《微機接口第四章》ppt課件-文庫吧

【正文】 5. 其他指標 體積 、 重量 、 價格 、 功耗 (包括維持功耗和操作功耗 )。 隨機存取存儲器 RAM 一、靜態隨機存儲器 SRAM 圖 6個 MOS管組成的 雙穩態電路 。 圖 六管靜態 RAM基本存儲電路 Y地址譯碼 Vcc V7 I / O V8 I / O V3 V4 V5 V2 V6 A V1 B Di Di X地址譯碼 圖中 V1V2是工作管 ， V3V4是負載管 ， V5V6是控制管 ，V7V8也是控制管 ， 它們為同一列線上的存儲單元共用 。 特點： (1) 不需要刷新，簡化外圍電路。 (2) 內部管子較多，功耗大，集成度低。 典型的靜態 RAM芯片 不同的靜態 RAM的內部結構基本相同 ， 只是在不同容量時其存儲體的矩陣排列結構不同 。 典型的靜態 RAM芯片如Intel 6116 （ 2K 8 位 ） ， 6264 （ 8K 8 位 ） ， 62128（ 16K 8位 ） 和 62256（ 32K 8位 ） 等 。 圖 SRAM 6264芯片的引腳圖，其容量為 8K 8位，即共有 8K（ 213）個單元，每單元 8位。因此，共需地址線 13條，即 A12~A0；數據線 8條即 I/O8~I/O WE、 OE、 CECE2的共同作用決定了 SRAM 6264的操作方式，如表 。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 6264 NC A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 I/O1 I/O2 I/O3 GND VCC WE CE2 A3 A2 A1 OE A0 CE1 I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 表 6264的操作方式 I/O1~ I/O8 IN 寫 0 1 0 0 IN 寫 1 1 0 0 OUT 讀 0 1 0 1 高阻 輸出禁止 1 1 0 1 高阻 未選中 0 高阻 未選中 1 I/O1~ I/O8 方式 WE CE1 CE2 OE 圖 SRAM 6264引腳圖 DRAM的基本存儲電路 (存儲單元 )有單管和四管等結構 ， 這里僅介紹單管存儲單元的結構存儲原理 。 二、動態隨機存儲器 DRAM 刷新放大器 數據 I/O線 T1 CS 行選擇信號 圖 單管 DRAM基本存儲元電路 T2 列選擇 信號 圖 RAM的基本存儲電路，由 MOS晶體管和一個電容 CS組成。 特點： (1) 每次讀出后 ， 內容被破壞 ， 要采取恢復措施 ， 即需要刷新 ， 外圍電路復雜 。 (2) 集成度高 ， 功耗低 。 典型的動態 RAM芯片 一種典型的 DRAM如 Intel 2164。 2164是 64K 1位的DRAM芯片 ， 片內含有 64K個存儲單元 ， 所以 ， 需要 16位地址線尋址 。 為了減少地址線引腳數目 ， 采用行和列兩部分地址線各 8條 ， 內部設有行 、 列地址鎖存器 。 利用外接多路開關 ， 先由行選通信號 RAS選通 8位行地址并鎖存 。隨后由列選通信號 CAS選通 8位列地址并鎖存 ， 16位地址可選中 64K存儲單元中的任何一個單元 。 2164芯片的引腳和內部結構示意如圖 。 圖 (a) Intel 2164 DRAM芯片引腳圖 GND Din A7 A5 A4 A3 A6 Dout VCC A0 A1 A2 NC 2164 1 16 8 9 WE RAS CAS A0~A7：地址輸入 CAS：列地址選通 RAS：行地址選通 WE：寫允許 Din：數據輸入 Dout： 數據輸出 Vcc：電源 GND：地 圖 (b) Intel 2164 DRAM內部結構框圖 Dout WE Din CAS RAS A7 … A1 A0 8 位 地 址 鎖 存 器 128 128 矩陣 128個讀出放大器 1/2列譯碼 128個讀出放大器 128 128 矩陣 128 128 矩陣 128個讀出放大器 1/2列譯碼 128個讀出放大器 128 128 矩陣 4選1 I/O門控 輸出緩沖器 行時 鐘緩 沖器 列時 鐘緩 沖器 寫允 許時 鐘緩 沖器 數據 輸入 緩沖 器 包含： (1) 存儲體 (2)外圍電路 a. 地址譯碼器 b. 讀 /寫控制及 I/O電路 c. 片選控制 CS 二、 RAM的組成 只讀存儲器 (ROM) ROM主要由地址譯碼器、存儲矩陣、控制邏輯和輸出電路四部分組成（如圖 ），與 RAM不同之處是 ROM在使用時只能讀出，不能隨機寫入。 輸出電路 Y 譯碼 存儲矩陣 X 譯 碼 控 制 邏 輯 地 址 碼 D7 D0 它包含有 (1) 地址譯碼器 (2) 存儲矩陣 (3) 控制邏輯 (4) 輸出電路 圖 ROM組成框圖 一、掩膜 ROM 特點： (1) 器件制造廠在制造時編制程序 ,用戶不能修改。 (2) 用于產品批量生產。 (3) 可由二極管和三極管電路組成。 字譯碼結構 圖 4 4位的存儲