tcl系列電磁爐維修手冊(cè)-文庫吧在線文庫

　　

【正文】 測(cè)試點(diǎn) 標(biāo)準(zhǔn) 備注 不合格對(duì)策 1 通電 發(fā)出“ B”一聲 按 第 (1)項(xiàng)查 2 CN3 305V 確認(rèn)輸入電壓為 220V 時(shí) 按 第 (2)項(xiàng)查 3 +22V DC22V177。 ? 操作人員需要一定的維修技術(shù)能力。 第 14 頁 輔助電源 AC220V 50/60Hz 電壓接入變壓器初級(jí)線圈 ,次級(jí)兩繞組分別產(chǎn)生 和 23V 交流電壓。風(fēng)扇延時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)期間 ,按 1 次關(guān)機(jī)鍵 ,可關(guān)閉風(fēng)扇 )。 鍋底溫度監(jiān)測(cè)電路 加熱鍋具底部的溫度透過微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻 ,該電阻阻值的變化間接反影了加熱鍋具的溫度變化 (溫度 /阻值祥見熱敏電阻溫度分度表 ),熱敏電阻與 R58 分壓點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻第 13 頁 值的變化 ,即加熱鍋具的溫度變化 , CPU 通過監(jiān)測(cè)該電壓的變化 ,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令 : (1) 定溫功能時(shí) ,控制加熱指令 ,另被加熱物體溫度恒定在指定范圍內(nèi)。 ”。以上動(dòng)作過程 ,保證了加到 Q1 G極上的開關(guān)脈沖前沿與 Q1上產(chǎn)生的 VCE脈沖后沿相同步。 (2) 當(dāng) V6V5 時(shí) ,V7 轉(zhuǎn)態(tài)為 OFF,V5 亦降至 D12 與 D13的順向壓降 , 而 V6 則由 C5 經(jīng) R5 D29 放電。 (5) GT40T301東芝公司出品 ,耐壓 1500V,電流容量 25℃ 時(shí) 80A,100℃ 時(shí) 40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該IGBT 可代用 SGW25N1 SKW25N1 GT40Q32 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101時(shí)請(qǐng)將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。在給定芯片尺寸和 BVceo 下 , 其導(dǎo)通電 阻 Rce(on) 不 大于 MOSFET 的 Rds(on) 的 10%。 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí) (輸入端電壓高于 +輸入端電 壓 ), 置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通 , 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低 ,此時(shí)輸出端為 0V。額定加熱功率有 700~3000W 的不同機(jī)種 ,功率調(diào)節(jié)范圍為額定功率的 85%,并且在全電壓范圍內(nèi)功率自動(dòng)恒定。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將50/60Hz 的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為 2040KHz 的高頻電壓，高速變化的電流流過線圈會(huì)產(chǎn)生高速變化的磁場(chǎng)，當(dāng)磁場(chǎng)內(nèi)的磁力線通過金屬器皿 (導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料 )底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生無數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。 