正文內(nèi)容

半導(dǎo)體二極管及其基本電路(編輯修改稿)

2025-11-15 12:48 本頁(yè)面

　

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】流）。偏置 (bias) (1) 勢(shì)壘電容 CB（ Barrier) 勢(shì)壘電容是由空間電荷區(qū) 的離子薄層形成電容效應(yīng) 表現(xiàn)為：勢(shì)壘電容 CB（ barrier) 擴(kuò)散電容 CD (diffusion) 圖擴(kuò)散電容示意圖第三節(jié) (2) 擴(kuò)散電容 CD(Diffusion) 當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，擴(kuò)散電流即外電路電流的大小也就不同。所以 PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這就相當(dāng)電容的充放電過(guò)程。勢(shì)壘電容和擴(kuò) 散電容均是非線性電容。半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)類(lèi)型和符號(hào) 伏安特性主要參數(shù) 型號(hào)命名規(guī)則結(jié)構(gòu)類(lèi)型和符號(hào) 二極管 = PN結(jié) + 引線 + 管殼。類(lèi)型：點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型 (1) 點(diǎn)接觸型 — (a)點(diǎn)接觸型一、結(jié)構(gòu)類(lèi)型 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路 (c)平面型 (3) 平面型 — (2) 面接觸型 — (b)面接觸型二、符號(hào) 舊符號(hào) 新符號(hào) 陽(yáng)極 (Anode) 陰極 (Cathode) 標(biāo)記 D1 D2 Diode PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路往往用于集成電路制造工藝中。 PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。伏安特性 IS :反向飽和電流 VT =kT/q :溫度的電壓當(dāng)量室溫（ T=300 K）下， VT=26 mV 一、二極管方程（定量） )1(e TS ?? VVII理想二極管 (PN結(jié)）方程：圖理想二極管的伏安特性曲線定性 —— 單向?qū)щ娦? 主要參數(shù) (1) IF—— 最大整流電流 (2) VBR—— 反向擊穿電壓指二極管反向加電壓時(shí)，使反向電流突然增大時(shí)的電壓。不同的二極管有不同的反向擊穿電壓。一般手冊(cè)中給出的反向電壓是實(shí)際的一半。指正常功率下的正向平均電流；根據(jù)二極管功率不同，由幾 mA到幾百安培不等 (3) IR（ IS） —— 反向飽和電流

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