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半導體制造工藝課件(ppt47頁)-wenkub.com

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【正文】二月 214:50 上午二月 2104:50February 01, 2023? 1業余生活要有意義，不要越軌。 04:50:4404:50:4404:50Monday, February 01, 2023? 1知人者智，自知者明。 4:50:44 上午 4:50 上午 04:50:44二月 21? 楊柳散和風，青山澹吾慮。 01 二月 20234:50:44 上午 04:50:44二月 21? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 04:50:4404:50:4404:502/1/2023 4:50:44 AM? 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。二月 214:50 上午二月 2104:50February 01, 2023? 1行動出成果，工作出財富。 04:50:4404:50:4404:50Monday, February 01, 2023? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。SiO2TiN阻擋層WAlCuWSiO2AlCu47半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理? 靜夜四無鄰，荒居舊業貧。嵌入式工藝的優點是免掉了金屬刻蝕的步驟，而銅刻蝕正是 IC工業從鋁改成銅導線時最擔心的問題。刻蝕銅膜的溫度需高于 200℃ 。 Al側壁上殘留的氯與抗蝕劑容易與常壓下的水氣形成 HCl腐蝕鋁。氯基化學劑常用于鋁的刻蝕。低壓強操作與高等離子體密度有利于高寬比有關的刻蝕，然而 HDP會產生高溫電子并接著產生高比例的分解離子與自由基，它比 RIE或是磁性增強 RIE產生更多的活性自由基與離子。42半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理介質刻蝕定義介質層（尤其是二氧化硅與氮化硅）的圖案是先進半導體制造技術中的關鍵工藝。各向異性刻蝕及對柵極氧化層的高選擇比是柵極刻蝕時最重要的需求。氯基或溴基的化學劑對硅有高刻蝕速率，且對以二氧化硅為掩蔽層的硅刻蝕有高選擇比。下表列舉了不同刻蝕工藝所用到的一些化學劑。當器件尺寸縮小，塵埃的污染成為一個嚴重的問題。這些設備擁有高等離子體密度與低工藝壓強。導致轟擊損傷的嚴重問題。從而使 SiO2:Si及 Si3N4： Si的腐蝕速率比增大28半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理增加 F/C比（加氧氣），可以增加刻蝕速率減少 F/C比（加氫氣），刻蝕過程傾向于形成高分子膜29半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理刻蝕方向性的增加252。24半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理氧氣的作用等離子刻蝕基本原理在 CF4進氣中加入少量氧氣會提高硅和二氧化硅的刻蝕速率。 O2 用于刻蝕光刻膠。激光干涉度量法用來持續控制晶片表面的刻蝕速率與終止點。利用觀測到的光譜波峰與已知的發射光譜比較，通過可以決定出中性或離子物質的存在。化學方式有高腐蝕速率、高的選擇比與低的離子轟擊導致的缺陷，但有各向同性的刻蝕輪廓。我們把物質的這種存在狀態稱為物質的第四態，即等離子體 (plasma)。無離子， XeF2對 Si不刻蝕216。干法刻蝕 —— 氣相化學腐蝕（選擇性好）或物理腐蝕（方向性好），或二者兼而有之4半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理刻蝕過程包括三個步驟：– 反應物質量輸運（ Mass transport）到要被刻蝕的表面– 在反應物和要被刻蝕的膜表面之間的反應– 反應產物從表面向外擴散的過程5半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理濕法刻蝕反應產物必須溶于水或是氣相6半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理BOE： buffered oxide etching或 BHF: buffered HF加入 NH4F緩沖液：彌補F和降低對膠的刻蝕實際用各向同性例 1： SiO2采用 HF腐蝕例 2： Si采用 HNO3和 HF腐蝕（ HNA）例 3： Si3N4采用熱磷酸腐蝕7半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理例 4： Si采用 KOH腐蝕各向異性Si + 2OH + 4H2O ?Si(OH)2++ + 2H2 + 4OH硅濕法腐蝕由于晶向而產生的各向異性腐蝕8半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理原子密度： 111 110 100腐蝕速度： R(100)? 100 R(111)9半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理HNA各向同性腐蝕自終止10半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理利用 Si的各向異性濕法腐蝕制作

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