TC 系列雖然機(jī)種較多 ,且功能復(fù)雜 ,但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣 ,區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及 CPU 程序不同而己。 IGBT 的特點(diǎn) : , 是 MOSFET 的數(shù)十倍。 (2) SKW25N120西門子公司出品 ,耐壓 1200V,電流容量 25℃ 時(shí) 46A,100℃ 時(shí) 25A,內(nèi)部帶阻尼二極管 ,該 IGBT 可代用 SGW25N120,代用時(shí)將原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 以上分析證實(shí)兩個(gè)問題 :一是在高頻電流的一個(gè)周期里 ,只有 i1 是電源供給 L 的能量 ,所以 i1 的大小就決定加熱功率的大小 ,同時(shí)脈沖寬度越大 ,t1~t2 的時(shí)間就越長 ,i1 就越大 ,反之亦然 ,所以要調(diào)節(jié)加熱功率 ,只需要調(diào)節(jié)脈沖的寬度 。 PWM 脈寬調(diào)控電路 CPU 輸出 PWM 脈沖到由 R C3 R16 組成的積分電路 , PWM 脈沖寬度越寬 ,C33 的電壓越高 ,C20 的電壓也跟著升高 ,送到振蕩電路 (G 點(diǎn) )的控制電壓隨著 C20 的升高而升高 , 而 G 點(diǎn)輸入的電壓越高 , V7 處于 ON 的時(shí)間越長 , 電磁爐的加熱功率越大 ,反之越小。 (3) 配合電流檢測(cè)電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息 ,調(diào)控 PWM 的脈寬 ,令輸出功率保持穩(wěn)定。 (3) 當(dāng)測(cè)得其它原因?qū)е?VCE 脈沖高于 1150V 時(shí) ((此值適用于耐壓 1200V 的 IGBT,耐壓 1500V 的IGBT 此值為 1400V),CPU 立即發(fā)出停止加熱指令 (祥見故障代碼表 )。 (2) 當(dāng) IGBT 結(jié)溫由于某原因 (例如散熱系統(tǒng)故障 )而高于 95℃ 時(shí) , 加熱立即停止 , 并報(bào)知信息 (祥見故障代碼表 )。 主電源 AC220V 50/60Hz 電源經(jīng)保險(xiǎn)絲 FUSE,再通過由 CY CY C共模線圈 L1 組成的濾波電路 (針對(duì) EMC 傳導(dǎo)問題而設(shè)置 ,祥見注解 ),再通過電流互感器至橋式整流器 DB,產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過扼流線圈提供給主回 路使用 。電路的各項(xiàng)測(cè)控主要由一塊 8 位 4K 內(nèi)存的單片機(jī)組成 ,外圍線路簡(jiǎn)單且零件極少 ,并設(shè)有故障報(bào)警功能 ,故電路可靠性高 ,維修容易 ,維修時(shí)根據(jù)故障報(bào)警指示 ,對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路 ,大部分均可輕易解決。 序號(hào) 機(jī)型 顯示燈板 MCU 廠家代號(hào) 生產(chǎn)批號(hào)首兩位 1 TC18A DCLT1 18A 03 2 TC18E DCLT1 18E 03 3 TC20D DCLT2 03 第 15 頁 4 TC18C 03 5 TC18B 03 6 TC18J DCLT1 18J 02 7 TC18G DCLT2 02 8 TC18H DCLT2 02 9 TC18I DCLT2 02 10 TC18P DCLT1 18P 02 11 TC08X 03 12 TC08Y 03 備注：生產(chǎn)批號(hào)首兩位為 00 表示南海本部工廠生產(chǎn)。 并聯(lián) 1 只 10K 電阻在C3 兩端 ,測(cè)試完后拆除。 