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多晶硅車間工藝培訓(xùn)-資料下載頁

2026-07-17 11:50本頁面

【導(dǎo)讀】經(jīng)提純的三氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。混合，經(jīng)三層套管換熱器加熱后經(jīng)進(jìn)氣管噴頭噴入還原爐內(nèi)。另一路（側(cè)路氫）用于還。硅發(fā)生氫還原反應(yīng)，生成硅沉積下來，使硅芯硅棒的直徑逐漸變大。應(yīng)沉積過程，制得直徑為120～150mm，長20xxmm的多晶硅棒，即為高純多晶硅產(chǎn)品。還原爐內(nèi)的石墨電極用去離子冷卻水冷卻，進(jìn)水口取樣測量去離子水的電。導(dǎo)率及純度，以防對還原爐電極造成損害。正常，尾氣經(jīng)循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。三氯氫硅氫還原反應(yīng)都是吸熱反應(yīng)，因此升高溫度使平衡向吸熱一方移動(dòng)，因此，在生產(chǎn)中采用1080℃~1100℃左右進(jìn)行三氯氫硅氫還原反應(yīng)。所謂反應(yīng)混合氣配比是指還原劑氫氣和原料三氯氫硅的摩爾比。這是由于氫氣不足，發(fā)生其它副。增大氣體流量后，使?fàn)t內(nèi)氣體揣動(dòng)程度隨之增加。這將有效地消除灼熱載體。降低，同時(shí)增大了干法回收崗位的工作量。生產(chǎn)時(shí)間，有利于提高多晶硅的生產(chǎn)效率。

　　

