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晶體生長機理ppt課件(編輯修改稿)

2025-11-30 22:39 本頁面

　

【文章內容簡介】，這類晶體為閃爍晶體。 ? 應用：核醫學、核技術、空間物理等。非平衡材料研究室西安理工大學（ 9）半導體晶體 ? 定義：電阻率處于導電體（ 10 5 ?.cm）和絕緣體（ 1010 ?.cm ）之間的晶體為半導體晶體。 ? 應用：聲、光、電等。非平衡材料研究室西安理工大學（ 10）薄膜晶體 ? 定義： 1?m或以下厚度的晶體。 ? 應用：電子管和超大規模集成電路等。非平衡材料研究室西安理工大學（ 11） …… 晶體 ? 除了以上談到的晶體以外，尚有：鐵電、硬質、絕緣、敏感、熱光、超導體、快離子導體等等。非平衡材料研究室西安理工大學晶體生長單晶時原料（母相）狀態對生長方法進行分類：氣相液相固相非平衡材料研究室西安理工大學 1. 晶體生長方法分類晶體生長方法溶液生長法熔液生長法氣相生長法固相生長法薄膜生長法降溫，恒溫蒸發，溫差水熱，循環流動，凝膠等提拉，下降，焰熔，導模，冷坩堝，助熔劑區熔，浮區，基座等真空蒸發鍍膜，升華，氣相外延，化學氣相沉積等高壓，再結晶等真空蒸發，分子束外延，濺射，粒子束外延，液相外延，離子注入， LB膜等非平衡材料研究室西安理工大學科學發展要求晶體材料的數量、品質、品種等越來越高。晶體生長方法各有其特點，生產中采用哪一種完全要根據要求來確定。非平衡材料研究室西安理工大學 2. 晶體生長方法發展動向晶體生長技術發展動向完整性利用性功能性重復性雜質、缺陷的控制，特殊環境下生長等大尺寸、異形、薄膜等極端條件下生長，結構、組織的控制生長自動化，程序化，原材料規范化等非平衡材料研究室西安理工大學 3. 晶體生長研究方法晶體生長研究方法同其它材料的研究方法相同，除了嚴格控制晶體生長原材料之外，對晶體的結構、晶體的生長方法和晶體的性質進行研究是晶體生長研究的重點。由此可見：研究晶體生長必然以（ 1）晶體生長（ 2）晶體物理（ 3）晶體化學為基礎。簡言之：非平衡材料研究室西安理工大學晶體生長控制生長工藝生長設備生長理論生長方法晶體物理晶體化學形貌缺陷物性應用結構組成化學鍵相關系圖晶體學研究的基礎內容及相互關系非平衡材料研究室西安理工大學材料科學研究與發展方向（ 1）材料復合化（ 2）納米材料（ 3）智能材料（ 4）生物醫學材料（ 5） C60系列材料非平衡材料非平衡材料研究室西安理工大學 C－ CARBON 非平衡材料

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