模擬電子技術(shù)課后習(xí)題解答(編輯修改稿)

　

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 電極是 A ，基極是 C ，發(fā)射極是 B 。該三極管屬于 PNP 型，由 鍺 半導(dǎo)體材料制成。 37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數(shù)為 1； 電流跟隨器指共 基 極電路，指 電流 的放大倍數(shù)為 1。 38. 溫度對(duì)三極管的參數(shù)影響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)， CBOI 增加 ， ? 增加 ，正向發(fā)射結(jié)電壓 BEU 減小 ， CMP 減小 。 39. 當(dāng)溫度升高時(shí)，共發(fā)射極輸入特性曲線將 左移 ，輸出特性曲線將 上移 ，而且輸出特性曲線之間的間隔將 增大 。 40. 放大器產(chǎn)生非線性失真的原因是 三極管或場(chǎng)效應(yīng)管工作在非放大區(qū) 。 41. 在題圖 電路中，某一參數(shù)變化時(shí)， CEQV 的變化情況（ a. 增加， b，減小， c. 不變，將答案填入相應(yīng)的空格內(nèi)）。 （ 1） bR 增加時(shí)， CEQV 將 增大 。 （ 2） cR 減小時(shí)， CEQV 將 增大 。 （ 3） CR 增加時(shí)， CEQV 將 減小 。 （ 4） sR 增加時(shí)， CEQV 將 不變 。 （ 5） ? 減小時(shí)（換管子）， CEQV 將 增大 。 （ 6）環(huán)境溫度升高時(shí)， CEQV 將 減小 。 42. 在題圖 電路中，當(dāng)放大器處于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)，試分析電路狀態(tài)和性能的變化。（在相應(yīng)的空格內(nèi)填 “增大 ”、 “減小 ”或 “基本不變 ”。） （ 1）若 bR 阻值減小，則靜態(tài)電流 IB 將 增大 ， CEV 將 減小 ，電壓放大倍數(shù) vA 將 增大 。 題圖 （ 2）若換一個(gè) ? 值較小的晶體管，則靜態(tài)的 BI 將 不變 ， CEV 將 增大 ，電壓放大倍數(shù) vA將 減小 。 （ 3）若 CR 阻值增大，則靜態(tài)電流 BI 將 不變 ， CEV 將 減小 ，電壓放大倍數(shù) vA 將 增大 。 43. 放大器的頻率特性表明放大器對(duì) 不同頻率信號(hào) 適應(yīng)程度。表征頻率特性的主要指標(biāo)是 中頻電壓放大倍數(shù) ， 上限截止頻率 和 下限截止頻率 。 44. 放大器的頻率特性包括 幅頻響應(yīng) 和 相頻響應(yīng) 兩個(gè)方面，產(chǎn)生頻率失真的原因是 放大器對(duì)不同頻率的信號(hào)放大倍數(shù)不同 。 45. 頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)的情況下， 放大器對(duì)不同頻率的正弦信號(hào)的穩(wěn)態(tài)響應(yīng) 。 46. 放大器 有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 線性 失真和 非線性 失真。 47. 幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限頻率被稱為 截止頻率 。 48. 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號(hào)時(shí)，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 耦合電容和旁路電容的影響 ；高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 放大器件內(nèi)部的極間電容的影響 。 49. 單級(jí)阻容耦合放大電路加入頻率為 LH ff 和 的輸入信號(hào)時(shí)，電壓增益的幅值比中頻時(shí)下降了 3 dB，高、低頻輸出電壓與中頻時(shí)相比有附加相移，分別 為 45186。 和 +45186。 。 50. 在單級(jí)阻容耦合放大電路的波特圖中，幅頻響應(yīng)高頻區(qū)的斜率為 20dB/十倍頻 ，幅頻響應(yīng)低頻區(qū)的斜率為 20dB/十倍頻 ；附加相移高頻區(qū)的斜率為 45186。/十倍頻 ，附加相移低頻區(qū)的斜率為 +45186。/十倍頻 。 51. 一個(gè)單級(jí)放大器的下限頻率為 100Hz?Lf ， 上限頻率為 30kHz?Hf ， 40dBVM ?A? ，如果輸入一個(gè) )t00015sin(100, ?mV 的正弦波信號(hào)，該輸入信號(hào)頻率為 50kHz ，該電路 不會(huì) 產(chǎn)生波形失真。 