基于單片機(jī)的電阻電容電感測(cè)試儀畢業(yè)論文-資料下載頁

　　

【正文】 適的修正值來盡可能的減少本測(cè)試系統(tǒng)的誤差。設(shè)計(jì)總結(jié)376 結(jié)論與展望畢業(yè)論文是一次非常好的將理論與實(shí)際相結(jié)合的機(jī)會(huì)，通過對(duì)電阻、電容、電感測(cè)試儀的課題設(shè)計(jì)，鍛煉了我的實(shí)際動(dòng)手能力，增強(qiáng)了我解決實(shí)際工程問題的能力，同時(shí)也提高我查閱文獻(xiàn)資料、設(shè)計(jì)規(guī)范以及電腦制圖等其他專業(yè)能力水平。本設(shè)計(jì)的硬件電路圖簡(jiǎn)單,可降低生產(chǎn)成本。采用單片機(jī)可提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,縮小系統(tǒng)的體積,調(diào)試和維護(hù)方便，而且以 MCS51 單片機(jī)最小系統(tǒng)為核心的設(shè)計(jì)能夠滿足了整個(gè)系統(tǒng)的工作需求，555 振蕩器實(shí)現(xiàn)了被測(cè)電阻和被測(cè)電容參數(shù)的頻率化，電容三點(diǎn)式振蕩電路實(shí)現(xiàn)了被測(cè)電感參數(shù)的頻率化，被測(cè)頻率通過 CD4052 模擬開關(guān)送入單片機(jī)計(jì)數(shù)，再經(jīng)過顯示電路顯示被測(cè)參數(shù)的測(cè)量值，軟件用 C 語言編程，根據(jù)具體情況控制啟動(dòng)被測(cè)參數(shù)的相應(yīng)程序,能靈活控制被測(cè)參數(shù)的檔位切換。經(jīng)過測(cè)試，系統(tǒng)各個(gè)模塊都能正常共組，成功地達(dá)到了設(shè)計(jì)的硬件要求。系統(tǒng)的軟件部分是系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)各種工作狀態(tài)的關(guān)鍵。通過結(jié)合硬件電路，在Keil51 的平臺(tái)上，使用 C 語言與匯編語言混合編程編寫了系統(tǒng)應(yīng)用程序，使程序能夠正常運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)的要求。總之，整個(gè)系統(tǒng)的工作正常，完成了設(shè)計(jì)任務(wù)的全部要求。雖然本系統(tǒng)完成了設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)要求，但其中仍然存在著很多需要改進(jìn)的地方。作品實(shí)測(cè)中，測(cè)量電容值有一定的誤差，而且 C 值越大時(shí)誤差越大，該誤差則是來源于振蕩電路產(chǎn)生的頻率和單片機(jī)程序上的誤差。希望在之后的設(shè)計(jì)之中能夠得到進(jìn)一步解決。在人機(jī)交換方面，顯示部分可以改用顯示效果更好的液晶屏顯示，使系統(tǒng)工作狀態(tài)和數(shù)據(jù)顯示更加清晰、更加人性化。西安交通大學(xué)城市學(xué)院本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）38致 謝本文是作者在西安交通大學(xué)城市學(xué)院做畢業(yè)設(shè)計(jì)期間學(xué)習(xí)、工作的總結(jié)，是在導(dǎo)師 xxxxxx 老師指導(dǎo)下完成的。在這幾個(gè)月畢業(yè)設(shè)計(jì)的學(xué)習(xí)和工作中，導(dǎo)師的精心指導(dǎo)和培養(yǎng)使我在各個(gè)方面都受益非淺。在分析問題、解決問題及獨(dú)立工作的能力有了很大的提高。在此期間，xx 老師提出了很多有益的建議并給予我很大幫助。在本文的課題研究及寫作過程中，也給予了大力支持。在此謹(jǐn)向 xx 老師表示衷心的感謝。在城市學(xué)院這個(gè)學(xué)習(xí)氛圍活躍、團(tuán)結(jié)友愛的集體里，大家互相幫助，彼此討論問題，共同提高。在此也要感謝我的各位學(xué)友，有了大家的支持和幫助使得論文研究工作得以順利的進(jìn)行。最后，再次向 xxxxxx 老師以及幫助過我的同學(xué)們表示最真誠的謝意！參考文獻(xiàn)39參 考 文 獻(xiàn)[1]申忠如，申淼， ，2022年 3 月第 1 版[2]申忠如，郭福田，丁暉．現(xiàn)代測(cè)試技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)．西安：西安交通大學(xué)出版社，．[3][M].北京化學(xué)工業(yè)出版社，2022 [4] ，1997[5]，2022[6]，2022[7]，ISBN7 81082 169 5TP [8]，2022[9] Design of Elektronic Equipment,CRC Press on2022[10] termiznew polprzewodnik 西安交通大學(xué)城市學(xué)院本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）40附 錄附錄一　系統(tǒng)原理圖及 PCB附圖１附錄41附圖２西安交通大學(xué)城市學(xué)院本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）42附錄二　源程序源程序：include include include include unsigned char inte=0。 //頻率值溢出定時(shí)器值unsigned long int uu=0。 //頻率相對(duì)應(yīng)的計(jì)數(shù)值unsigned long int ff=0。 //實(shí)際頻率值typedef unsigned char uchar。typedef unsigned int uint。 uchar key1。 int m=0,w=0,q=0,b=0,s=0,g=0。define LEDSEG XBYTE[0xbfff]define LEDDAT XBYTE[0xdfff]/*** 按鍵 ***/sbit sl=P1^0。sbit sc=P1^1。sbit sr=P1^2。sbit fw=P3^5。sbit srg=P1^5。sbit srd=P1^6。 void delay_5ms(){uchar i,j。for(j=0。j5。j++)for(i=0。i125。i++){。}}void delay_50us(){ 附錄43uchar i。for (i=0。 i6。 i++){。}}void display(uchar num,uchar seg){switch(num){case 1:num=0x06。break。case 2:num=0x5b。break。case 3:num=0x4f。break。case 4:num=0x66。break。case 5:num=0x6d。break。case 6:num=0x7d。break。case 7:num=0x07。break。case 8:num=0x7f。break。case 9:num=0x6f。break。case 0:num=0x3f。break。default :num=0x00。break。}switch(seg){case 1:seg=0x01。break。case 2:seg=0x02。break。case 3:seg=0x04。break。case 4:seg=0x08。break。case 5:seg=0x10。break。case 6:seg=0x20。break。default :seg=0x00。break。}LEDSEG=seg。delay_50us()。LEDDAT=num。delay_50us()。西安交通大學(xué)城市學(xué)院本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）44}void timer1(void) interrupt 3{TL1=0x00。TH1=0x00。