數字電子技術基礎教案-資料下載頁

　　

【正文】 ，可以構成許多特殊編碼的移位寄存器型計數器。⑴環形計數器接法：串出接串入；啟動：置入含一個0或一個1的數據；移位狀態表，M=n；特點：不能自啟動，需外加啟動信號； 狀態利用率低； 譯碼型輸出，不需再加譯碼器。⑵扭環計數器接法：串出的非接串入；狀態轉移表，M=2n；特點： 狀態利用率不高； 狀態變化具有相鄰性。⑶任意進制計數器分析。序列信號發生器串行周期性信號，稱為序列信號。一般有兩種結構形式：一是移存型；二是計數型。移存型 計數型第6章 脈沖產生與整形電路目的與要求：1掌握施密特觸發器的工作原理特點、電壓傳輸特性、回差的概念、應用。2 掌握多諧振蕩器的常用電路形式、工作原理、參數計算。3了解石英晶體振蕩器的特點。4掌握單穩態觸發器的常用電路形式、工作特點，集成單穩態觸發器的參數計算、應用。重點與難點：三種電路的特點、重要參數、應用。 概述一、獲得脈沖波形的方法主要有兩種：1．利用多諧振蕩器直接產生符合要求的矩形脈沖；2．是通過整形電路對已有的波形進行整形、變換，使之符合系統的要求。二、施密特觸發器：主要用以將非矩形脈沖變換成上升沿和下降沿都很陡峭的矩形脈沖。三、單穩態觸發器：主要用以將脈沖寬度不符合要求的脈沖變換成脈沖寬度符合要求的矩形脈沖。 施密特觸發器一、工作原理1．特點：⑴ 施密特觸發器有兩個穩定狀態，其維持和轉換完全取決于輸入電壓的大小。⑵ 電壓傳輸特性特殊，有兩個不同的閾值電壓（正向閾值電壓 和負向閾值電壓 ）⑶ 狀態翻轉時有正反饋過程，從而輸出邊沿陡峭的矩形脈沖。2．電壓傳輸特性有兩種情況：左圖中輸入與輸出為反相關系， 右圖中輸入與輸出為同相關系， 3．回差可見：施密特觸發器的電壓傳輸特性具有滯后特性。4．邏輯符號左圖中輸入與輸出為反相關系，又稱作施密特觸發器與非門右圖中輸入與輸出為同相關系，又稱作施密特觸發器與門5．工作波形為施密特觸發器與門的波形， 為施密特觸發器與非門的波形二、施密特觸發器的應用1．用于波形變換三角波、正弦波及其它不規則信號→矩形脈沖。所示為用施密特觸發器將正弦波變換成同周期的矩形脈沖。2．用于脈沖整形當傳輸的信號受到干擾而發生畸變時，可利用施密特觸發器的回差特性，將受到干擾的信號整形成較好的矩形脈沖。3．用于脈沖幅度鑒別如輸入信號為一組幅度不等的脈沖，可將輸入幅度大于 的脈沖信號選出來，而幅度小于 的脈沖信號則去掉了。 多諧振蕩器特點：1．多諧振蕩器沒有穩定狀態，只有兩個暫穩態。2．通過電容的充電和放電，使兩個暫穩態相互交替，從而產生自激振蕩，無需外觸發。3．輸出周期性的矩形脈沖信號，由于含有豐富的諧波分量，故稱作多諧振蕩器。 對稱多諧振蕩器一、電路結構提問：TTL門電路的輸入電阻特性？二、工作原理該電路是利用RC電路的充、放電分別控制G1和G2的開通與關閉來實現自激振蕩的。電路進入第二暫穩態。寬度與間隔時間相等。 石英晶體多諧振蕩器前面介紹的多諧振蕩器的一個共同特點就是振蕩頻率不穩定，容易受溫度、電源電壓波動和RC參數誤差的影響。而在數字系統中，矩形脈沖信號常用作時鐘信號來控制和協調整個系統的工作。因此，控制信號頻率不穩定會直接影響到系統的工作，顯然，前面討論的多諧振蕩器是不能滿足要求的，必須采用頻率穩定度很高的石英晶體多諧振蕩器。石英晶體具有很好的選頻特性。當振蕩信號的頻率和石英晶體的固有諧振頻率 相同時，石英晶體呈現很低的阻抗，信號很容易通過，而其它頻率的信號則被衰減掉。 555定時器目的與要求：1掌握555定時器的結構框圖和工作原理。2掌握555定時器的應用電路及其工作原理。重點與難點：555定時器的結構框圖、工作原理和應用電路。教學過程： 555定時器的電路結構及其功能 一、結構框圖（ 雙極型）1．模擬功能部件：⑴ 電阻分壓器）、Vcc經3個5 kΩ電阻分壓后提供基準電壓： 定時器5G555的功能表　 用555定時器組成施密特觸發器　一、電路結構　二、工作原理㈠ 上升過程4．