【正文】加料兩中技術(shù)：重新加料直拉生長技術(shù)：可節(jié)約大量時(shí)間（生長完畢后的降溫、開爐、裝爐等），一個(gè)坩堝可用多次。連續(xù)加料直拉生長技術(shù)：除了具有重新裝料的優(yōu)點(diǎn) 外，還可保持整個(gè)生長過程中熔體的體積恒定，提高基本穩(wěn)定的生長條件，因而可得到電阻率縱向分布均勻的單晶。連續(xù)加料直拉生長技術(shù)有兩種加料法：連續(xù)固體送料和連續(xù)液體送料法。（ 10）液體覆蓋直拉技術(shù)：是對直拉法的一個(gè)重大改進(jìn)，用此法可以制備多種含有揮發(fā)性組元的化合物半導(dǎo)體單晶。主要原理：用一種惰性液體（覆蓋劑）覆蓋被拉制材料的熔體，在晶體生長室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的分解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常的直拉技術(shù)進(jìn)行單晶生長。 b. 懸浮區(qū)熔法：主要用于提純和生長硅單晶。其基本原理是：依靠熔體的表面張力，使熔區(qū)懸浮于多晶硅棒與下方生長出的單晶之間，通過熔區(qū)向上移動(dòng)而進(jìn)行提純和生長單晶。具有如下特點(diǎn)：不使用坩堝，單晶生長過程不會(huì)被坩堝材料污染；由于雜質(zhì)分凝和蒸發(fā)效應(yīng)，可以生長出高電阻率硅單晶。：用于制備多晶硅太陽電池所用的硅原片，它是一種定向凝固法，晶體呈現(xiàn)片狀生長過程和結(jié)構(gòu)。（二）工藝流程：切料水洗腐蝕清洗烘干裝爐拉制出爐檢測腐蝕將達(dá)到工藝要求的硅芯料，根據(jù)直徑大小計(jì)算出拉制成一定直徑和長度硅芯所需的長度，用切割機(jī)進(jìn)行切割。將切割好的料先用自來水清洗干凈，再用 HNOHF 進(jìn)行腐蝕，以除去表面油污和雜質(zhì)。腐蝕好后硅芯放入烘箱內(nèi)烘干水分，烘干后的硅芯就可送入硅芯爐內(nèi)拉制，出爐后檢測硅芯最后質(zhì)量，根據(jù)檢測數(shù)據(jù)對硅芯進(jìn)行選配，再進(jìn)行腐蝕就可作為沉積硅的裁體了。四、鐘罩清洗多晶硅沉積過程結(jié)束后反應(yīng)爐圓頂移開，用吊車移動(dòng)到清洗單元。清洗開始之前，圓頂固定在廢水槽上。去離子水用熱水循化系統(tǒng)中的熱水加溫至 80 攝氏度。經(jīng)過高壓泵加壓，高壓去離子水用高壓噴嘴噴射到圓頂內(nèi)壁上，去除粉塵和沉積時(shí)圓頂上的沉積層。清洗之后，圓頂用氮干燥。收集在廢水槽的廢水用廢水泵排到污水處理廠。由于高壓水清洗有危險(xiǎn)，當(dāng)圓頂沒有完全覆蓋廢水時(shí)，高壓泵將自動(dòng)關(guān)閉。五、廢氣及殘液處理廢氣及殘液處理工序、含氯化氫工藝廢氣凈化提純工序排放的廢氣、還原爐開停車、事故排放廢氣、氯硅烷及氯化氫儲(chǔ)存工序儲(chǔ)罐安全泄放氣、吸附廢氣全部用管道送入廢氣淋洗塔洗滌。廢氣經(jīng)淋洗塔用連續(xù)洗滌后出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序，尾氣經(jīng)高度排氣筒排放。殘液處理在精餾塔中排出的、主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的釜地殘液以及裝置停車放凈的氯硅烷殘液液體送到本工序加以處理。需要處理的液體被送入殘液收集槽。然后用氮?dú)鈱⒁后w壓出，送入殘液淋洗塔洗滌。采用堿液進(jìn)行處置。廢液中的氯硅烷與 NaOH 和水發(fā)生反應(yīng)而被轉(zhuǎn)化成無害的物質(zhì)（處理原理同含氯化氫、氯硅烷廢氣處理）。第七節(jié) 超純水制取水中所含雜質(zhì)通常分為兩類，一類為導(dǎo)電的雜質(zhì)，另一類為不導(dǎo)電的雜質(zhì)。若先除去了非導(dǎo)電雜質(zhì)則水的質(zhì)量將由導(dǎo)電雜質(zhì)的多少來確定。而導(dǎo)電的雜質(zhì)在水中一般為離子狀態(tài)。隨著半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展，特別是近年來大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)，一般純水還存在著較大的顆粒和一定的懸浮物，而不能滿足工藝的需要，因此對水的要求更高了。超純水是將純水在惰性氣體保護(hù)下，經(jīng)化學(xué)處理，蒸餾以及紫外照射殺菌等方法處理后而獲得。其純度達(dá) 7 個(gè) “9”以上，水的電阻率可達(dá) 18 MΩcm以上。化工序制得的超純水，大部分用作硅塊（芯）腐蝕單元和鐘罩清洗單元的清洗水，少許運(yùn)送到實(shí)驗(yàn)室 T700 作配置試劑、進(jìn)樣溶劑所用。脫鹽水脫鹽水箱脫鹽水泵 U V 2 5 4 0 . 4 5 u m 濾膜E D I 裝置高純水循環(huán) 水箱高純水增壓泵膜脫氣裝置T O C 脫除器 10 . 2 2 u m 膜濾器一級拋光混床高純水循環(huán) 泵換熱器T O C 脫除器 2二級拋光混床U V 2 5 40 . 0 4 u m 膜濾器回水 U V 殺菌背壓閥用戶制得的超純水滿足以下標(biāo)準(zhǔn)：主要項(xiàng)目指標(biāo) 電阻率 ≥18MΩ pH ~ 溫度 22177。2℃ TOC 10ppb 細(xì) 菌總數(shù) 3 個(gè) /ml 顆粒度（直徑） 150 個(gè) /ml

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