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多晶硅生產工藝和反應原理講解課件-資料下載頁

2026-06-07 01:40本頁面

　　

【正文】三氯氫硅合成氣干法分離工序類似。SiHCl3合成還原爐純氫還原尾氣還原爐還原 HCl吸附柱冷卻脫吸塔氫氣洗滌塔 HHClSiCl4吸收塔氯硅烷壓縮機水冷器分離塔過冷器 SiHCl3 SiCl4圖6－1 干法回收工藝流程圖10硅芯制備及產品整理 (1)硅芯制備硅芯制備過程中，需要用氫氟酸和硝酸對硅芯進行腐蝕處理，再用超純水洗凈硅芯，然后對硅芯進行干燥。(2)產品整理用氫氟酸和硝酸對塊狀多晶硅進行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對多晶硅塊進行干燥。切料水洗腐蝕清洗烘干裝爐拉制出爐檢測腐蝕11廢氣及殘液處理(1)工藝廢氣處理用NaOH溶液洗滌，廢氣中的氯硅烷(以SiHCl3為例)和氯化氫與NaOH發生反應而被去除。SiHCl3+3H20=Si02H20↓+3HCl+H2HC1+NaOH=NaC1+H20廢氣經液封罐放空。含有NaCl、Si02的出塔底洗滌液用泵送工藝廢料處理。(2)精餾殘液處理從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體，加入Na0H溶液使氯硅烷水解并轉化成無害物質。水解和中和反應SiCl4+3H2O=SiO2H2O↓+4HClSiHCl3+3H2O=SiO2H2O↓+3HCl+H2SiH2Cl3+3H2O=SiO2H2O↓+3HCl+H2NaOH+HCl=NaCl+H2O經過規定時間的處理，用泵從槽底抽出含SiONaCI的液體，送工藝廢料處理。12酸洗尾氣處理產品整理及硅芯腐蝕處理揮發出的氟化氫和氮氧化物氣體，用石灰乳液作吸收劑吸收氟化氫；以氨為還原劑、非貴重金屬為催化劑，將NOX還原分解成N2和水。2HF+Ca(OH)2=CaF2↓+H206N02+8 NH3=7 N2↓+12 H206 N0+4 NH3=5 N2↓+6 H2013酸洗廢液處理硅芯制各及產品整理工序含廢氫氟酸和廢硝酸的酸洗廢液，用石灰乳液中中和，生成氟化鈣固體和硝酸鈣溶液，處理后送工藝廢料處理。2HF+Ca(OH)2=CaF2↓+H2O2HNO3+Ca(OH)2=Ca(NO3)2+H2O第五節多晶硅生產裝置表多晶硅生產裝置表裝置名稱作用主工藝HCL、TCS合成制備HCL和SiHCL3TCS精餾提純SiHCL3還原還原SiHCL3制得純硅轉化將還原爐尾氣中的SiCL4加氫轉化成SiHCL3回收回收還原爐、轉化爐的尾氣，將尾氣中的HHCL、SiHCL3和SiCL4提純并分離分別返回相應工藝系統回用。硅芯制備制作原始硅棒產品處理硅成品破碎包裝檢驗生產過程物料及成品檢驗輔助設施制氫站主工藝原料制氮站主要作保護器供熱系統給主工藝供熱冷凍系統給主工藝供冷循環水系統供主工藝冷卻廢物處理系統環保設施第六節多晶硅發展主要看以下幾方面1. 多晶硅的成本太高(包括生產成本,經營管理成本等). 試想一下,如果發一度電所需要的基本原料成本比買一度電還高,那還怎么長久發展啊.(這還沒包括單晶和太陽能電池的制作成本,況且多晶硅材料隨著發電時間性能衰變,也就能用1020年時間).2. 環境成本巨大.多晶硅高污染行業,對于環境治理的投資非常大,對環境的后續影響是長期的,這個成本是無法估量的.3. 投資巨大,對整個經濟拉動卻不大. 每一千噸多晶硅項目現在來說需要投資8個億人民幣,且很多需要進口,帶動的是短期的固定資產投資.4 社會效益不明顯. 隨著自動化程度的提高,每一千噸多晶硅項目,只能帶動300人就業,而8個億的投資,要是投入到老動密集一點的產業,能帶動幾千人就業. 中國畢竟還比較落后,老百姓需要吃飯,老板賺的再多,那也是他個人啊,老百姓還很苦啊，國家支持項目主要也得從這方面考慮.,生產技術勿待提高.多晶硅要想發展,唯一的途徑就是提高純度,大幅度降低成本.附件：多晶硅材料小知識A、太陽能級多晶硅料技術要求：總體要求：% 含硼量：含磷量：含碳量：金屬含量：金屬表面含量：尺寸大小要求：25mm250mm 多晶種類：P型電阻率：ohmcm B、破碎半導體級硅片技術要求：半導體級碎硅片片子形狀為圓弧形碎片硅片厚度=400um 型號為P型電阻率：ohmcm C、小多晶硅技術要求1. 型號為N型，電阻率大于50ohm,碳含量小于5*1016/cm3,氟含量小于 5*1017/cm32. 塊狀為4mm3. 不能有氧化物夾層和不熔物，最好為免洗料 D、直拉多晶硅技術要求，電阻率大于100ohmcm, 硼檢為P型，碳含量小于1016cm3,氧含量小于1017 cm32. 塊狀小于30mm3. 不能有氧化物夾層和不熔物，最好為免洗料E、區熔頭尾料技術要求1. N型，電阻率大于50chmom 少數載流子壽命大于100μm2. 塊狀大于 30mm3. 區熔頭尾料不能有氣泡，不能有與線圈接觸所造成的沾污，更不能有區熔過程的流硅或不熔物。4. 最好為免洗料F、直拉頭尾料（IC料），最好為免洗料1. N型，電阻率大于10ohmom2. P型，電阻率大于 3. 塊狀大于30mm，4. 直拉頭尾料不能氣泡，更不能有不熔物29 / 29

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