畢業(yè)設(shè)計(jì)-三相異步電動(dòng)機(jī)的電磁設(shè)計(jì)-資料下載頁

【導(dǎo)讀】優(yōu)于Y系列電機(jī)，外觀更加滿足國內(nèi)外的用戶需求，本文為Y2-112M-2的電磁設(shè)計(jì)。數(shù)、起動(dòng)電流倍數(shù)等。為了減小誤差和計(jì)算量，還在MATLAB中編寫了電磁計(jì)算程序。復(fù)調(diào)試，使其技術(shù)指標(biāo)符合任務(wù)書的要求，最終設(shè)計(jì)出符合任務(wù)書要求的電機(jī)。

　　

【正文】 .上海 :上海科技技術(shù)出版社 ,2021:4587. [7] 湯蘊(yùn)璆 .電機(jī)學(xué) [M].北京 :機(jī)械工業(yè)出版社 ,2021:75149. [8] 李隆年 .電機(jī)設(shè)計(jì) [M].北京 :機(jī)械工業(yè)出版社 ,2021:63152. 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 23 附錄 A 電磁計(jì)算程序 程序 %%%%%%第一部分 額定數(shù)據(jù)和主要尺寸 %%%%% myflag1 = 0。 %myflag1 myflag1=1 是雙層槽絕緣占面積 ,myflag1=0 是單層槽絕緣占面積 myflag2 = 0。 %myflag2 myflag2=1 是平底槽 ,myflag2=0 是圓底槽 myflag3 = 1。 %myflag3 myflag3=1 是平底槽 ,myflag3=0 是圓底槽 myflag4 = 0。 %myflag4 myflag4=1 是圓底槽 ,myflag4=0 是半開口平底槽 ,其它為開口平底槽 myflag5 = 1。 %myflag5 myflag5=1 是半開口槽和半閉開口槽 ,myflag5=0是開口槽 myflag6 = 3。 %myflag6 myflag6=1 是二級(jí)防護(hù)式 ,myflag6=2 是四級(jí)及以上防護(hù)式 ,myflag6=3 是二級(jí)封閉型自扇冷式 ,myflag6=4 是四級(jí)及以上封閉型自扇冷式 myflag7 = 1。 %myflag7 myflag7=1 是半閉口槽 ,myflag7=0 是開口槽 PN = 4000。 Un = 380。 %額定電壓 f = 50。 %頻率 cos_phi=。 %功率因數(shù) eta_1 = 。 %效率 m1 = 3。 p = 1。 %極對(duì)數(shù) q1 = 5。 %每極每相槽數(shù) UN_phi = Un。 Ikw = PN/(m1*UN_phi)。 %功電流 Z1 = 2*m1*p*q1。 %定子槽數(shù) Z2 = 26。 %轉(zhuǎn)子槽數(shù) Zp1=Z1/(2*p)。 Zp2=Z2/(2*p)。 %定轉(zhuǎn)子每極槽數(shù) KB_2 = +*log10(PN)。 %滿載電勢標(biāo)幺值 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 24 p_1 = KB_2*PN/(eta_1*cos_phi)。 alpha_p_1 = 。Knm_1 = 。Kdp1_1 = 。 A_1 = 22021。 %由參考文獻(xiàn)［電機(jī)設(shè)計(jì)］圖 102 B_delta_1 = 。n_1 = 3000。 V = *1*p_1/(alpha_p_1*Knm_1*Kdp1_1*A_1*B_delta_1*n_1)。 Lambda=。 %由參考文獻(xiàn)［電機(jī)設(shè)計(jì)］表 102 Di1_1 = (2*p*V/(Lambda*pi))^(1/3)。 Di1__D = 。 %由參考文獻(xiàn)［電機(jī)設(shè)計(jì)］表 103 Dt1__D 表示 Dt1/D D1_1 = Di1_1/(Di1__D)。 D1 = D1_1。 %D1 定子沖片外徑 Di1 = D1*(Di1__D)。 l= V/(Di1^2)。 %lef 鐵心有效長度 li = l 。 %D2 轉(zhuǎn)子外徑， Dt2 轉(zhuǎn)子內(nèi)徑 delta = Di1*(1+9/2/p)*(1/10^3)。 lef =li+2*delta。 D2=Di12*delta。 %轉(zhuǎn)子外徑 Di2 = 。 %轉(zhuǎn)子內(nèi)徑由轉(zhuǎn)軸直徑?jīng)Q定 tau=pi*Di1/(2*p)。 %極距 t1= pi*Di1/Z1。 %定子齒距 t2=pi*D2/Z2。 %轉(zhuǎn)子齒距 %定子繞組采用單層繞組 ，交叉式，節(jié)距 1~9,2~10， 11~18 bsk = *t1。 %轉(zhuǎn)子斜槽寬 alpha_1 = 1。 %并聯(lián)支路 alpha_1 為 1 N_phi1_1 = ceil((eta_1*cos_phi*pi*Di1*A_1)/(m1*Ikw))。 %每相串聯(lián)導(dǎo)體數(shù) Ns_1 = (m1*alpha_1*N_phi1_1)/Z1。 %每槽導(dǎo)體數(shù) Ns1= ceil(Ns_1)。 N_phi1 = Ns1*Z1/(m1*alpha_1)。 N1 = N_phi1/2。 J1_1=。 I1_1 = Ikw/eta_1/cos_phi。 %定子電流初步值 NA = I1_1/(alpha_1*J1_1)。 %用 NA 表示 Nt1_1*Ac1 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 25 Ni1_1=1。Ac1=NA/ Ni1_1。 d_1=*10^(3)。 Ac1_1=。 d= d_1+*10^(3)。 Bi_1=。 bi_11=t1*B_delta_1/。 Bf_1=。 hf_1=tau*alpha_p_1*B_delta_1/2/。 h=。 %槽鍥 h01 = 。 b01 = 。 b11 = 。 h11=。 h21 = 。 r21 = 。 bi1_1 = pi*(Di1+2*h01+2*h11+2*h21)/Z12*r21。 bi1_2 = pi*(Di1+2*h01+2*h11)/Z1b11。 bi1 = (bi1_1+bi1_2)/2。 bi1= hs1 = h01+h21+h11+r21。 hs_1 = h21+h11。 As=(2*r21+b11)*(hs_1h)/2+pi*r21*r21/2。 %槽面積 Delta_t = 。 %myflag1 myflag1=1 是雙層槽絕緣占面積 myflag1=0 是單層槽絕緣占面積 switch myflag1 case 1 At = Delta_t*(2*hs_1+pi*r21+2*r21+b11)。 case 0 At = Delta_t*(2*hs_1+pi*r21)。 end Aef = As At。 Sf = 1*Ns1*d^2/Aef。 %槽滿率 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 26 alpha = p*2*pi/Z1。 Kd1=sin(q1*alpha/2)/(q1*sin(alpha/2))。 %分布系數(shù) Kp1=1。 %短距系數(shù) Kdp1=Kd1*Kp1。 %繞組系數(shù) KI=。 I2_1 = KI*I1_1*3*N_phi1*Kdp1/Z2。 %轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電流 JB_1 = 。 %轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電密 AB_1=I2_1/JB_1。 %導(dǎo)條截面積 Bi_2=。 bi_2=t2*B_delta_1/。 Bf_2= hf_2=tau*alpha_p_1*B_delta_1/2/。 h02 = 0。 b02 = 。 b12 = 。 h12=0。 h22 = 0,0045。 h32=。 b22 = 。 b32 = 。 b42 = 。 hs2=h02+h12+h22+h32。 bi2 = pi*(D22*2/3*hs2)/Z2(b42+hs2*b32/3/h32)。 AB=(b12+b22)*h22/2+(b32+b42)*h32/2。 %導(dǎo)條截面積 IR_1=I2_1*Z2/(2*pi*p)。 %端環(huán)電流 JR_1=*JB_1。 AR_1=IR_1/JR_1。 AR= AR_1。 %%%%%%%%%%第二部分 磁路計(jì)算 %%%%%%%%% KE_1=。 E1= KE_1*UN_phi。 %E1 為滿載相電勢 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 27 Ks_1 = 。 Knm = 。 Phi=E1/(4*Knm*Kdp1*f*N1)。 %每極磁通 Kfe = 。 Ai1 = Kfe*li*bi1*Zp1。 %定子每極下齒部截面積 Ai2 = Kfe*li*bi2*Zp2。 %轉(zhuǎn)子每極下齒部截面積 %myflag2 myflag2=1 是平底槽 myflag2=0 是圓底槽 switch myflag2 case 1 hf1_1 = (D1Di1)/2hs1。 case 0 hf1_1 = (D1Di1)/2hs1+r21/3。 end %定子軛部計(jì)算高度 %myflag3 myflag3=1 是平底槽 myflag3=0 是圓底槽 switch myflag3 case 1 hf2_1= (D2Di2)/2hs2。 case 0 hf2_1 = (D2Di2)/2hs2+r22/3。 end hf2_2= %轉(zhuǎn)子軛部計(jì)算高度 Af1 =Kfe*li*hf1_1。 %定子軛部截面積 Af2 = Kfe*li*hf2_2。 %轉(zhuǎn)子軛部截面積 tau = pi*Di1/2/p A_delta = tau*lef。 %空氣隙截面積 alpha_p1 = 。 %計(jì)算極弧系數(shù) Fs = 1/alpha_p1。 %波幅系數(shù) B_s = Fs*Phi/A_delta。 %氣隙磁密 Bi1 = Fs*Phi/Ai1。 %定子齒磁密 Bi2 = Fs*Phi/Ai2。 %轉(zhuǎn)子齒磁密 B_delta = Fs*Phi/A_delta。