1V 風(fēng)扇應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng) 按 第 (15)項(xiàng)查 15 1~14 步驟合格再接入線盤試機(jī) ,電磁爐應(yīng)能正常啟動(dòng)加熱 按 第 (17)項(xiàng)查 主板測(cè)試不合格對(duì)策 (1) 上電不發(fā)出“ B”一聲 如果按開 /關(guān)鍵指示燈亮 ,則應(yīng)為蜂鳴器 BZ 不良 , 如果按開 /關(guān)鍵仍沒任何反應(yīng) ,再測(cè)CUP 第 16 腳 +5V 是否正常 ,如不正常 ,按下面第 (4)項(xiàng)方法查之 ,如正常 ,則測(cè)晶振 X1 頻率應(yīng)為 4MHz 左右 (沒測(cè)試儀器可換入另一個(gè)晶振試 ),如頻率正常 ,則為 IC3 CPU 不良。 (5) 待機(jī)時(shí) V9 電壓應(yīng)高于 (小于 R1 +22V),V8電壓應(yīng)小于 (CPU 19 腳待機(jī)時(shí)輸出低電平將 V8 拉低 ),此時(shí) V10 電壓應(yīng)為 Q8 基極與發(fā)射極的順向壓降 (約為 ),如果 V10 電壓為 0V,則查 R1 Q IC2D, 如果此時(shí) V10 電壓正常 ,則查 Q Q Q Q D19。 (12) D26 正極電壓過高或過低 過高檢查 D26 及接入的 30K 電阻 , 過低查 R5 C18。根據(jù)電路原理 ,電磁爐啟動(dòng)時(shí) , CPU 先從第 13 腳輸出試探 PWM 信號(hào)電壓 ,該信號(hào)經(jīng)過 PWM脈寬調(diào)控電路轉(zhuǎn)換為控制振蕩脈寬輸出的電壓加至 G點(diǎn) ,振蕩電路輸出的試探信號(hào)電壓再加至 IGBT 推動(dòng)電路 ,通過該電路將試探信號(hào)電壓轉(zhuǎn)換為足己另 IGBT 工作的試探信號(hào)電壓 ,另主回路產(chǎn)生試探工作電流 ,當(dāng)主回路有試探工作電流流過互感器 CT 初級(jí)時(shí) ,CT 次級(jí)隨即產(chǎn)生反影試探工作電流大小的電壓 ,該電壓通過整流 濾波后送至 CPU第 6 腳 ,CPU通過監(jiān)測(cè)該電壓 ,再與 VAC 電壓、 VCE 電壓比較 ,判別是否己放入適合的鍋具。 (3) 按 主板檢測(cè)表 測(cè)試到第 6 步驟時(shí)發(fā)現(xiàn) V16 為 0V,再按 主板測(cè)試不合格對(duì)策 第 (6)項(xiàng)方法檢查 ,結(jié)果發(fā)現(xiàn) CPU 第 11 腳擊穿 , 更換 CPU 后恢復(fù)正常。 (7) 按 主板檢測(cè)表 測(cè)試一切正常 , 再按 主板測(cè)試不合格對(duì)策 第 (17) 項(xiàng)方法檢查 ,結(jié)果發(fā)現(xiàn)互感器 CT 次級(jí)開路。原因?yàn)殡娏鞣答佇盘?hào)電壓不足 (處于可啟動(dòng)的臨界狀態(tài) )。 故障現(xiàn)象 5 : 插入電源電磁爐連續(xù)發(fā)出響 2 秒停 2 秒的“嘟”聲 ,指示燈不亮。 故障現(xiàn)象 7 : 插入電源電磁爐每隔 5 秒發(fā)出三長四短報(bào)警聲 (數(shù)顯型機(jī)種顯示 EE)。 處理 方法 : 檢查 C16 是否漏電、 R59 是否開路、 TH有否短路 (判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時(shí)簡(jiǎn)單用室溫或體溫對(duì)比 電阻值 溫度分度表 阻值 )。 分 析 : 電流容量為 15A 的保險(xiǎn)管一般自然燒斷的概率極低 ,通常是通過了較大的電流才燒 ,所以發(fā)現(xiàn)燒保險(xiǎn)管故障必須在換入新的保險(xiǎn)管后對(duì)電源負(fù)載作檢查。本案例的主要原因?yàn)榫д?X1 不良導(dǎo)至 CPU 死機(jī)而損壞 IGBT。結(jié)論 : 由于 R74 開路 ,造成加到 Q1 G 極上的開關(guān)脈沖前沿與 Q1 上產(chǎn)生的 VCE 脈沖后沿相不同步而另 IGBT 瞬間過流而擊穿 , IGBT 上產(chǎn)生的高壓同時(shí)亦另 Q Q Q9 擊穿 ,由于 IGBT擊穿電流大增 ,在保險(xiǎn)管未溶斷前整流橋 DB 也因過流而損壞。 分 析 : 此現(xiàn)象為 CPU 檢測(cè)到 IGBT 超溫的信息 ,而造成 IGBT 超溫通常有兩種 ,一種是散熱系統(tǒng) ,主要是風(fēng)扇不轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)速低 ,另一種是送至 IGBT G 極的脈沖關(guān)斷速度慢 (脈沖的下降沿時(shí)間過長 ),造成 IGBT 功耗過大而產(chǎn)生高溫。 