UI 再增大時，對電路的輸出狀態沒有影響。㈡ 下降過程㈣ 電壓傳輸特性由該特性可看出，該電路具有反相輸出特性。　 555定時器組成單穩態觸發器一、電路結構思路：外觸發→自動返回1．外觸發（高觸發置0端 TH）置0→得到正脈沖二、工作原理 1．穩定狀態 3．自動返回穩定狀態 用555定時器組成多諧振蕩器一、電路結構設計思想：是無穩態電路，兩個暫穩態不斷地交替。利用放電管V作為一個受控電子開關，使電容充電、放電而改變UC ↑或↓，二、工作原理從而使電路產生了振蕩，輸出矩形脈沖。三、參數計算振蕩頻率為第3講 習題課第7章 半導體存儲器 大規模集成器件LSI（1000個元件或100個邏輯門以上的芯片），如：存儲器、PLD、ADC、DAC等。概念：用半導體來存儲二值信息的存儲器。是數字系統必不可少的器件。1． 按工藝分雙極型：使用雙極型觸發器做存儲單元。特點是速度快、功耗大、價格高；用于高速場合，如微機的高速緩存。MOS型：以MOS型觸發器或電荷存儲結構為基本存儲單元。特點是集成度高、功耗小、價格低、工藝簡單；用于大容量存儲系統中，如微機的內存。2． 按存取方式分順序存取（SAM）：對信息的存取按順序進行，先入先出或先入后出（如堆棧）。隨機存?。≧AM）：任何時刻對任何單元直接存取。根據存儲原理不同有靜態SRAM（以觸發器做存儲單元）和動態DRAM（CMOS的電荷存儲效應，需要動態刷新，結構簡單，集成度高.只讀（ROM）：信息事先固化好，斷電不丟失，只能讀出。分為：固定ROM、可編程PROM、可擦除可編程EPROM等。1． 存儲容量單位：BIT，BYTE，WORD；一般表示為：字位。2． 存取時間讀寫周期：連續兩次讀或寫操作所間隔的最短時間，是速度指標。（RAM）如圖所示。1． 存儲矩陣：字位；2． 地址譯碼器：是對應單元導通，與數據D端接通。如：地址00001111與存儲單元16，1對應。3． 片選與讀寫控制電路：片選用于多片工作時選通。符號：；功能表；1． 位擴展法：；2． 字擴展法；3． 綜合擴展：芯片數目計算。（ROM）類型：：⑴地址譯碼：高電平有效的2（位地址）4（字線）譯碼器，實現與邏輯，稱為與矩陣；⑵存儲矩陣：容量44；內容（有二極管為1，否則為0）；字線—數據輸出線，實現或邏輯，稱為或矩陣；⑶三態門輸出2．ROM陣列圖地址輸入到數據輸出為與或邏輯關系，； ROM陣列圖（見C），只畫輸入輸出及點。存儲內容有用戶編程。1． 結構圖：存儲單元加熔斷絲；輸出電路不同。2． 原理：寫入：W字選中，三極管T導通；D端加高電壓正脈沖，穩壓管Dz短時導通；寫入放大器Aw輸出低電平，呈現低內阻；大電流使熔斷絲熔斷。讀出：正常工作時，Dz不工作，數據經Ar輸出。特點：一次性。、EEPROM1．EPROM 擦除方式：紫外線照射芯片的石英玻璃窗口幾分鐘；全擦除；擦寫次數：幾百次；數據保存時間：10年；集成芯片：27系列，如2716（2K8）、2732764（8K8）等；管腳圖；工作方式表。2．EEPROM（電可擦可編程）擦除方式：高電壓脈沖或正常電壓20mS；字擦除；擦寫次數：100—10000次；保存時間：5—10年；集成芯片：28系列。2812817，高電壓擦除，需要專用編程器；2816A、2864A等不需要編程器，可在線擦除，類似與RAM。 3．快閃存儲器（FLASH MEMORY）用電信號、全擦除（不同與EEPROM）；集成度高，容量大，成本低，使用方便。原理：輸入地址譯碼（與矩陣）全部最小項； 存儲矩陣（或矩陣）最小項之和（數據輸出）；。例1：真值表；存儲矩陣164；存儲內容；陣列圖；表達式（二進制碼循環碼）。 PLA陣列ROM是全譯碼，容易浪費；PLA的與或都是可編程，用最簡與或表達式的與項來編制與陣列；。第9章 數模和模數轉換