52. 多級(jí)放大電路與組成它的各個(gè)單級(jí)放大電路相比，其通頻帶變 窄 ，電壓增益 增大 ，高頻區(qū)附加相移 增大 。 二、判斷題 1. 下列三極管均處于放大狀態(tài)，試識(shí)別其管腳、判斷其類型及材料，并簡(jiǎn)要說(shuō)明理由。 （ 1） ， 5V， 3V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管 VBE= V 所以為鍺管； 5V 為集電極， 為基極， 3V 為發(fā)射極， （ 2）－ 9V，－ 5V，－ 解：硅 PNP 型 BJT 管；－ 9V 為集電極，－ 為基極，－ 5V 為發(fā)射極 （ 3） 2V， ， 6V； 解： 硅 NPN 型 BJT 管 ； 6V 為集電極， 為基極， 2V 為發(fā)射極 （ 4） 5V， ， ； 解：硅 NPN 型 BJT 管； 5V 為集電極， 為基極， 為發(fā)射極 題圖 （ 5） 9V， ， 4V 解：硅 PNP 型 BJT 管 9V 為發(fā)射極， 為基極， 4V 為集電極 （ 6） 10V， ， 0V 解：硅 PNP 型 BJT 管， 10V 為發(fā)射極， 為基極， 0V 為集電極 （ 7） ， ， 12V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 12V 為集電極， 為基極， 為發(fā)射極， （ 8） 13V， ， 17V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管， 17V 為集電極， 13V 為基極， 為發(fā)射極， （ 9） ， 6V， 9V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 9V 為集電極， 為基極， 6V 為發(fā)射極， 2. 判斷三極管的工作狀態(tài)和三極管的類型。 1 管： 。4,2 VVVVVV CEB ????? 答： NPN 管，工作在放大狀態(tài)。 2 管： 。,6 VVVVVV CEB ??? 答： NPN 管，工作在飽和狀 態(tài)。 3 管： 。VV,VV CEB 7301 ????? 答： NPN 管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。 3. 題圖 所列三極管中哪些一定處在放大區(qū)？ 答：題圖 所列三極管中，只有圖（ D）所示的三極管處在放大區(qū)。 4. 放大電路故障時(shí)，用萬(wàn)用表測(cè)得各點(diǎn)電位如題圖 ，三極管可能發(fā)生的故障是什么？ 答：題圖 所示的三極管， B、 E 極之間短路，發(fā)射結(jié)可能燒穿。 5. 測(cè)得晶體管 3 個(gè)電極的靜態(tài)電流 分別為 ， 和 ，則該管的 ? 為 ① 。 ① 為 60。 ② 為 61。 ③ 。 ④ 無(wú)法確定。 6. 只用萬(wàn)用表判別晶體管 3 個(gè)電極，最先判別出的應(yīng)是 ② b 極 。 ① e 極 ② b 極 ③ c 極 7. 共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對(duì)直流而言其 ① 。 題圖 題圖 6V 3V A 6V C 3V D 5V 0V B ① 輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。 ② 輸入和輸出均具近似的恒流特性。 ③ 輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。 ④ 輸入具有近似的恒流特性，而輸出 具有恒壓特性。 8. 共發(fā)射極接法的晶體管，當(dāng)基極與發(fā)射極間為開(kāi)路、短路、接電阻 R 時(shí)的 c， e 間的擊穿電壓分別用 V（ BR） CEO ， V（ BR） CES和 V（ BR） CER表示，則它們之間的大小關(guān)系是 ② 。 ① V（ BR） CEO＞ V（ BR） CES＞ V（ BR） CER。 ② V（ BR） CES＞ V（ BR） CER ＞ V（ BR） CEO。 ③ V（ BR） CER＞ V（ BR） CES＞ V（ BR） CEO。 ④ V（ BR） CES＞ V（ BR） CEO＞ V（ BR） CER。 9．題圖 所示電路中，用 直流電壓表測(cè)出 VCE≈0V，有 可能是 因?yàn)? C 或 D 。 A Rb 開(kāi)路 B Rc 短路 C Rb 過(guò)小 D ? 過(guò)大 10. 測(cè)得電路中幾個(gè)三極管的各極對(duì)地電壓如題圖 所示。試判斷各三極管的工作狀態(tài)。 答：題圖 所示的各個(gè)三極管的工作狀態(tài)，圖（ a）為放大， 圖（ b）為放大 ，圖（ c）為飽和， 圖（ d）為 C、 E 極間 擊穿。 