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年產(chǎn)1500噸多晶硅項(xiàng)目可行性研究報(bào)告(編輯修改稿)

2026-01-07 10:20 本頁(yè)面

　

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】裝物個(gè) /a 600000 三公用工程消耗量 1 新鮮水 t/a 3126000 2 電 KWh/a 360000000 3 蒸氣 t/a 525000 4 裝置空氣（正常） NM3/h 45（最大） 5 儀表空氣（正常） NM3/h （最大） 6 氮?dú)猓ㄕ＃? NM3/h 1932 2317（最大）四三廢排放量 1 廢氣 NM3/h 109 2 廢水 M3/h 110 不含初期雨水 3 廢渣 t/a 225 五運(yùn)輸量 1 運(yùn)入量 t/a 3900 2 運(yùn)出量 t/a 1950 3 總運(yùn)輸量 t/a 5850 六全廠定員人 212 七建筑面積 M2 46800 6 八項(xiàng)目總投資萬(wàn)元 150000 1 固定資產(chǎn)投資萬(wàn)元 120200 九財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)指標(biāo) 1 年均銷(xiāo)售收入萬(wàn)元 109080 2 年平均利潤(rùn) 萬(wàn)元 41081 3 內(nèi)部收益率稅前 % 稅后 % 4 投資回收期稅前年含建設(shè)期 2 年稅后年含建設(shè)期 2 年 5 投資利潤(rùn)率 % 投資利稅率 % 35 6 盈虧平衡點(diǎn) % 、社會(huì) 效果目前，國(guó)內(nèi)外多晶硅供不應(yīng)求，多晶硅價(jià)格一路攀升，因此投資多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目會(huì)有理想的經(jīng)濟(jì)效益，并對(duì)我國(guó)多晶硅材料行業(yè)的發(fā)展和太陽(yáng)能光伏發(fā)電行業(yè)的高速發(fā)展將起到積極的推進(jìn)作用。本項(xiàng)目擬建在 **省 **經(jīng)濟(jì) 開(kāi)發(fā)區(qū) ，將享受?chē)?guó)內(nèi)同等技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的優(yōu)惠政策包括土地、稅收、貸款、電價(jià)及市政優(yōu)質(zhì)服務(wù)。原料供應(yīng)和產(chǎn)品運(yùn)輸十分方便，是理想的投資環(huán)境。同時(shí)，將給地方提供勞動(dòng)就業(yè)機(jī)會(huì)和稅收，帶動(dòng)地方經(jīng)濟(jì)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。、環(huán)境效果本項(xiàng)目采用目前國(guó)際先進(jìn)的工藝技術(shù)，以四氯化硅、硅粉、氫氣為原料，氯氫化合成三氯氫硅，污染物排放量少，所有的廢水、廢氣均采取了可行的處理方法進(jìn)行處理，處理后的廢水、廢氣可以達(dá)到國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的排放指標(biāo)。本項(xiàng)目的大部分固體廢物可綜合利用，需要進(jìn)行堆放的廢渣中不含有毒有害物質(zhì)，可以直接堆放。因此本項(xiàng)目符合清潔生產(chǎn)的要求。充分考慮工廠總體布置的安全性，順應(yīng)生產(chǎn)流程布置，嚴(yán)格執(zhí)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范，并考慮各類(lèi)工藝生產(chǎn)裝置之間的防火間距，以及工藝生產(chǎn)裝置與重要輔助設(shè)施、罐區(qū)、道路、行政設(shè)施等的防火間距。項(xiàng)目?jī)?nèi)容、建設(shè)規(guī)模 7 引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)、工藝設(shè)備（部分），通過(guò)集成、消化吸收、創(chuàng)新，建設(shè) 1500 噸／年太陽(yáng)能級(jí)多晶硅（產(chǎn)品質(zhì)量按中檔電路級(jí)設(shè)計(jì) ）生產(chǎn)廠，從工藝和規(guī)模經(jīng)濟(jì)，以及市場(chǎng)容量而言，是比較合適的規(guī)模。 1500 噸／年一條生產(chǎn)線，不僅具備規(guī)模效應(yīng)，且技術(shù)成熟可靠，系統(tǒng)主工藝及公用工程的配置都不存在工程技術(shù)障礙，能量及物料的綜合利用等更平衡合理。、工藝技術(shù) 、工藝技術(shù)概況本項(xiàng)目采用目前國(guó)外普遍采用的改良西門(mén)子工藝，即經(jīng)過(guò)精餾提純的三氯氫硅在純氫氣氣氛下，在 1080℃ 的硅芯表面沉積，生成多晶硅，產(chǎn)品為棒狀。還原反應(yīng)后的“尾氣”通過(guò)低溫吸收法分離回收，分離出的氯硅烷到精餾提純，氫氣回還原爐循環(huán)使用，氯化氫到氯氫化合成單元合成三氯氫硅。從精餾分離出的四氯化硅也回到氯氫化合成爐轉(zhuǎn)化為三氯氫硅，精餾的產(chǎn)品三氯氫硅則到還原爐生產(chǎn)多晶硅，解決了國(guó)內(nèi) 多晶硅廠家一直沒(méi)有解決的 “ 四氯化硅的綜合利用 ” 問(wèn)題。該工藝是大部分物料在系統(tǒng)內(nèi)部循環(huán)的相對(duì)封閉的系統(tǒng)，技術(shù)成熟，生產(chǎn)穩(wěn)定、安全、可靠、產(chǎn)品質(zhì)量最穩(wěn)定。完整的改良西門(mén)子工藝法的主要流程有以下工藝環(huán)節(jié)：氯氫化合成三氯氫硅 → 三氯氫硅精餾提純 → 多晶硅還原 → 還原尾氣回收 → 產(chǎn)品處理及分析 → 三廢處理 → 輔助及配套公用工程、自動(dòng)化控制根據(jù)裝置的具體情況，裝置工藝操作要求自動(dòng) 化水平很高，大部分生產(chǎn)過(guò)程控制、操作參數(shù)顯示均要求集中在控制室進(jìn)行。針對(duì)以上工藝特點(diǎn)及操作要求，對(duì)工藝生產(chǎn)裝置采用 DCS 集中控制，對(duì)生產(chǎn)裝置進(jìn)行監(jiān)控、操作，高度集中，強(qiáng)化管理。在車(chē)間綜合樓設(shè)置中央控制室，中央控制室設(shè)置帶 CRT 顯示器的操作站進(jìn)行顯示和操作。中央控制室的顯示器互為備用，一旦某臺(tái)操作站出現(xiàn)故障，則可通過(guò)其它操作站進(jìn) 行操作和控制。另外中央控制室設(shè)置兩臺(tái)打印機(jī)，分別用來(lái)打印報(bào)表和報(bào)警信息。為保證生產(chǎn)的安全運(yùn)行，中央控制室為冗余型。空壓站、制氮站、冷凍站、循環(huán)水系統(tǒng)設(shè)置就地控制室，選用常規(guī)儀表對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)控。 8 、主要設(shè)備選擇主要設(shè)備選擇原則關(guān)鍵

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