處理 方法 : 檢查 C18 是否漏電、 R58 是否開路、鍋傳感器是否短路 (判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時(shí)簡(jiǎn)單用室溫或體溫對(duì)比 電阻值 溫度分度表 阻值 )。 處理 方法 : 檢查零檢測(cè)電路 R7 R1 R1 Q1 C D D2 均正常 ,根據(jù)原理分析 ,提供給過零檢測(cè)電路的脈動(dòng)電壓是由 D D2 和整流橋 DB 內(nèi)部交流兩輸入端對(duì)地的兩個(gè)二極管組成橋式整流電路產(chǎn)生 ,如果 DB 內(nèi)部的兩個(gè)二極管其中一個(gè)順向壓降過低 ,將會(huì)造成電源頻率一周期內(nèi)產(chǎn)生的兩個(gè)過零電壓其中一個(gè)并未達(dá)到 0V(電壓比正常稍高 ),Q11 在該過零點(diǎn)時(shí)間因基極電壓未能消失而不能截止 ,集電極在此時(shí)仍為低 電平 ,從而造成了電源每一頻率周期 CPU檢測(cè)的過零信號(hào)缺少了一個(gè)。 故障現(xiàn)象 3 : 開機(jī)電磁爐發(fā)出兩長三短的“嘟”聲 ((數(shù)顯型機(jī)種顯示 E2),響兩次后電磁爐轉(zhuǎn)入待機(jī)。 (8) 按 主板檢測(cè)表 測(cè)試一切正常 , 再按 主板測(cè)試不合格對(duì)策 第 (17) 項(xiàng)方法檢查 ,結(jié)果發(fā)現(xiàn) C31 漏電。 (4) 測(cè) Q1 G 極沒有試探電壓 ,再測(cè) V8 點(diǎn)也沒有試探電壓 , 再測(cè) G 點(diǎn)也沒有試探電壓 ,再測(cè) Q7 基極試探電壓正常 , 再測(cè) Q7 發(fā)射極沒有試探電壓 ,結(jié)果發(fā)現(xiàn) Q7 開路。二是互感器 CT 須流過足夠的試探工作電流 ,一般可通測(cè)試 Q1 是否正常可簡(jiǎn)單判定主回路是否正常 ,在主回路正常及加至 Q1 G 極的試探信號(hào)正常前提下 ,影響流過互感器 CT 試探工作電流的因素有工作電壓和鍋具。 (14) 動(dòng)檢時(shí) Q1 G 極試探電壓過高 檢查 R5 R5 C D29。如果測(cè) IC2C比較器輸入電壓為反向 ,再測(cè) V14 應(yīng)為 3V(低于 3V 查 R60、 C19),再測(cè) D28 正極電壓高于負(fù)極時(shí) ,應(yīng)檢查 D2C4,如果 D28 正極電壓低于負(fù)極 ,應(yīng)檢查 R IC2C。 (3) +22V故障 沒有 +22V時(shí) ,應(yīng)先測(cè)變壓器次級(jí)有否電壓輸出 ,如沒有 ,測(cè)初級(jí)有否 AC220V輸入 ,如有則為變壓器故障 , 如果變壓器次級(jí)有電壓輸出 ,再測(cè) C34 有否電壓 ,如沒有 ,則檢查 C34 是否短路、 D7~D10 是否不良、 Q4和 ZD1 這兩零件是否都擊穿 , 如果 C34 有電壓 ,而 Q4 很熱 ,則為 +22V 負(fù)載短路 ,應(yīng)查 C3 IC2 及 IGBT 推動(dòng)電路 ,如果 Q4 不是很熱 ,則應(yīng)為 Q4 或 R7 開路、 ZD1 或 C35 短路。 按 第 (10)項(xiàng)查 11 D24 正極 177。接上線盤試機(jī)前 ,應(yīng)根據(jù) 主板檢測(cè)表 對(duì)主板各點(diǎn)作測(cè)試后 ,一切符合才進(jìn)行。 ? 表中 “ MCU 廠家代號(hào)”欄目為產(chǎn)品型號(hào)中 TC 后面編號(hào)的，表示主控板通用，但板上無主芯片，需要換件并更換上被維修機(jī)種的原有 MCU 主芯片。 注解 : 由于中國大陸目前并未提出電磁爐須作強(qiáng)制性電磁兼容 (EMC)認(rèn)證 ,基于成本原因 ,內(nèi)銷產(chǎn)品大部分沒有將 CY CY2 裝上 ,L1 用跳線取代 ,但基本上不影響電磁爐使用性能。 (4) 關(guān)機(jī)時(shí)如 IGBT 溫度 50℃ ,CPU 發(fā)出風(fēng)扇繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)指令 ,直至溫