11. 用萬(wàn)用表直流電壓檔測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地電位，如題圖 示，試判斷這些晶體管分別處于哪種工作狀態(tài)（飽和、放大、截止或已損壞）？ 題圖 題圖 (b) (c) (d) (a) 答：題圖 所示的各個(gè)三極管的工作狀態(tài)，圖（ a）為損壞， 圖（ b）為放大， 圖（ c）為放大， 圖（ d）為截止， 圖（ e）為損壞，圖（ f）為飽和（或 B、 C 極間擊穿）。 12. 放大電路如題 圖 所示，對(duì)于射極電阻 eR 的變化是否會(huì)影響電壓放大倍數(shù) vA 和輸入電阻 iR 的問(wèn)題，有三種不同看法，指出哪一種是正確的？ 甲：當(dāng) eR 增大時(shí)，負(fù)反饋增強(qiáng)，因此 ?vA 、 ?iR 。（ ） 乙：當(dāng) eR 增大時(shí)，靜態(tài)電流 CI 減小，因此 ?vA 、 ?iR 。（ ） 丙：因電容 eC ，對(duì)交流有旁路作用，所以 eR 的變化對(duì)交流量不會(huì)有絲毫影響，因此，當(dāng) eR 增大時(shí)， vA 和 iR 均無(wú)變化。 解：本題意在我們要搞清 eR ，在分壓式電流負(fù)反饋偏置電路中的作用，從表面看， eR被 eC 交流旁路了，對(duì)交流量無(wú)影響（即不產(chǎn)生交流負(fù)反饋），所以 eR 的變化不影響 uA 和 iR ，這是本題容易使我們產(chǎn)生錯(cuò)覺(jué)的地方。但我們還必須進(jìn)一步考慮，盡管 eR 不產(chǎn)生交流負(fù)反饋，但它對(duì)放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)的影響是很大的，既然影響到 CQI ，就影響到 ber 進(jìn)而影響 uA和 iR 。 題圖 甲的說(shuō)法是錯(cuò)誤的，原因：因 eC 的旁路作用，所以 eR 不產(chǎn)生交流負(fù)反饋，所以甲的觀點(diǎn)前提就是錯(cuò)的。 乙的說(shuō)法是正確的。原因： 。)( ??????? ubeEQCQe ArIIR ???? ibebibe RrRRr ,//,? 丙的說(shuō)法是錯(cuò)誤的，原因：正如解題分析中所說(shuō)，盡管 eR 不產(chǎn)生負(fù)反饋，但 eR 增大使EQEQ ，II 減小 的減小必然引起 uA 減小和 iR 的增加。 主觀檢測(cè)題 把一個(gè)晶體管接到電路中進(jìn)行測(cè)量，當(dāng)測(cè)量 時(shí)AIB ?6? ，則 mAIC ? ，當(dāng)測(cè)得mA，IAI CB ?? 時(shí)? ，問(wèn)這個(gè)晶體管的 ? 值是多少？ CEOCBO II 和 各是多少？ 解：根據(jù)電流關(guān)系式： C B C B OI I ( )I ,??? ? ?1 可 得 CB OI)1(mA0 ?????? （ 1） C B OI)1( ?????? （ 2） 將（ 1）、（ 2）兩式聯(lián)立，解其聯(lián)立方程得： CBOI . A????6 0 0 6 6 進(jìn)而可得： C E O C B OI ( ) I . A A? ? ?? ? ? ? ?1 0 6 6 6 1 4 0 根據(jù)題圖 所示晶體三極管 3BX31A 和輸出特性曲線，試求 Q 點(diǎn)處 VVCE 3? ，值和值和的 ????? ，AI,mAI BC 1504 ?? 。 題圖 解： CBI mAI . m A? ? ? ?4 2020 ， .?? ???? 0 951 CBI mAI . m A?? ?? ? ?2 2020 .?? ???? 0 951 硅三極管的 CBO，I50?? 可以忽略，若接為題圖 （ a），要求 mAIC 2? ，問(wèn) ER 應(yīng)為多大？現(xiàn)改接為圖 (b)，仍要求 BC RmAI 問(wèn),2? 應(yīng)為多大？ 解： （ a） ? ?CB I mAIA??? ? ?2 4050 ? ?? ?EBBEEEBEEEI I . m AVIRV .R . kI.??? ? ???? ?? ? ?1 2 0466 6 0 7 262 04 （ b） ? ?CB I mAIA??? ? ?2 4050 C C B EB BVV .RkI. ?? ?? ? ?6 0 7 1320 0 4 在晶體管放大電路中，測(cè)得三個(gè)晶體管的各個(gè)電極的電位如題圖 所示，試判斷各晶體管的類型（ PNP 管還是 NPN 管，硅管還是 鍺管），并區(qū)分 e、 b、 c 三個(gè)電極。 題圖 (a) (b) 題圖 (a) (b) (c) 解：題圖 （ a）所示的晶體管為鍺 NPN 管 ，三個(gè)引腳分別為 ① e 極、 ② b 極、 ③ c極。 題圖 (b) 所示的晶體管為硅 PNP 管，三個(gè)引腳分別為 ① c 極、