正文內容

清華大學模擬電子技術課件第一章華成英(編輯修改稿)

2026-06-20 01:24 本頁面

　

【文章內容簡介】增大，導電性增強。熱力學溫度 0K時不導電。華成英二、雜質半導體 1. N型半導體 5?磷（ P）雜質半導體主要靠多數載流子導電。摻入雜質越多，多子濃度越高，導電性越強，實現導電性可控。多數載流子空穴比未加雜質時的數目多了？少了？為什么？華成英 2. P型半導體 3?硼（ B）多數載流子 P型半導體主要靠空穴導電，摻入雜質越多，空穴濃度越高，導電性越強，在雜質半導體中，溫度變化時，載流子的數目變化嗎？少子與多子變化的數目相同嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？華成英三、 PN結的形成及其單向導電性物質因濃度差而產生的運動稱為擴散運動。氣體、液體、固體均有之。擴散運動 P區空穴濃度遠高于 N區。 N區自由電子濃度遠高于 P區。擴散運動使靠近接觸面 P區的空穴濃度降低、靠近接觸面N區的自由電子濃度降低，產生內電場。華成英 PN 結的形成因電場作用所產生的運動稱為漂移運動。參與擴散運動和漂移運動的載流子數目相同，達到動態平衡，就形成了 PN結。漂移運動由于擴散運動使 P區與 N區的交界面缺少多數載流子，形成內電場，從而阻止擴散運動的進行。內電場使空穴從 N區向 P區、自由電子從 P區向 N 區運動。華成英 PN結加正向電壓導通：耗盡層變窄，擴散運動加劇，由于外電源的作用，形成擴散電流， PN結處于導通狀態。 PN結加反向電壓截止：耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于漂移運動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認為其截止。 PN 結的單向導電性必要嗎？華成英清華大學華成英四、 PN 結的電容效應 1. 勢壘電容 PN結外加電壓變化時，空間電荷區的寬度將發生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容 Cb。 2. 擴散電容 PN結外加的正向電壓變化時，在擴散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴散電容 Cd。 dbj CCC ??結電容：結電容不是常量！若 PN結外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向導電性！華成英討論 ? 為什么將自然界導電性能中等的半導體材料制成本征半導體，導電性能極差，又將其摻雜，改善導電性能？ ? 為什么半導體器件的溫度穩定性差？是多子還是少子是影響溫度穩定性的主要因素？ ? 為什么半導體器件有最高工作頻率？華成英 167。 2 半導體二極管一、二極管的組成二、二極管的伏安特性及電流方程三、二極管的等效電路四、二極管的主要參數五、穩壓二極管華成英一、二極管的組成將 PN結封裝，引出兩個電極，就構成了二極管。小功率二極管大功率二極

點擊復制文檔內容

醫療健康相關推薦

清華大學模擬電子技術課件第一章華成英(編輯修改稿)

數字電子技術第一章-資料下載頁

光電子技術—清華大學-資料下載頁

模擬電子技術基礎第一章半導體器件-資料下載頁

電工技術課件第一章-資料下載頁

數字電子技術緒論第一章-資料下載頁

汽車電工電子技術第一章-資料下載頁

光電子技術第一章-資料下載頁

數字電子技術基礎第一章-資料下載頁

模擬電子技術基礎簡明教程第一章半導體器-資料下載頁

電路與模擬電子技術第一章第一節電路——電子講義福-資料下載頁

模擬電子技術基礎(楊素行)第一章半導體器件-資料下載頁

模擬電子技術基礎(李國麗)第一章習題答案-資料下載頁

模擬電子技術基礎第一章--常用半導體器件(2)-資料下載頁

電工與電子技術第一章安全用電常識-資料下載頁

清華模電課件第一章-資料下載頁

清華大學模擬電子技術課件第一章華成英-文庫吧在線文庫

清華大學模擬電子技術課件第一章華成英(完整版)

清華大學模擬電子技術課件第一章華成英(更新版)

清華大學模擬電子技術課件第一章華成英(專業版)

清華大學模擬電子技術課件第一章華成英(留存版)