO3+5%CH3COOH+10% H2O,其 E/R常受到諸多因素的影響 ,如溫度 ,藥液組分 ,AL膜的純度以及合金組分等 . ? 反應式如下 : ? HNO3 + AL + H3PO4 –AL2O3+H2O+ H2 ? 在反應時會產(chǎn)生 H2,當 H2附在 AL 表面時會阻礙反應 ,因此在腐蝕時加入鼓泡以減小此問題 ,由于 H2及其它問題 ,如濺射時的沾污及自然氧化層的影響 ,一般在腐蝕時假如 10—50%的過腐蝕量以確保能完全腐蝕干凈 .濕法 AL 腐蝕也常單用 80%的 H3PO4進行腐蝕 . 濕法腐蝕注意事項 ? 由于濕法腐蝕的特性，在對不同的材料進行腐蝕時必須選擇相應的腐蝕藥液和工藝條件，在開發(fā)濕法腐蝕和清洗菜單時必須注意此藥液對硅片上其它膜層和材料的影響，同時必須考慮濕法腐蝕特性所帶來的一些其它問題。 1:AL 及 AL以后的片子的去膠不能進 SH槽。 2:濕法氧化物腐蝕前必須進行充分的浸潤。 3:須做先行的片子根據(jù)先行結(jié)果適當調(diào)整腐蝕時間； 4:對濕法氧化物腐蝕檢查 ,原則上檢查膜厚最厚且小圖形處和大塊被腐蝕區(qū)域應保證干凈。 5:對濕法 AL腐蝕檢查 ,主要檢查小圖形及橫跨臺階的 AL條是否有殘 AL 及 AL 條缺口嚴重和斷 AL 現(xiàn)象。 6: 所有腐蝕時間加參考的均僅供參考 , E/R及膜厚正常的情況下 ,可按參考時間作業(yè) ,在 E/R和膜厚變化較大時 ,可適當調(diào)整腐蝕時間。濕法去膠 1: 有機去膠有機去膠是通過拆散膠層結(jié)構(gòu)而達到去膠的目的 .但其限制性較大 ,象常用的藥液有 DMF,ACT,EKC等 . 2: 非有機去膠目前常用的是 H2SO4與 H2O2加熱到 120140C左右 ,其強氧化性使膠中的 C氧化成 CO2,并生產(chǎn) ,此類去膠常用在無金屬層上 ,也就是說在 AL及 AL 以后層次的去膠不能用此類去膠 ,此類去膠也常用在干法去膠后加一步濕法去膠 (主要是大劑量注入和較差的干法去膠后 . 3: 去膠未凈后的處理方法 : 如檢查去膠未凈 ,常用的方法是繼續(xù)去膠或用以下兩中方法去膠 A: 使用稀 HF進行漂洗 ,然后流水甩干。常見工藝要求和異常（干法腐蝕） SIN 殘余 ? 原因分析：設備腐蝕能力不足，片內(nèi)均勻性差。 ? 處理方法：優(yōu)化工藝，或換成工藝能力大的設備進行腐蝕。 AL 的后腐蝕 ? 原因分析： AL 腐蝕后去膠時間間隔太長，造成空氣中的水氣與光刻膠中殘留的 CL離子反應生成HCL，繼續(xù)腐蝕 AL。 ? 處理方法： AL腐蝕后及時去膠，檢查 AL 腐蝕設備的壓力及氣體組分對反應腔的影響。過腐蝕 ? 例： AL 過腐蝕造成 AL 條細，斷條等。 ? 原因分析：，致腐蝕時間過長。 2．錯誤選擇腐蝕程序。 3．來片膜厚偏薄等。殘留物 ? 一般指腐蝕以后圓片表面留有殘留的膜，沒有被刻蝕干凈。 ? 原因分析：腐蝕時間不足或腐蝕程序設置不恰當。 ? 處理方法：優(yōu)化 RECIPE。糊膠 /塌膠 ? 原因分析：一般是由于硅片背面 He 冷卻流量太小造成反應過程中硅片表面溫度過高引起。 ? 處理方法：調(diào)整 He流量至正常值。顆粒 ? 原因分析：腔體內(nèi)腔壁由于有 POLYMER 聚結(jié)，腐蝕過程中有顆粒掉在硅片上，阻止進一步腐蝕，造成局部腐蝕不干凈。 ? 處理方法：清洗腐蝕腔體。 PROFILE 不良 ? 原因分析：腐蝕程序不適用（如 CL2 流量太大，PRESS 太低等） ? 處理方法：優(yōu)化 RECIPE。去膠不凈 /殘膠 ? 原因分析：去膠時間不夠或方法不當。濕法腐蝕常見異常 SIO2 ETCH PROCESS ? 工藝要求：腐蝕干凈，無氧化層殘余；侵蝕正常，無過侵蝕；無尖角，無局部侵蝕嚴重現(xiàn)象；無脫膠，浮膠； ? 常見異常：過侵蝕；有尖角，局部侵蝕嚴重；圖形發(fā)花，有殘余；脫膠，浮膠； N+區(qū)域染色 SIO2 ETCH PROCESS 局部侵蝕嚴重圖形發(fā)花過侵蝕脫膠，浮膠濕法 AL ETCH ? 工藝要求： AL腐蝕干凈； AL條邊緣整齊，不毛糙，無明顯變瘦區(qū)域； AL 條寬正常， AL 去膠干凈， ? 常見異常： AL殘余； AL條細；斷 AL；殘膠； AL CD異常濕法 AL ETCH AL條細；斷 AL 濕法 SIN全剝 ? 工藝要求：表面清潔，無沾污痕跡。無劃傷。 SIN完全剝?nèi)ィ趁娉尸F(xiàn)“硅面”，無小塊殘留物。 ? 常見異常：圖形內(nèi)有腐蝕殘留物，線條不清晰。 Thank you!

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