}void cafrequent(void)reentrant{ long int l1=0x00。 long int h1=0x00。 float tt=0。 //tt 用于計(jì)算頻率 TMOD=(TMODamp。0x0F)|0x90。 TH1=0x00。 TL1=0x00。 ET1=1。 EA=1。 while(fw==1)。 TR1=1。 while(fw==0)。 while(fw==1)。 TR1=0。 l1=TL1。 h1=TH1。 uu=h1*256+l1+inte*65536。 inte=0。 tt=uu/(*)。 ff=(unsigned long int)()。 //頻率值}void judgekey(){ long int R=0,C=0,L=0。 cafrequent()。 delay_5ms()。附錄45 while(sr==0) { if (srd==0) { //R=((*ff))()。 R=((*ff))()。 delay_5ms()。 m=R/100000。 delay_5ms()。 w=(R/10000)%10。 delay_5ms()。 q=(R/1000)%10。 delay_5ms()。 b=(R/100)%10。 delay_5ms()。 s=(R/10)%10。 delay_5ms()。 g=R%10。 } else (srg==0) 。 { R=(((**ff)))/。 delay_5ms()。 m=R/100000。 delay_5ms()。 w=(R/10000)%10。 delay_5ms()。 q=(R/1000)%10。 delay_5ms()。 b=(R/100)%10。 delay_5ms()。 s=(R/10)%10。 delay_5ms()。西安交通大學(xué)城市學(xué)院本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）46 g=R%10。 } } while(sc==0) { // C=。 C=。 delay_5ms()。 m=C/100000。 delay_5ms()。 w=(C/10000)%10。 delay_5ms()。 q=(C/1000)%10。 delay_5ms()。 b=(C/100)%10。 delay_5ms()。 s=(C/10)%10。 delay_5ms()。 g=C%10。 } while(sl==0) { L=(ff*ff)。 delay_5ms()。 m=L/100000。 delay_5ms()。 w=(L/10000)%10。 delay_5ms()。 q=(L/1000)%10。 delay_5ms()。 b=(L/100)%10。 delay_5ms()。 s=(L/10)%10。 delay_5ms()。 g=L%10。 附錄47 } while(1) {display(m,1)。delay_5ms()。display(w,2)。delay_5ms()。 display(q,3)。 delay_5ms()。 display(b,4)。 delay_5ms()。 display(s,5)。 delay_5ms()。 display(g,6)。delay_5ms()。 } }void main(){ judgekey()。 }1外文翻譯單片機(jī) AT89C51 簡(jiǎn)介AT89C51 是美國 ATMEL 公司生產(chǎn)的低電壓，高性能 CMOS8 位單片機(jī)，片內(nèi)含 4Kb 字節(jié)的快速可擦寫的只讀程序存儲(chǔ)器（ PEROM）和 128 字節(jié)的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM） ，器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用 8 位中央處理器（CPU ）和 Flash 存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大 AT89C51 單片機(jī)可為您提供許多高性價(jià)比的應(yīng)用場(chǎng)合，可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。主要性能參數(shù)：1）與 MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼容；2）4K 字節(jié)可重復(fù)寫 flash 閃速存儲(chǔ)器；3）1000 次擦寫周期；4）全靜態(tài)操作：0HZ－24MHZ；5）三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器；6）128*8 字節(jié)內(nèi)部 RAM；7）32 個(gè)可編程 I/O 口；8）2 個(gè) 16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器；9）6 個(gè)中斷源；10）可編程串行 UART 通道；11）低功耗空閑和掉電模式。功能特性概述：AT89C51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能：4K 字節(jié)閃速存儲(chǔ)器，128 字節(jié)內(nèi)部RAM，32 個(gè) I/O 口線，兩個(gè) 16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器，一個(gè) 5 向量兩級(jí)中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí)，AT89C51 可降至 0HZ 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。空閑方式停止 CPU 的工作，但允許 RAM，定時(shí)/計(jì)數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。引腳功能說明：Vcc：電源電壓GND：地P0 口：P0 口是一組 8 位漏極開路型雙向 I/O 口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)位口。作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8 個(gè)邏輯門電路，對(duì)端口寫“1”可 作為高阻抗輸入端用。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組西安交通大學(xué)城市學(xué)院本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）2口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低 8 位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。P1 口：P1 是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口，P1 的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流）4 個(gè) TTL 邏輯門電路。對(duì)端口寫“1” ，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可做熟出口。做輸出口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。Flash 編程和程序校驗(yàn)期間，P1 接受低 8 位地址。P2 口：P2 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口，P2 的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流）4 個(gè) TTL 邏輯門電路。對(duì)端口寫“1” ，通過內(nèi)部地山拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作為輸出口，